公开(公告)号：CN101509146A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910006384.7

申请日：2009-02-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/20 ,  C30B33/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明提供了III族氮化物晶体的制造方法，借此方法，当除去III族氮化物衬底时，III族氮化物晶体中的破裂发生率保持最小。III族氮化物晶体制造方法包括：在III族氮化物衬底(10)的一个主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)的步骤，其中至少III族氮化物晶体(20的构成原子类型和比例、或其掺杂剂类型和浓度与III族氮化物衬底(10)不同；以及通过气相腐蚀除去III族氮化物衬底(10)的步骤。

公开(公告)号：CN101086963A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN102315103A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101024903B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710002371.3

申请日：2007-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/04

Abstract: 本发明公开了一种低变形的氮化镓晶体衬底，其包括低位错单晶区(Z)、C面生长区(Y)、庞大缺陷积聚区(H)和0.1/cm2至10/cm2的c轴粗大核区(F)，低位错单晶区(Z)具有确定的c轴和确定的a轴，C面生长区(Y)具有与低位错单晶区(Z)的c轴和a轴平行的c轴和a轴，庞大缺陷积聚区(H)具有与低位错单晶区(Z)的c轴反向的c轴和与低位错单晶区(Z)的a轴平行的a轴，c轴粗大核区(F)包括至少一个晶体，所述晶体具有与低位错单晶区(Z)的c轴平行的c轴和与低位错单晶区(Z)的a轴不同的a轴。

公开(公告)号：CN101319402A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810109546.5

申请日：2008-06-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树 ,  佐藤史隆 ,  中畑成二 ,  冈久拓司 ,  上松康二

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/20

Abstract: GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底。在此公开一种制造GaN晶体的方法，其涉及在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体。该方法包括以下步骤：制备GaN籽晶衬底，该GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于GaN晶体的热膨胀系数；以及在该GaN籽晶衬底上生长GaN晶体至少1mm的厚度。因此，可以提供一种制造GaN晶体的方法以及一种GaN晶体衬底，该方法可以抑制裂纹的产生并生长厚的GaN晶体。

公开(公告)号：CN101805928A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010121696.5

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)。C面生长区部分(Y)的碳浓度与晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且C面生长区部分(Y)的碳浓度与低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105。并且，该C面生长区部分(Y)的碳浓度是1016-1020cm-3。

公开(公告)号：CN102315103B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1992168B8

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101910477A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980102461.7

申请日：2009-01-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了用于生长III族氮化物晶体的方法，其包括如下步骤：准备衬底(10)，所述衬底包括构成其一个主面(10m)的III族氮化物晶种(10a)；通过气相腐蚀在所述衬底(10)的所述主面(10m)上形成多个小平面(10ms、10mt、10mu)；以及在其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)。以此方式，能够容易且有效地得到具有低位错密度的III族氮化物晶体(20)。

公开(公告)号：CN101441999A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810172909.X

申请日：2008-10-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二 ,  木山诚

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/02 ,  H01L29/772 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管，其中，制造半绝缘氮化物半导体衬底的方法包括以下步骤：在下衬底上形成掩模，在所述掩模中以250μm～2000μm的间隔Dw来排列具有10μm～100μm的宽度或直径Ds的点状或带状覆盖部分；用HVPE方法，在1040℃～ 1150℃的生长温度下，通过供应V族/III族比例R5/3设定为1至10的III族原料气体和V族原料气体以及含有铁的气体在下衬底上生长氮化物半导体晶体；以及去除下衬底，从而获得自支撑半绝缘氮化物半导体衬底，其具有不小于1×105Ωcm的比电阻和不小于100μm的厚度。由此，能获得其中翘曲较少且较不可能发生破裂的半绝缘氮化物半导体晶体衬底。