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公开(公告)号：CN105940149A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006861.3
申请日：2015-02-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: H01L29/1608 , C01B32/956 , C30B7/005 , C30B15/04 , C30B29/36
Abstract: 本发明一实施方式中的碳化硅晶锭(1)包括分别含有供体或受体、且交替配置的多个第一结晶层(3)和多个第二结晶层(4)，第二结晶层(4)中的供体或受体的浓度大于与其上部或下部相接的第一结晶层(3)中的供体或受体的浓度。
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公开(公告)号：CN102484176A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080040200.X
申请日：2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38
Abstract: 本发明的一实施方式的发光元件具备：按顺序层叠有第一半导体层(2a)、发光层(2b)及第二半导体层(2c)的光半导体层(2)；与第一半导体层(2a)电连接的第一电极层(3)；与第二半导体层(2c)电连接的第二电极层(7)。另外，第二电极层(7)具有位于第二半导体层(2c)上的导电反射层(4)及位于导电反射层(4)上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔(6)的导电层(5)。本发明的发光元件的制造方法具有：准备光半导体层(2)和按顺序层叠有第一金属层(21)及熔点比第一金属层(21)的氧化物高的第二金属层(22)的层叠体(30)的工序；在第二金属层(22)上形成贯通厚度方向的多个贯通孔(6)的工序。而且，本发明的发光元件的制造方法还具备：之后在比第一金属层(21)的氧化物的熔点高且比第一金属层(21)的熔点及第二金属层(22)的熔点的任何一方都低的温度下对层叠体(30)进行加热，将光半导体层(2)与第一金属层(21)的界面区域氧化的工序。
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公开(公告)号：CN113490995A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080016757.3
申请日：2020-02-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本公开的半导体元件的制造方法包含：元件形成工序(S1)，在基底基板(11)上形成半导体元件(15)，所述半导体元件(15)经由连接部(13b)而与基底基板(11)连接，并且具有相对于基底基板(11)的生长面倾斜的上表面(15a)；准备工序(S2)，准备具有与基底基板(11)对置的对置面(16c)的支承基板(16)；接合工序(S3)，将半导体元件(15)的上表面(15a)向支承基板(16)的对置面(16c)按压以及进行加热，将半导体元件(15)的上表面(15a)和支承基板(16)接合；以及剥离工序(S4)，将半导体元件(15)从基底基板(11)剥离。
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公开(公告)号：CN119998924A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380073349.5
申请日：2023-10-19
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 具备：包含在第1方向上并排的第1籽晶区域以及生长抑制区域的模板基板；和位于所述模板基板的上方的第1半导体部，所述第1半导体部具有：位于所述第1籽晶区域上的第1基部；和与所述第1基部连接且隔着第1空隙与所述生长抑制区域面对面的第1翼部，所述第1翼部包含：位于所述生长抑制区域的上方的翼端，所述第1空隙的所述第1方向的宽度相对于所述翼端下的厚度的比为5.0以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116783335A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180087640.9
申请日：2021-12-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C30B25/04
Abstract: 具备：异种基板(1)；具有开口部(KS)以及掩模部(5)的掩模层(6)；与开口部重叠的晶种部(3S)；和配置于晶种部上以及掩模部上的包含GaN系半导体的半导体层(8)，在半导体层的有效部(YS)的上表面包含在沿着开口部的宽度方向的第1方向上具有10μm的尺寸、在与第1方向正交的第2方向上具有10μm的尺寸的至少1个低缺陷区域(AL)，在低缺陷区域(AL)中，通过CL法没有测到线状缺陷。
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公开(公告)号：CN109075526A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023759.3
申请日：2017-04-18
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 发光元件收纳用构件(A1)具有基体(1)，基体(1)由陶瓷构成，且在内部具有将至少一处设为开口部(5)的深底型的空间部(7)，空间部(7)的内壁成为发光元件(9)的搭载部(11)。发光元件收纳用构件(A1)具有基体(21)，基体(21)具有用于搭载发光元件(9)的搭载部(26)，且具备俯视观察时的形状为矩形形状的底部基材(22)以及在底部基材(22)上以将搭载部(26)呈コ状包围且将至少一处设为开口部(27)的方式设置的壁构件(23)，基体(21)由陶瓷一体形成。
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公开(公告)号：CN120015705A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510136611.7
申请日：2020-02-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/78 , H10D62/10 , H10H20/819 , H10H20/01
Abstract: 提供一种半导体基板。本公开的半导体元件的制造方法包含：元件形成工序（S1），在基底基板（11）上形成半导体元件（15），所述半导体元件（15）经由连接部（13b）而与基底基板（11）连接，并且具有相对于基底基板（11）的生长面倾斜的上表面（15a）；准备工序（S2），准备具有与基底基板（11）对置的对置面（16c）的支承基板（16）；接合工序（S3），将半导体元件（15）的上表面（15a）向支承基板（16）的对置面（16c）按压以及进行加热，将半导体元件（15）的上表面（15a）和支承基板（16）接合；以及剥离工序（S4），将半导体元件（15）从基底基板（11）剥离。
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公开(公告)号：CN113490995B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080016757.3
申请日：2020-02-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本公开的半导体元件的制造方法包含：元件形成工序(S1)，在基底基板(11)上形成半导体元件(15)，所述半导体元件(15)经由连接部(13b)而与基底基板(11)连接，并且具有相对于基底基板(11)的生长面倾斜的上表面(15a)；准备工序(S2)，准备具有与基底基板(11)对置的对置面(16c)的支承基板(16)；接合工序(S3)，将半导体元件(15)的上表面(15a)向支承基板(16)的对置面(16c)按压以及进行加热，将半导体元件(15)的上表面(15a)和支承基板(16)接合；以及剥离工序(S4)，将半导体元件(15)从基底基板(11)剥离。
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