公开(公告)号：CN106449960B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201610541376.2

申请日：2016-07-01

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩建强 ,  张杰 ,  牛文举 ,  尹伊君 ,  程冰

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励/电容检测微桥谐振器的薄膜热电变换器的结构与制作方法。薄膜热电变换器由制作在同一硅片(1)上的加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)组成。加热电阻(2)通电后产生并辐射的热量引起双端固支梁(3)温度升高，进而改变双端固支梁(3)的轴向应力，最终使双端固支梁(3)的谐振频率降低。通过测量双端固支梁(3)的谐振频率的变化就可以测量出加载在加热电阻(2)上的输入电压或电流的大小。本发明所涉及的薄膜热电变换器具有以下优点：加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)制作在同一硅片(1)上，简化了器件封装工艺。

公开(公告)号：CN106449960A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610541376.2

申请日：2016-07-01

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩建强 ,  张杰 ,  牛文举 ,  尹伊君 ,  程冰

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励/电容检测微桥谐振器的薄膜热电变换器的结构与制作方法。薄膜热电变换器由制作在同一硅片(1)上的加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)组成。加热电阻(2)通电后产生并辐射的热量引起双端固支梁(3)温度升高，进而改变双端固支梁(3)的轴向应力，最终使双端固支梁谐振频率的变化就可以测量出加载在加热电阻(2)上的输入电压或电流的大小。本发明所涉及的薄膜热电变换器具有以下优点：加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)制作在同一硅片(1)上，简化了器件封装工艺。(3)的谐振频率降低。通过测量双端固支梁(3)的

公开(公告)号：CN106435478A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610541355.0

申请日：2016-07-01

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩建强 ,  尹伊君 ,  程冰 ,  牛文举

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明公开了一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法。所使用靶材的组成及重量百分比为：Ni 45wt％，Cr 50wt％，Si 5wt％。溅射前对腔室抽真空至5×10-4Pa以下，通入氩气，调节工作气压在0.2～0.6Pa范围内，采用射频磁控溅射法淀积镍铬硅薄膜，射频功率控制在140～160W范围内，溅射的镍铬硅薄膜厚度控制在60-80nm范围内。溅射完成后，在真空、惰性气体或氮气环境中对薄膜进行退火处理，退火温度控制在440～460℃范围内，退火时间控制在25～35分钟范围内。利用本发明所涉及的低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法制备的镍铬硅薄膜在0～125℃温度范围内的电阻温度系数小于±2ppm/℃。