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公开(公告)号：CN106526229A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610971269.3
申请日：2016-11-03
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01P15/08
CPC classification number: G01P15/0894
Abstract: 本发明公开了一种低横向灵敏度隧道电流式加速度计的结构及制作方法，属于微电子机械系统领域。所述的低横向灵敏度隧道电流式加速度计由主芯片(1)、上盖板(2)和下底板(3)组成。其中主芯片(1)由质量块(4)、支撑梁(5)、引线桥组成。支撑梁(5)的一端固支在质量块(4)侧面，另一端固支在框架(9)内侧。支撑梁(5)的中轴线与质量块(4)的重心在同一平面。隧道针尖(10)及其隧道针尖电极(11)、控制电极上电极(12)制作在上盖板(2)下表面。下底板(3)上表面正对质量块(4)区域的硅被除去，形成凹坑(13)，为质量块(4)受到Z轴加速度在垂直芯片表面的运动提供活动空间。本发明方法制作的隧道电流式加速度计具有高分辨率和低横向灵敏度的优点。(6)、隧道电极(7)、控制电极下电极(8)、框架(9)
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公开(公告)号：CN108008150A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711162951.9
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种低交叉轴灵敏度压阻式加速度计的结构及制作方法，属于微电子机械系统领域。低交叉轴灵敏度压阻式加速度计由一个质量块(1)、八个支撑梁(2)、四个传感梁(3)和框架(4)组成。质量块(1)的重心位于支撑梁(2)的中性面内。传感梁(3)的上表面位于芯片表面以便于在其表面制作压敏电阻(5)。传感梁(3)的厚度远小于支撑梁(2)的厚度。在垂直芯片表面的Z轴加速度作用下，质量块(1)在Z轴方向运动带动传感梁(3)一起运动，通过压敏电阻(5)检测传感梁(3)的应变，从而得到Z轴加速度的大小。由于质量块(1)的重心位于支撑梁(2)的中性面内，在芯片表面内X轴或Y轴加速度作用下质量块(1)的偏转角度很小，从而具有较小的交叉轴灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106435478A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610541355.0
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/185 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开了一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法。所使用靶材的组成及重量百分比为：Ni 45wt％，Cr 50wt％，Si 5wt％。溅射前对腔室抽真空至5×10-4Pa以下，通入氩气，调节工作气压在0.2～0.6Pa范围内，采用射频磁控溅射法淀积镍铬硅薄膜，射频功率控制在140～160W范围内，溅射的镍铬硅薄膜厚度控制在60-80nm范围内。溅射完成后，在真空、惰性气体或氮气环境中对薄膜进行退火处理，退火温度控制在440～460℃范围内，退火时间控制在25～35分钟范围内。利用本发明所涉及的低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法制备的镍铬硅薄膜在0～125℃温度范围内的电阻温度系数小于±2ppm/℃。
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公开(公告)号：CN107265394B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201710572621.0
申请日：2017-07-10
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种悬空微结构的正面释放技术。以重掺杂硅片(1)作为衬底淀积组成微结构(2)的薄膜材料，然后光刻并刻蚀出腐蚀窗口(3)，最后在各向异性腐蚀液中正面腐蚀，在沿(100)面(4)纵向腐蚀的同时也沿(111)面(5)底切微结构(2)，使微结构(2)得以释放。上述悬空微结构(2)的正面释放技术具有不需要双面套准和光刻，占用芯片面积较小，悬空微结构(2)不会与衬底之间产生粘连，微结构(2)的设计不受晶向限制的优点。
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公开(公告)号：CN106449960A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610541376.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励/电容检测微桥谐振器的薄膜热电变换器的结构与制作方法。薄膜热电变换器由制作在同一硅片(1)上的加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)组成。加热电阻(2)通电后产生并辐射的热量引起双端固支梁(3)温度升高，进而改变双端固支梁(3)的轴向应力，最终使双端固支梁谐振频率的变化就可以测量出加载在加热电阻(2)上的输入电压或电流的大小。本发明所涉及的薄膜热电变换器具有以下优点：加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)制作在同一硅片(1)上，简化了器件封装工艺。(3)的谐振频率降低。通过测量双端固支梁(3)的
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公开(公告)号：CN106449960B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610541376.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励/电容检测微桥谐振器的薄膜热电变换器的结构与制作方法。薄膜热电变换器由制作在同一硅片(1)上的加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)组成。加热电阻(2)通电后产生并辐射的热量引起双端固支梁(3)温度升高，进而改变双端固支梁(3)的轴向应力，最终使双端固支梁(3)的谐振频率降低。通过测量双端固支梁(3)的谐振频率的变化就可以测量出加载在加热电阻(2)上的输入电压或电流的大小。本发明所涉及的薄膜热电变换器具有以下优点：加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)制作在同一硅片(1)上，简化了器件封装工艺。
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公开(公告)号：CN107265394A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710572621.0
申请日：2017-07-10
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种悬空微结构的正面释放技术。以重掺杂硅片(1)作为衬底淀积组成微结构(2)的薄膜材料，然后光刻并刻蚀出腐蚀窗口(3)，最后在各向异性腐蚀液中正面腐蚀，在沿(100)面(4)纵向腐蚀的同时也沿(111)面(5)底切微结构(2)，使微结构(2)得以释放。上述悬空微结构(2)的正面释放技术具有不需要双面套准和光刻，占用芯片面积较小，悬空微结构(2)不会与衬底之间产生粘连，微结构(2)的设计不受晶向限制的优点。
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