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发明公开
半导体元件的制造方法、半导体元件以及半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN116569338A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082891.8

申请日：2021-12-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 东克典 , 正木克明 , 藤田高吉 , 林雄一郎 , 平山知央 , 泽田达郎 , 葛西骏

IPC: H01L29/06

Abstract: 半导体元件的制造方法包含：第1工序，在基板(11)的表面(11a)上形成具有开口(22)的掩模(21)；第2工序，从由开口(22)露出的表面(11a)起，使半导体沿着掩模(21)外延生长，生长作为第1半导体层的GaN层(32)；和第3工序，生长作为第2半导体层的GaN层(33)。在位于层叠方向上与基板11相反的一侧且设置肖特基电极(41)的表面(33a)，从表面(33a)的端部到肖特基电极(41)的宽度(w2)比掩模(21)的宽度(w1)小。

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