公开(公告)号：CN116783335A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180087640.9

申请日：2021-12-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  正木克明 ,  小林敏洋 ,  林雄一郎

IPC: C30B25/04

Abstract: 具备：异种基板(1)；具有开口部(KS)以及掩模部(5)的掩模层(6)；与开口部重叠的晶种部(3S)；和配置于晶种部上以及掩模部上的包含GaN系半导体的半导体层(8)，在半导体层的有效部(YS)的上表面包含在沿着开口部的宽度方向的第1方向上具有10μm的尺寸、在与第1方向正交的第2方向上具有10μm的尺寸的至少1个低缺陷区域(AL)，在低缺陷区域(AL)中，通过CL法没有测到线状缺陷。

公开(公告)号：CN117859210A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280057881.3

申请日：2022-08-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  谷口祐基 ,  林雄一郎 ,  三岛孝介

IPC: H01L33/32 ,  C23C16/04 ,  C30B25/04 ,  H01L21/205 ,  H01L21/301 ,  H01S5/343

Abstract: 进行如下工序：准备在主基板的上方形成有第1半导体部(S1)的半导体基板(11)；通过在第1半导体部(S1)形成多个沟槽(TR)，来将第1半导体部(S1)分割成多个基底半导体部(8)；和在多个基底半导体部(8)的至少1个的上方形成化合物半导体部(9)。

公开(公告)号：CN116941016A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280016192.8

申请日：2022-02-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  神川刚 ,  小林敏洋 ,  林雄一郎 ,  青木优太

IPC: H01L21/20

Abstract: 具备：支承基板(1)；掩模图案(6)，其位于比支承基板更上层，具有掩模部(5)；籽晶部(4)，其在比支承基板更上层配置成俯视观察下局部设置；和半导体部(8)，其在比掩模图案(6)更上层配置成与籽晶部(4)以及掩模部(5)相接，包含GaN系半导体。

公开(公告)号：CN116569338A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082891.8

申请日：2021-12-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 东克典 ,  正木克明 ,  藤田高吉 ,  林雄一郎 ,  平山知央 ,  泽田达郎 ,  葛西骏

IPC: H01L29/06

Abstract: 半导体元件的制造方法包含：第1工序，在基板(11)的表面(11a)上形成具有开口(22)的掩模(21)；第2工序，从由开口(22)露出的表面(11a)起，使半导体沿着掩模(21)外延生长，生长作为第1半导体层的GaN层(32)；和第3工序，生长作为第2半导体层的GaN层(33)。在位于层叠方向上与基板11相反的一侧且设置肖特基电极(41)的表面(33a)，从表面(33a)的端部到肖特基电极(41)的宽度(w2)比掩模(21)的宽度(w1)小。

公开(公告)号：CN117678081A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280050232.0

申请日：2022-07-15

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  谷口祐基 ,  村川贤太郎 ,  川口佳伸 ,  正木克明 ,  林雄一郎

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/32 ,  G09F9/33 ,  G09F9/00

Abstract: 具备：半导体基板，具备主基板、位于比主基板更上方且包含掩模部以及开口部的掩模、和位于比掩模更上方的基底半导体部；和化合物半导体部，位于比半导体基板更上方，具有第1发光部，半导体基板包含：第1孔洞，在厚度方向上贯通主基板，在第1发光部的下方与第1发光部重叠。

公开(公告)号：CN117321257A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280026769.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小林敏洋 ,  神川刚 ,  青木优太 ,  林雄一郎

IPC: C30B29/38

Abstract: 半导体基板具备：主基板；位于比所述主基板更上方且包含掩模部的掩模图案；和位于比掩模图案更上方且相邻的第1半导体部以及第2半导体部，第1半导体部具有：位于掩模部上的第1下方边缘；和比第1下方边缘更向第2半导体部侧伸出的第1伸出部。

公开(公告)号：CN117121161A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280028160.X

申请日：2022-04-14

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  神川刚 ,  小林敏洋 ,  林雄一郎 ,  谷口祐基 ,  青木优太

IPC: H01L21/20

Abstract: 具备：主基板；位于比主基板更上方的晶种部(SD)；和在第1方向(9Y方向)上并排的第1以及第2半导体部(8F、8S)，第1以及第2半导体部与晶种部相接，晶种部(SD)将第1方向(Y方向)设为长边方向，在主基板(1)与第1半导体部以及第2半导体部之间设置中空部(VD)。

公开(公告)号：CN116802349A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202180087388.1

申请日：2021-12-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  正木克明 ,  林雄一郎 ,  小林敏洋

IPC: C30B25/04

Abstract: 半导体基板具备基底基板、具有开口部及掩模部的掩模层、以及包括GaN系半导体的GaN系半导体层。GaN系半导体层具有：第一部分，其位于掩模部上；第二部分，位于开口部上，并且沿厚度方向切断GaN系半导体层的剖面中的非穿透位错的位错密度小于第一部分。