公开(公告)号：CN117859210A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280057881.3

申请日：2022-08-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  谷口祐基 ,  林雄一郎 ,  三岛孝介

IPC: H01L33/32 ,  C23C16/04 ,  C30B25/04 ,  H01L21/205 ,  H01L21/301 ,  H01S5/343

Abstract: 进行如下工序：准备在主基板的上方形成有第1半导体部(S1)的半导体基板(11)；通过在第1半导体部(S1)形成多个沟槽(TR)，来将第1半导体部(S1)分割成多个基底半导体部(8)；和在多个基底半导体部(8)的至少1个的上方形成化合物半导体部(9)。

公开(公告)号：CN117678081A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280050232.0

申请日：2022-07-15

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  谷口祐基 ,  村川贤太郎 ,  川口佳伸 ,  正木克明 ,  林雄一郎

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/32 ,  G09F9/33 ,  G09F9/00

Abstract: 具备：半导体基板，具备主基板、位于比主基板更上方且包含掩模部以及开口部的掩模、和位于比掩模更上方的基底半导体部；和化合物半导体部，位于比半导体基板更上方，具有第1发光部，半导体基板包含：第1孔洞，在厚度方向上贯通主基板，在第1发光部的下方与第1发光部重叠。

公开(公告)号：CN117121161A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280028160.X

申请日：2022-04-14

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  神川刚 ,  小林敏洋 ,  林雄一郎 ,  谷口祐基 ,  青木优太

IPC: H01L21/20

Abstract: 具备：主基板；位于比主基板更上方的晶种部(SD)；和在第1方向(9Y方向)上并排的第1以及第2半导体部(8F、8S)，第1以及第2半导体部与晶种部相接，晶种部(SD)将第1方向(Y方向)设为长边方向，在主基板(1)与第1半导体部以及第2半导体部之间设置中空部(VD)。