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公开(公告)号：CN111008506B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911212779.2
申请日：2019-11-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/33 , G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种基于阈值电压类型匹配的6‑T存储单元抗总剂量加固方法，该方法包括晶体管总剂量辐照试验、建立晶体管辐射损伤与阈值电压类型映射关系、确定上拉PMOSFET阈值电压类型、确定下拉NMOSFET及传输NMOSFET阈值电压类型、电路仿真验证。该方法的理论基础是不同阈值电压类型晶体管的辐射损伤程度不同。该方法的优势在于无需改变制造工艺条件以及版图设计，实现6‑T存储单元低成本、高性能的抗总剂量加固。
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公开(公告)号：CN112214953B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011125626.7
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。
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公开(公告)号：CN112214953A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011125626.7
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。
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公开(公告)号：CN112214952B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011125363.X
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
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公开(公告)号：CN113568028A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110842992.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温循环应力和室温应力三组老炼试验；每组应力试验后，对受试样品的输出转移特性曲线或输出信号进行测试；最后，依据辐射剂量传感器的响应灵敏度，计算出允许的剂量响应参数漂移误差范围，以此判定每组应力试验后受试样品是否通过测试，测试合格的受试样品继续下一组的应力试验，三组应力试验都通过的样品判定为合格；本发明提供的一种对星用辐射剂量传感器进行老炼筛选的方法，在航天领域有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112379240A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011266943.0
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法，该方法采用基于商用SOI材料和加固SOI材料制作的晶体管作为试验样品；对基于商用材料和加固材料的试验样品开展相同条件下的总剂量辐照试验，提取辐射在氧化物埋层中引入的氧化物陷阱电荷密度；对加固材料制作的晶体管，开展热载流子注入试验，提取热载流子应力在氧化物埋层中引入的电子陷阱电荷密度；基于以上三种陷阱电荷密度，获得加固材料氧化物埋层的电子陷阱俘获系数。通过该俘获系数与热载流子应力试验，即可获得加固SOI材料的抗辐射性能。该方法的优势在于，通过少量辐照试验结合热载流子应力试验，即可快速获得同一批次加固SOI材料的抗总剂量辐射能力。
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公开(公告)号：CN111008506A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911212779.2
申请日：2019-11-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/33 , G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法，该方法包括晶体管总剂量辐照试验、建立晶体管辐射损伤与阈值电压类型映射关系、确定上拉PMOSFET阈值电压类型、确定下拉NMOSFET及传输NMOSFET阈值电压类型、电路仿真验证。该方法的理论基础是不同阈值电压类型晶体管的辐射损伤程度不同。该方法的优势在于无需改变制造工艺条件以及版图设计，实现6-T存储单元低成本、高性能的抗总剂量加固。
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公开(公告)号：CN110910946A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911212780.5
申请日：2019-11-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层-10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模块通过分析三维叠层封装SRAM器件各层翻转存储单元的相对位置，完成单粒子翻转的在轨甄别，该系统能够在轨甄别单粒子翻转，并获取导致单粒子翻转高能粒子的LET及入射角度信息。进而分析电子器件真实的在轨单粒子翻转率，这对于单粒子效应产生机理、评估方法及加固技术研究具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103971752A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410212545.9
申请日：2014-05-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明涉及一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统，该系统是由辐照电路模块、激励输出模块、数据处理模块、错误显示模块、写读控制模块、下载配置模块、精准电源和铅屏蔽室组成，本发明采用闪存作为数据载体，以现场可编程门阵列作为控制中心，使其能够脱离计算机而单独工作。通过铅室屏蔽的方法使其在辐射源里直接给静态随机存储器提供读操作和写操作所需的信号激励，模拟了静态随机存储器器件在空间辐射环境中工作的真实情况，对静态随机存储器的辐射损伤机理的深入研究具有重大意义。同时，根据要求更改输出端口信号的配置，使其适用于现有所有型号静态随机存储器器件的辐照实验。改善了现有组成结构复杂及系统的信号完整性差和操作麻烦的不足。
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公开(公告)号：CN103645430A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310724817.9
申请日：2013-12-23
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏感位置；在单粒子效应敏感位置附近选取更密集的入射点，开展单粒子效应半导体器件数值仿真，精确定位锗硅异质结双极晶体管单粒子效应敏感区域和大小。该方法具有理论定量分析单粒子损伤效应、缩短考核时间和降低试验成本等优势。
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