公开(公告)号：CN116783335A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180087640.9

申请日：2021-12-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  正木克明 ,  小林敏洋 ,  林雄一郎

IPC: C30B25/04

Abstract: 具备：异种基板(1)；具有开口部(KS)以及掩模部(5)的掩模层(6)；与开口部重叠的晶种部(3S)；和配置于晶种部上以及掩模部上的包含GaN系半导体的半导体层(8)，在半导体层的有效部(YS)的上表面包含在沿着开口部的宽度方向的第1方向上具有10μm的尺寸、在与第1方向正交的第2方向上具有10μm的尺寸的至少1个低缺陷区域(AL)，在低缺陷区域(AL)中，通过CL法没有测到线状缺陷。

公开(公告)号：CN117769613A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202280050905.2

申请日：2022-07-08

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  青木优太 ,  小林敏洋

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B25/18

Abstract: 模板基板具备：主基板，其包含硅，具有边缘；掩模，其位于比主基板更上方，具有开口部；晶种部，其在比主基板更上方位于开口部；和保护部，其在侧视观察下与边缘重叠，包含与镓不同的材料。

公开(公告)号：CN116941016A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280016192.8

申请日：2022-02-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  神川刚 ,  小林敏洋 ,  林雄一郎 ,  青木优太

IPC: H01L21/20

Abstract: 具备：支承基板(1)；掩模图案(6)，其位于比支承基板更上层，具有掩模部(5)；籽晶部(4)，其在比支承基板更上层配置成俯视观察下局部设置；和半导体部(8)，其在比掩模图案(6)更上层配置成与籽晶部(4)以及掩模部(5)相接，包含GaN系半导体。

公开(公告)号：CN120019476A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380071181.4

申请日：2023-10-19

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  小林敏洋 ,  须田升 ,  小仓广之 ,  清田满成

IPC: H01L21/205

Abstract: 具备：包含第1方向上并排的生长抑制区域以及第1籽晶区域的模板基板；和位于所述模板基板的上方且包含氮化物半导体的第1半导体部，所述第1半导体部具有：从所述第1籽晶区域来到比所述生长抑制区域更上侧的位置的第1隆起部；与所述第1隆起部相接的生长抑制膜；位于所述第1隆起部的上方的第1基部；和与所述第1基部相连、与所述生长抑制区域分离且位于空隙上的第1翼部。

公开(公告)号：CN117321257A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280026769.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小林敏洋 ,  神川刚 ,  青木优太 ,  林雄一郎

IPC: C30B29/38

Abstract: 半导体基板具备：主基板；位于比所述主基板更上方且包含掩模部的掩模图案；和位于比掩模图案更上方且相邻的第1半导体部以及第2半导体部，第1半导体部具有：位于掩模部上的第1下方边缘；和比第1下方边缘更向第2半导体部侧伸出的第1伸出部。

公开(公告)号：CN117121161A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280028160.X

申请日：2022-04-14

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  神川刚 ,  小林敏洋 ,  林雄一郎 ,  谷口祐基 ,  青木优太

IPC: H01L21/20

Abstract: 具备：主基板；位于比主基板更上方的晶种部(SD)；和在第1方向(9Y方向)上并排的第1以及第2半导体部(8F、8S)，第1以及第2半导体部与晶种部相接，晶种部(SD)将第1方向(Y方向)设为长边方向，在主基板(1)与第1半导体部以及第2半导体部之间设置中空部(VD)。

公开(公告)号：CN116802349A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202180087388.1

申请日：2021-12-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  正木克明 ,  林雄一郎 ,  小林敏洋

IPC: C30B25/04

Abstract: 半导体基板具备基底基板、具有开口部及掩模部的掩模层、以及包括GaN系半导体的GaN系半导体层。GaN系半导体层具有：第一部分，其位于掩模部上；第二部分，位于开口部上，并且沿厚度方向切断GaN系半导体层的剖面中的非穿透位错的位错密度小于第一部分。