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公开(公告)号：CN1723548A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001850.8
申请日：2004-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: H01L21/306 , C30B33/10
CPC classification number: C30B29/403 , C30B29/38 , C30B33/00 , C30B33/10 , H01L21/30612
Abstract: 一种加工氮化物半导体晶体表面的方法的特征在于，使至少包含Na、Li或Ca的加工溶液(15)与氮化物半导体晶体(11)的表面接触。加工溶液(15)可以是至少包含Na的液体，其Na含量为5－95摩尔％。加工溶液(15)可以是至少包含Li的液体，其中Li含量为5至100摩尔％。还公开了通过该方法得到的氮化物半导体晶体，其最大表面刮擦深度为0.01μm或以下，且破坏层的平均厚度为2μm或以下。即，加工氮化物半导体晶体表面的方法可以提供减小表面刮擦深度和破坏层厚度，和由该方法得到的氮化物半导体晶体具有浅的表面刮擦深度和薄的破坏层厚度。
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公开(公告)号：CN1965112B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200580018887.6
申请日：2005-04-15
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B11/00 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。
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公开(公告)号：CN1965112A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018887.6
申请日：2005-04-15
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B11/00 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。
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公开(公告)号：CN1664179A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510004041.9
申请日：2005-01-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C30B29/403 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/406
Abstract: 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。
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公开(公告)号：CN1942611A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011074.4
申请日：2005-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/38 , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L21/208
CPC classification number: C30B9/08 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B11/06 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质(1)、含III族元素物质(2)和含氮元素物质(3)导入反应器(51)中；在所述反应器(51)中，形成至少含有所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)；并从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，其特征在于至少在将含碱金属元素物质(1)导入反应器(51)的步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。由此可提供具有小吸收系数的III族氮化物晶体衬底及其制造方法，以及III族氮化物半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1942611B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580011074.4
申请日：2005-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/38 , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L21/208
CPC classification number: C30B9/08 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B11/06 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质(1)、含III族元素物质(2)和含氮元素物质(3)导入反应器(51)中；在所述反应器(51)中，形成至少含有所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)；并从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，其特征在于至少在将含碱金属元素物质(1)导入反应器(51)的步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。由此可提供具有小吸收系数的III族氮化物晶体衬底及其制造方法，以及III族氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN100376727C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510004041.9
申请日：2005-01-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C30B29/403 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/406
Abstract: 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。
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公开(公告)号：CN1957117A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016039.1
申请日：2005-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC: C30B29/38 , C30B11/06 , H01L21/208 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: C30B9/12 , C30B11/00 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625 , H01L33/0075 , H01S5/32341
Abstract: 提供一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器(1)中容纳至少含有III族金属元素和碱金属元素的合金(11)；向所述反应器(1)中导入含氮物质(14)；在其中所述合金(11)熔融的合金熔融液(13)中溶解含氮物质(14)；和生长III族氮化物半导体晶体(15)。由此可以提供吸收系数小的III族氮化物半导体晶体(15)，其高效制造方法，以及发光强度高的III族氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN1922345A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN1938458A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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