公开(公告)号：CN116034436A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180053966.X

申请日：2021-09-01

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 池田丰 ,  西园和博 ,  大西弘二

IPC: G16H20/00

Abstract: 能通过信息处理装置来生成对用户而言期望的信息，该信息处理装置具备：测定结果取得部，取得使用测定装置来测定对象者的检体的测定结果；历史记录取得部，取得与对象者相关的历史记录；和提示信息生成部，使用对象者的测定结果、对象者的历史记录、对其他人的检体进行测定的测定结果以及与其他人相关的历史记录，来生成对对象者提示的信息。

公开(公告)号：CN102484176A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080040200.X

申请日：2010-09-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  川口义之 ,  西园和博

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明的一实施方式的发光元件具备：按顺序层叠有第一半导体层(2a)、发光层(2b)及第二半导体层(2c)的光半导体层(2)；与第一半导体层(2a)电连接的第一电极层(3)；与第二半导体层(2c)电连接的第二电极层(7)。另外，第二电极层(7)具有位于第二半导体层(2c)上的导电反射层(4)及位于导电反射层(4)上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔(6)的导电层(5)。本发明的发光元件的制造方法具有：准备光半导体层(2)和按顺序层叠有第一金属层(21)及熔点比第一金属层(21)的氧化物高的第二金属层(22)的层叠体(30)的工序；在第二金属层(22)上形成贯通厚度方向的多个贯通孔(6)的工序。而且，本发明的发光元件的制造方法还具备：之后在比第一金属层(21)的氧化物的熔点高且比第一金属层(21)的熔点及第二金属层(22)的熔点的任何一方都低的温度下对层叠体(30)进行加热，将光半导体层(2)与第一金属层(21)的界面区域氧化的工序。

公开(公告)号：CN101816077A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880109928.6

申请日：2008-11-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 川口义之 ,  西园和博

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种提高光取出效率且可抑制整个光取出面的发光强度分布不均匀的发光元件。发光元件具备：半导体层叠体，其具有n型半导体层和发光层及p型半导体层；电极焊盘，其与p型半导体层连接。半导体层叠体在其主面中的、在来自发光层的光被射出的主面具有多个突起。而且，半导体层叠体的所述主面具有位于电极焊盘附近的第一区域、和比第一区域更远离电极焊盘的第二区域，突起间隔在第二区域比在第一区域小。

公开(公告)号：CN115298551A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021193.7

申请日：2021-01-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西园和博 ,  大西弘二 ,  池田丰

IPC: G01N35/02

Abstract: 一种检查系统、卡盒、检查方法以及检查装置，包括卡盒未使用的情况在内，通过简单的结构来判定卡盒适当与否。检查系统(1)包括被赋予了识别信息的卡盒(2)、以及进行所述识别信息的取得以及检查的检查装置(3)，检查系统(1)基于所述识别信息进行与所述卡盒的适当与否相关的判定，并根据所述判定的结果来控制所述检查装置的动作。

公开(公告)号：CN102484176B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201080040200.X

申请日：2010-09-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  川口义之 ,  西园和博

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明的一实施方式的发光元件具备：按顺序层叠有第一半导体层(2a)、发光层(2b)及第二半导体层(2c)的光半导体层(2)；与第一半导体层(2a)电连接的第一电极层(3)；与第二半导体层(2c)电连接的第二电极层(7)。另外，第二电极层(7)具有位于第二半导体层(2c)上的导电反射层(4)及位于导电反射层(4)上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔(6)的导电层(5)。本发明的发光元件的制造方法具有：准备光半导体层(2)和按顺序层叠有第一金属层(21)及熔点比第一金属层(21)的氧化物高的第二金属层(22)的层叠体(30)的工序；在第二金属层(22)上形成贯通厚度方向的多个贯通孔(6)的工序。而且，本发明的发光元件的制造方法还具备：之后在比第一金属层(21)的氧化物的熔点高且比第一金属层(21)的熔点及第二金属层(22)的熔点的任何一方都低的温度下对层叠体(30)进行加热，将光半导体层(2)与第一金属层(21)的界面区域氧化的工序。

公开(公告)号：CN101816077B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200880109928.6

申请日：2008-11-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 川口义之 ,  西园和博

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种提高光取出效率且可抑制整个光取出面的发光强度分布不均匀的发光元件。发光元件具备：半导体层叠体，其具有n型半导体层和发光层及p型半导体层；电极焊盘，其与p型半导体层连接。半导体层叠体在其主面中的、在来自发光层的光被射出的主面具有多个突起。而且，半导体层叠体的所述主面具有位于电极焊盘附近的第一区域、和比第一区域更远离电极焊盘的第二区域，突起间隔在第二区域比在第一区域小。