公开(公告)号：CN117208843A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311193745.X

申请日：2023-09-07

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩建强 ,  张智超 ,  徐宇翔

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种腐蚀MEMS芯片分片槽时的凸角保护技术，其特征在于：在芯片凸角(3)处设置正方形掩膜(4)，采用2根平行的 晶向两端固支梁(5)将正方形掩膜(4)靠近纵向分片槽(1)和横向分片槽(2)中轴线交点的4个凸角连接起来，进行凸角补偿；其余8个凸角采用 晶向两端固支梁(5)、 晶向补偿条(6)进行凸角补偿。各向异性腐蚀液首先底切 晶向两端固支梁(5)和 晶向补偿条(6)。然后底切正方形掩膜(4)，与此同时无掩膜腐蚀 晶向两端固支梁(5)下面的硅楔(7)。最后留下保护完好的芯片凸角(3)。这种凸角保护图形占用面积小，减小了分片槽宽度。

公开(公告)号：CN117342520A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311492604.8

申请日：2023-11-03

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩建强 ,  徐宇翔 ,  张智超

IPC: B81C1/00

Abstract: 本文发明公开了一种各向异性湿法腐蚀邻近凸角的保护技术，其特征在于：采用 晶向对称分支补偿邻近凸角，并将两个相邻的分支连接起来，形成一个两端固支分支(4)。另外2个 晶向自由分支(3)的一端固支在转弯处，另一端自由。各向异性腐蚀液首先沿自由端底切 晶向自由分支(3)，与此同时横向底切 晶向两端固支分支(4)。然后底切 晶向主干(2)，并无掩膜腐蚀 晶向两端固支分支(4)下面的硅楔(5)，最后留下保护完好的芯片凸角(1)。这种凸角保护图形占用面积小，避免 晶向补偿条及其分支的重叠或者交叉，从而获得理想的补偿效果。