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公开(公告)号：CN111721469A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010570563.X
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于正、负电阻温度系数的高灵敏度微型皮拉尼计的结构及制作方法，属于微电子机械系统领域。其结构特征在于微型皮拉尼计采用两个正电阻温度系数加热器(1)作为惠斯通全桥电路一对对边，两个负电阻温度系数加热器(2)作为另一对对边。微型皮拉尼计工作时，在惠斯通电桥的一对对边加载恒定直流电压，正电阻温度系数加热器(1)和负电阻温度系数加热器(2)温度升高，阻值分别增加和下降。腔体内真空度不同，阻值变化量不同，从惠斯通电桥另一对角输出的电压也相应发生改变，通过测量惠斯通电桥的输出电压可反映出封装腔体内的真空度。本发明所涉及的微型皮拉尼计有以下优点：测量灵敏度高，可检测的最小压力和漏率低。
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公开(公告)号：CN108931321B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810641917.8
申请日：2018-06-21
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明涉及一种梁‑岛‑膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法。本发明的目的是提供一种梁‑岛‑膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法。本发明的技术方案是：一种梁‑岛‑膜一体化谐振式压力传感器结构，具有谐振梁、感压膜片和位于感压膜片上的两个硅岛，所述谐振梁悬置于两个硅岛之间，该谐振梁上形成有激励电阻和压敏电阻；所述感压膜片、硅岛和谐振梁由一块(100)面硅片经各向异性腐蚀液腐蚀后形成；硅片在各向异性腐蚀液中腐蚀形成感压膜片和硅岛的同时，从(111)面腐蚀谐振梁下方的硅释放沿 晶向的谐振梁，获得一体化的梁岛膜结构；所述硅片的电阻率小于0.1Ω.cm，掺杂浓度小于自停止腐蚀浓度。本发明适用于微电子机械系统(MEMS)领域。
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公开(公告)号：CN106385239B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610813228.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种增益可调的CMOS宽带低噪声放大器，包括主增益级电路、输入阻抗匹配电路、增益控制级电路以及反馈电容单元。本发明通过控制尾电流源的导通产生可编程的电压，该编程电压加在主增益级电路共栅管的栅极，改变了该共栅管的跨导，进一步改变共源管的栅源电压，使得共源管的跨导改变，这样输入级的共源共栅管的跨导和产生了变化，最终改变了输入匹配以产生不同的放大增益，同时引入输出到输入的反馈电容，来补偿不同调节电压时的输入匹配，通过合理的规划编程电压和反馈电容，可以实现宽带匹配和低噪声放大器的精确增益步进。
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公开(公告)号：CN117342520A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311492604.8
申请日：2023-11-03
Applicant: 中国计量大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本文发明公开了一种各向异性湿法腐蚀邻近凸角的保护技术，其特征在于：采用 晶向对称分支补偿邻近凸角，并将两个相邻的分支连接起来，形成一个两端固支分支(4)。另外2个 晶向自由分支(3)的一端固支在转弯处，另一端自由。各向异性腐蚀液首先沿自由端底切 晶向自由分支(3)，与此同时横向底切 晶向两端固支分支(4)。然后底切 晶向主干(2)，并无掩膜腐蚀 晶向两端固支分支(4)下面的硅楔(5)，最后留下保护完好的芯片凸角(1)。这种凸角保护图形占用面积小，避免 晶向补偿条及其分支的重叠或者交叉，从而获得理想的补偿效果。
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公开(公告)号：CN111458560A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010330099.7
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01R19/22
Abstract: 本发明公开了一种基于多元薄膜热电变换器的高精度电压表的系统构成及工作机理，属于微电子机械系统领域。其结构特征在于高精度电压表由多元薄膜热电变换器(1)、滤波电路1(2)和2(3)、线性化电路1(4)和2(5)、差分放大电路(6)、PI校正电路(7)、直流电压表(8)组成。多元薄膜热电变换器(1)由材料和结构相同的加热电阻1(9)、2(10)和热电堆1(11)、2(12)组成。当有交流信号输入到加热电阻1(9)上时，形成温差电动势，通过闭环反馈电路改变加载在加热电阻2(10)上的反馈电压，直到差分放大电路(6)输出信号为0，此时直流电压表测量的反馈信号就是输入交流信号的有效值。这种高精度电压表采用热电变换的方法测量交流信号，适合测量各种波形交流电压信号，并具有很高的准确度和工作频率范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108828297A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811034499.2
申请日：2018-08-27
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01R19/03
CPC classification number: G01R19/03
Abstract: 本发明公开了一种基于谐振式薄膜热电变换器的高精度电压/电流表，属于微电子机械系统领域。其结构特征在于高精度电压/电流表由量程选择开关(2)、分压器(3)或分流器(9)、薄膜热电变换器(1)、闭环自激/检测电路1(4)和2(5)、差频电路(6)、频率-电压转换电路(7)或频率-电流转换电路(10)、直流电压表(8)或直流电流表(11)组成。当有交流信号施加在加热电阻1上时改变微桥谐振器1的谐振频率，通过闭环反馈电路改变加载在加热电阻2上的反馈电压，直到差频电路(6)输出信号为0，此时直流电表测量的反馈信号就是输入交流信号的有效值。这种高精度电压/电流表采用热电变换的方法测量交流信号，具有很高的准确度。
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公开(公告)号：CN106526229A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610971269.3
申请日：2016-11-03
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01P15/08
CPC classification number: G01P15/0894
Abstract: 本发明公开了一种低横向灵敏度隧道电流式加速度计的结构及制作方法，属于微电子机械系统领域。所述的低横向灵敏度隧道电流式加速度计由主芯片(1)、上盖板(2)和下底板(3)组成。其中主芯片(1)由质量块(4)、支撑梁(5)、引线桥组成。支撑梁(5)的一端固支在质量块(4)侧面，另一端固支在框架(9)内侧。支撑梁(5)的中轴线与质量块(4)的重心在同一平面。隧道针尖(10)及其隧道针尖电极(11)、控制电极上电极(12)制作在上盖板(2)下表面。下底板(3)上表面正对质量块(4)区域的硅被除去，形成凹坑(13)，为质量块(4)受到Z轴加速度在垂直芯片表面的运动提供活动空间。本发明方法制作的隧道电流式加速度计具有高分辨率和低横向灵敏度的优点。(6)、隧道电极(7)、控制电极下电极(8)、框架(9)
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公开(公告)号：CN109239399A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811034602.3
申请日：2018-08-27
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01P15/097
Abstract: 本发明公开了一种基于双股叉型谐振梁的谐振式加速度计的结构、制作方法及工作原理，属于微电子机械系统领域。其结构特征在于谐振式加速度计由双股叉型谐振梁(1)、激励电阻(2)、压敏电阻(3)、蟹腿型支撑梁(4)、质量块(5)、框架(6)、金属内引线(7)组成，质量块(5)的重心位于蟹腿型支撑梁(4)的中性面内。本传感器在检测原理方面的特征在于在平行于芯片表面的加速度作用下，双股叉型谐振梁(1)的轴向应力变化，从而改变其谐振频率，通过检测谐振频率的变化就可以得到加速度的大小和方向。相对于双端固支直梁谐振器，基于双股叉型谐振梁的谐振式加速度计具有更大的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN108008150A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711162951.9
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种低交叉轴灵敏度压阻式加速度计的结构及制作方法，属于微电子机械系统领域。低交叉轴灵敏度压阻式加速度计由一个质量块(1)、八个支撑梁(2)、四个传感梁(3)和框架(4)组成。质量块(1)的重心位于支撑梁(2)的中性面内。传感梁(3)的上表面位于芯片表面以便于在其表面制作压敏电阻(5)。传感梁(3)的厚度远小于支撑梁(2)的厚度。在垂直芯片表面的Z轴加速度作用下，质量块(1)在Z轴方向运动带动传感梁(3)一起运动，通过压敏电阻(5)检测传感梁(3)的应变，从而得到Z轴加速度的大小。由于质量块(1)的重心位于支撑梁(2)的中性面内，在芯片表面内X轴或Y轴加速度作用下质量块(1)的偏转角度很小，从而具有较小的交叉轴灵敏度。
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公开(公告)号：CN106435478A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610541355.0
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/185 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开了一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法。所使用靶材的组成及重量百分比为：Ni 45wt％，Cr 50wt％，Si 5wt％。溅射前对腔室抽真空至5×10-4Pa以下，通入氩气，调节工作气压在0.2～0.6Pa范围内，采用射频磁控溅射法淀积镍铬硅薄膜，射频功率控制在140～160W范围内，溅射的镍铬硅薄膜厚度控制在60-80nm范围内。溅射完成后，在真空、惰性气体或氮气环境中对薄膜进行退火处理，退火温度控制在440～460℃范围内，退火时间控制在25～35分钟范围内。利用本发明所涉及的低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法制备的镍铬硅薄膜在0～125℃温度范围内的电阻温度系数小于±2ppm/℃。
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