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公开(公告)号：CN114217199A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111503480.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，实现1/f噪声测试系统的测量电阻单元与变温室中待测样品的电气连接及噪声参数传递。本发明可以实现81K‑500K连续可调温度环境中的多种封装半导体器件的1/f噪声测试，用于半导体器件低频噪声测试及半导体器件缺陷的测试与分析。
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公开(公告)号：CN112214953A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011125626.7
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。
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公开(公告)号：CN118244076A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410279705.5
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种同批次商用VDMOS器件的总剂量辐射效应预估方法，主要解决现有的预估方法可能高估器件的抗辐射能力，而导致同批次内器件存在应用风险的技术问题。该方法包括以下步骤：准备样品；辐照前参数测试；挑选试验样品；总剂量辐照试验；辐照后参数测试；获取同批次器件辐照后的最大跨导值，进而预估同批次器件的总剂量辐射损伤程度。该方法的优势在于仅开展少量试验，即可预估总剂量辐照后同一批次大量器件的参数变化。
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公开(公告)号：CN113156302B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110273437.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
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公开(公告)号：CN114779035A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210390576.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方程数据的最佳拟合提取Ea步骤完成。本发明所述方法与其他方法相比优势为：低频噪声测试系统由通用分立仪器组成，不需要额外的系统定制，是相对容易实现的测试技术；该测试接口与半导体参数测试系统兼容，与半导体测试系统的软硬件可集成；该方法适用性更强，普遍适用于商用成品器件；噪声功率谱密度为大量噪声信号采样值的统计结果，具有更低的测试误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113484902A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110840125.5
申请日：2021-07-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法，该方法首先将辐射剂量传感器放置于高低温环境试验箱内，开展4个不同温度环境下的应力试验，利用半导体参数测试系统对辐射剂量传感器的输出转移特性曲线Ids‑Vgs进行在线测试，获得Ids‑Vgs曲线簇，并提取出辐射剂量传感器的零温度系数电流值Iztc。再利用电子电路基本原理建立恒流源电路模块为辐射剂量传感器提供恒流Iztc，使得PMOS剂量计温度效应受到抑制，从而保证PMOS剂量计辐射剂量的测量精度。该方法可提高用于探测空间电子元器件被辐照后经电离过程中产生的吸收剂量设备PMOS剂量计的测量精度，为航天器的设计、电子元器件及电子设备可靠性应用提供重要数据支撑，实用性强。
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公开(公告)号：CN104853117B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510305312.8
申请日：2015-06-06
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统，该系统使用Matlab读取采集的图像，并转化为像素灰度值的像素信号；对每个像素信号进行白噪声滤波得到像素信号；使用梯度检测法得到像素信号的梯度变化信号；通过阈值算法得到像素梯度信号噪声阈值，然后对梯度信号去噪；统计每个像素的梯度脉冲个数，并输出作为RTS噪声检测结果；对像素梯度信号每两个脉冲之间的信号求均值得到像素RTS噪声的平均暗电流基底；结合RTS噪声的平均暗电流基底和梯度脉冲信号得到重建的RTS噪声信号。该系统适用任意可见光图像传感器，可以自动实现RTS噪声检测和全参数分析，解决了目前RTS噪声检测提取困难，分析困难问题，更加深入的研究图像传感器的各种工艺和辐射产生缺陷。
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公开(公告)号：CN104853117A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510305312.8
申请日：2015-06-06
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统，该系统使用Matlab读取采集的图像，并转化为像素灰度值的像素信号；对每个像素信号进行白噪声滤波得到像素信号；使用梯度检测法得到像素信号的梯度变化信号；通过阈值算法得到像素梯度信号噪声阈值，然后对梯度信号去噪；统计每个像素的梯度脉冲个数，并输出作为RTS噪声检测结果；对像素梯度信号每两个脉冲之间的信号求均值得到像素RTS噪声的平均暗电流基底；结合RTS噪声的平均暗电流基底和梯度脉冲信号得到重建的RTS噪声信号。该系统适用任意可见光图像传感器，可以自动实现RTS噪声检测和全参数分析，解决了目前RTS噪声检测提取困难，分析困难问题，更加深入的研究图像传感器的各种工艺和辐射产生缺陷。
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公开(公告)号：CN113156301B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110273436.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
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公开(公告)号：CN115113012A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210816891.2
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率损伤增强（ELDRS）倾向的器件进行加速模拟试验，解决高剂量率模拟试验存在的过于低估器件抗辐射性能的问题，对于低剂量率损伤增强（ELDRS‑fre）免疫的器件进行高剂量率/注量率的辐照试验，避免加速模拟试验带来的过于高估器件抗辐射性能的问题，基于氢注入浓度和辐照剂量率的匹配关系，提取加速评估的试验条件，实现双极器件在复合环境下的加速评估，兼顾位移损伤效应和ELDRS效应。本发明所述方法可缩短试验周期、节约成本及提高器件抗辐射性能评估的可靠性。
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