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公开(公告)号：CN119816011A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411410939.5
申请日：2024-10-10
Abstract: 本发明提供能够形成晶体质量良好的III族氮化物半导体的III族氮化物半导体的制造方法。III族氮化物半导体的制造方法具有：氨处理工序，向由蓝宝石构成的基板10的表面供给包含氨的气体；热清洁工序，在氨处理工序之后，在以氢为主的气氛中对基板10的表面进行热处理；氮化处理工序，在热清洁工序之后，向基板10的表面供给包含氨的气体，对基板的表面进行氮化；以及晶核层形成工序，在氮化处理工序之后，在基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11。
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公开(公告)号：CN118676275A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410298409.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制发光效率的降低的发光元件。由III族氮化物半导体构成，具有：基板；设置在基板上且由n型的III族氮化物半导体构成的n层；设置在n层上且具有规定发光波长的第1活性层；设置在第1活性层上且由包含In的III族氮化物半导体构成的中间层；设置在中间层上且发光波长与第1活性层不同的第2活性层；设置在第2活性层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1电子阻挡层；从第1电子阻挡层侧到达中间层的深度的凹槽；设置在第1电子阻挡层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1p层；设置在槽底面露出的中间层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第2p层；第1p层和第2p层包括第2电子阻挡层和设置在第2电子阻挡层上的第1接触层。
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公开(公告)号：CN103682002B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310381669.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。具体地，本发明提供一种其中发光层中的应变得以松弛以实现高发光效率的第III族氮化物半导体器件以及用于制造该器件的方法。本发明的发光器件具有衬底、低温缓冲层、n型接触层、第一ESD层、第二ESD层、n侧超晶格层、发光层、p侧超晶格层、p型接触层、n型电极N1、p型电极P1和钝化膜F1。第二ESD层具有平均凹坑直径D的凹坑。平均凹坑直径D为至包括在n侧超晶格层中的InGaN层的厚度满足以下条件：-0.029×D+82.8≤Y≤-0.029×D+102.8。
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公开(公告)号：CN102479900B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110375547.6
申请日：2011-11-23
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L33/16 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供制造包括其主表面为非极性面的第III族氮化物半导体层的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该方法实现光提取性能改善而未引起第III族氮化物半导体层结晶度劣化。在该制造方法中，在蓝宝石衬底上表面上形成第一条纹图案凹凸，使得以特定间距周期性设置平行于x-轴方向(蓝宝石衬底c-轴方向)的第一凹槽。然后在蓝宝石衬底上表面上的第一条纹图案凹凸的整个表面上形成绝缘膜。然后形成第二条纹图案凹凸，使得以特定间距周期性设置并平行于与x-轴方向正交的y-轴方向的各自具有平坦下表面的第二凹槽。通过MOCVD在蓝宝石衬底各第二凹槽侧表面上生长GaN晶体，以在蓝宝石衬底上形成m-面GaN基础层。在基础层上形成LED器件结构，以制造发光器件。
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公开(公告)号：CN103681993A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310381676.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/14
Abstract: 本发明提供用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在该方法中p型覆层具有均一的Mg浓度。p型覆层具有其中交替和重复地沉积AlGaN和InGaN的超晶格结构，并且在其中Mg掺杂剂气体的供给量不同的前过程和后过程的两个阶段中形成。在后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是前过程中的一半或更少。在前过程中的第一p型覆层的厚度为是p型覆层的60%或更少，并且为或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738329A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086827.X
申请日：2012-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下表现出改进的发射性能的第III族氮化物半导体发光器件。该第III族氮化物半导体发光器件至少包括n型层侧包覆层、具有包括AlxGa1-xN(0＜x＜1)层作为势垒层的多量子结构的发光层以及p型层侧包覆层，其中，每个层由第III族氮化物半导体形成。在发光层从n型层侧包覆层到p型层侧包覆层沿着厚度方向分为第一块、第二块和第三块这三个块的情况下，第一块和第三块中的势垒层的数量相同，并且，每个发光层的Al组成比被设置成满足关系式x+z＝2y且z＜x，其中，x表示第一块中的势垒层的平均Al组成比，y表示第二块中的势垒层的平均Al组成比，z表示第三块中的势垒层的平均Al组成比。
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公开(公告)号：CN102077370A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124817.7
申请日：2009-09-17
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的目的是改善多量子阱结构的III族氮化物基化合物半导体发光器件的光提取效率。所述器件包括多量子阱结构，所述多量子阱结构包括阱层，其包括组成中至少具有In的半导体；保护层，其包括组成中至少具有Al和Ga的半导体，其带隙大于所述阱层的带隙，并且其接触并形成在所述阱层的正电极侧上。所述器件还包括势垒层，其带隙大于所述阱层的带隙并且小于所述保护层的带隙，并且其接触并形成在所述保护层的正电极侧上；和所述阱层、所述保护层和所述势垒层的周期性结构。
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公开(公告)号：CN101883881A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200980101248.4
申请日：2009-01-27
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。
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公开(公告)号：CN101800170A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910265539.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/12 , C30B25/18
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/045
Abstract: 提供制造第III族氮化物半导体的方法，包括：通过蚀刻在生长衬底的表面中形成凹槽；通过溅射在生长衬底的形成凹槽的表面上形成缓冲膜；在包含氢和氨的气氛中将衬底加热至目标第III族氮化物半导体生长温度；和在生长温度下在凹槽侧表面上外延生长第III族氮化物半导体。调节缓冲膜厚度或者生长温度，使第III族氮化物半导体主要在凹槽侧表面上沿与生长衬底主表面平行的方向生长。缓冲膜的厚度调节为小于用于在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长第III族氮化物半导体的缓冲膜的厚度。生长温度调节为低于第III族氮化物半导体在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长的温度，优选为1020～1100℃。所用缓冲膜为或者更薄的AlN膜。
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公开(公告)号：CN117174794A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310644954.5
申请日：2023-06-01
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明涉及发光元件。第一中间层为设置于第一活性层上的半导体层，位于第一活性层与第二活性层之间。第一中间层为从第一活性层侧起依次层叠非掺杂层、n型层而成的结构。第二中间层为设置于第二活性层上的半导体层，位于第二活性层与第三活性层之间。第二中间层为从第二活性层侧起依次层叠非掺杂层、n型层而成的结构。
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