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公开(公告)号：CN1664179A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510004041.9
申请日：2005-01-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C30B29/403 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/406
Abstract: 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。
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公开(公告)号：CN1942611B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580011074.4
申请日：2005-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/38 , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L21/208
CPC classification number: C30B9/08 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B11/06 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质(1)、含III族元素物质(2)和含氮元素物质(3)导入反应器(51)中；在所述反应器(51)中，形成至少含有所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)；并从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，其特征在于至少在将含碱金属元素物质(1)导入反应器(51)的步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。由此可提供具有小吸收系数的III族氮化物晶体衬底及其制造方法，以及III族氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN100376727C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510004041.9
申请日：2005-01-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C30B29/403 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/406
Abstract: 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。
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公开(公告)号：CN1957117A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016039.1
申请日：2005-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/38 , C30B11/06 , H01L21/208 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: C30B9/12 , C30B11/00 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625 , H01L33/0075 , H01S5/32341
Abstract: 提供一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器(1)中容纳至少含有III族金属元素和碱金属元素的合金(11)；向所述反应器(1)中导入含氮物质(14)；在其中所述合金(11)熔融的合金熔融液(13)中溶解含氮物质(14)；和生长III族氮化物半导体晶体(15)。由此可以提供吸收系数小的III族氮化物半导体晶体(15)，其高效制造方法，以及发光强度高的III族氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN1723548A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001850.8
申请日：2004-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: H01L21/306 , C30B33/10
CPC classification number: C30B29/403 , C30B29/38 , C30B33/00 , C30B33/10 , H01L21/30612
Abstract: 一种加工氮化物半导体晶体表面的方法的特征在于，使至少包含Na、Li或Ca的加工溶液(15)与氮化物半导体晶体(11)的表面接触。加工溶液(15)可以是至少包含Na的液体，其Na含量为5－95摩尔％。加工溶液(15)可以是至少包含Li的液体，其中Li含量为5至100摩尔％。还公开了通过该方法得到的氮化物半导体晶体，其最大表面刮擦深度为0.01μm或以下，且破坏层的平均厚度为2μm或以下。即，加工氮化物半导体晶体表面的方法可以提供减小表面刮擦深度和破坏层厚度，和由该方法得到的氮化物半导体晶体具有浅的表面刮擦深度和薄的破坏层厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1965112B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200580018887.6
申请日：2005-04-15
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B11/00 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。
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公开(公告)号：CN1965112A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018887.6
申请日：2005-04-15
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B11/00 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。
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公开(公告)号：CN1942611A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011074.4
申请日：2005-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/38 , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L21/208
CPC classification number: C30B9/08 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B11/06 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质(1)、含III族元素物质(2)和含氮元素物质(3)导入反应器(51)中；在所述反应器(51)中，形成至少含有所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)；并从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，其特征在于至少在将含碱金属元素物质(1)导入反应器(51)的步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。由此可提供具有小吸收系数的III族氮化物晶体衬底及其制造方法，以及III族氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN106536794B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201580039559.8
申请日：2015-04-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种氮化镓衬底，具有直径不小于100mm的表面，在边均具有2mm长度的各正方形区域处在微拉曼散射映射测量中的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不小于0.1cm‑1且不大于2cm‑1，正方形区域位于氮化镓衬底的表面上的包括中心位置和四个周边边缘位置的总共五个位置处，在这五个位置中的所有测量点处的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不大于2cm‑1。
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公开(公告)号：CN102315103A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110308166.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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