公开(公告)号：CN116569338A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082891.8

申请日：2021-12-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 东克典 ,  正木克明 ,  藤田高吉 ,  林雄一郎 ,  平山知央 ,  泽田达郎 ,  葛西骏

IPC: H01L29/06

Abstract: 半导体元件的制造方法包含：第1工序，在基板(11)的表面(11a)上形成具有开口(22)的掩模(21)；第2工序，从由开口(22)露出的表面(11a)起，使半导体沿着掩模(21)外延生长，生长作为第1半导体层的GaN层(32)；和第3工序，生长作为第2半导体层的GaN层(33)。在位于层叠方向上与基板11相反的一侧且设置肖特基电极(41)的表面(33a)，从表面(33a)的端部到肖特基电极(41)的宽度(w2)比掩模(21)的宽度(w1)小。

公开(公告)号：CN117678081A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280050232.0

申请日：2022-07-15

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  谷口祐基 ,  村川贤太郎 ,  川口佳伸 ,  正木克明 ,  林雄一郎

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/32 ,  G09F9/33 ,  G09F9/00

Abstract: 具备：半导体基板，具备主基板、位于比主基板更上方且包含掩模部以及开口部的掩模、和位于比掩模更上方的基底半导体部；和化合物半导体部，位于比半导体基板更上方，具有第1发光部，半导体基板包含：第1孔洞，在厚度方向上贯通主基板，在第1发光部的下方与第1发光部重叠。

公开(公告)号：CN117121161A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280028160.X

申请日：2022-04-14

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  神川刚 ,  小林敏洋 ,  林雄一郎 ,  谷口祐基 ,  青木优太

IPC: H01L21/20

Abstract: 具备：主基板；位于比主基板更上方的晶种部(SD)；和在第1方向(9Y方向)上并排的第1以及第2半导体部(8F、8S)，第1以及第2半导体部与晶种部相接，晶种部(SD)将第1方向(Y方向)设为长边方向，在主基板(1)与第1半导体部以及第2半导体部之间设置中空部(VD)。

公开(公告)号：CN116802349A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202180087388.1

申请日：2021-12-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  正木克明 ,  林雄一郎 ,  小林敏洋

IPC: C30B25/04

Abstract: 半导体基板具备基底基板、具有开口部及掩模部的掩模层、以及包括GaN系半导体的GaN系半导体层。GaN系半导体层具有：第一部分，其位于掩模部上；第二部分，位于开口部上，并且沿厚度方向切断GaN系半导体层的剖面中的非穿透位错的位错密度小于第一部分。

公开(公告)号：CN109075526B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201780023759.3

申请日：2017-04-18

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 古久保洋二 ,  山元泉太郎 ,  冈本征宪 ,  正木克明 ,  西村刚太 ,  柴田和也

IPC: H01S5/02208 ,  H01S5/02315

Abstract: 发光元件收纳用构件(A1)具有基体(1)，基体(1)由陶瓷构成，且在内部具有将至少一处设为开口部(5)的深底型的空间部(7)，空间部(7)的内壁成为发光元件(9)的搭载部(11)。发光元件收纳用构件(A1)具有基体(21)，基体(21)具有用于搭载发光元件(9)的搭载部(26)，且具备俯视观察时的形状为矩形形状的底部基材(22)以及在底部基材(22)上以将搭载部(26)呈コ状包围且将至少一处设为开口部(27)的方式设置的壁构件(23)，基体(21)由陶瓷一体形成。

公开(公告)号：CN102484176B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201080040200.X

申请日：2010-09-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  川口义之 ,  西园和博

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明的一实施方式的发光元件具备：按顺序层叠有第一半导体层(2a)、发光层(2b)及第二半导体层(2c)的光半导体层(2)；与第一半导体层(2a)电连接的第一电极层(3)；与第二半导体层(2c)电连接的第二电极层(7)。另外，第二电极层(7)具有位于第二半导体层(2c)上的导电反射层(4)及位于导电反射层(4)上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔(6)的导电层(5)。本发明的发光元件的制造方法具有：准备光半导体层(2)和按顺序层叠有第一金属层(21)及熔点比第一金属层(21)的氧化物高的第二金属层(22)的层叠体(30)的工序；在第二金属层(22)上形成贯通厚度方向的多个贯通孔(6)的工序。而且，本发明的发光元件的制造方法还具备：之后在比第一金属层(21)的氧化物的熔点高且比第一金属层(21)的熔点及第二金属层(22)的熔点的任何一方都低的温度下对层叠体(30)进行加热，将光半导体层(2)与第一金属层(21)的界面区域氧化的工序。