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公开(公告)号：CN115864130A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211429939.0
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器，包括衬底、增益层、限制隔离层、电隔离层、上电极层和下电极层。衬底的顶部设置有凹槽；增益层包括自下而上依次层叠的下包层、有源层、上包层和接触层。下包层设置于凹槽内，适用于光限制以及电子注入；有源层适用于载流子复合发光；上包层适用于光限制以及空穴注入；接触层位于上包层上。限制隔离层包括限制层和隔离填充层：限制层位于增益层的两侧或一侧，适用于产生等离子激元限制光场的区域；隔离填充层形成在增益层的两侧；电隔离层形成在限制隔离层上，且位于接触层的外围；上电极层形成在电隔离层上并与接触层电连接；下电极层位于衬底的未被限制隔离层覆盖的区域，能够将光限制在增益层侧边的限制层处，具有高限制、低损耗和高增益的效果。
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公开(公告)号：CN108754525B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810497411.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 河北工业大学 , 中国科学院半导体研究所 , 邯郸学院
Abstract: 本发明公开了一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法，所述光电极包括导电基底、锆钛酸铅薄膜以及二者之间的金膜，该电极在1.0V(vs.Ag/AgCl)的电压条件下光电流密度可达200μA/cm2。其制备方法为：将基底清洗后蒸镀金膜，在金膜上旋涂锆钛酸铅膜，经退火、煅烧和封装即得所述电极，制备工艺简单，成本低，所得的薄膜均匀性好，具有良好的可见光吸收性能，且稳定性和光电转换效率较之前的工艺也有明显提高。
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公开(公告)号：CN106544638B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201611136315.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种拼装型掩模板装置，包括若干掩模板、样品框架、掩模板压板、样品盖板、样品夹和样品压条，各部件可以通过螺丝、胶带、胶水或磁力等方式拼装连接到一起。本发明可以实现掩模板装置交叉重复使用，提高了设计和制作的灵活性。本掩模板装置能够实现高质量图形化薄膜的制备，同时本掩模板装置还可以适用于无规则形状样品以及不同沉积朝向的设备。
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公开(公告)号：CN108754525A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810497411.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 河北工业大学 , 中国科学院半导体研究所 , 邯郸学院
Abstract: 本发明公开了一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法，所述光电极包括导电基底、锆钛酸铅薄膜以及二者之间的金膜，该电极在1.0V(vs.Ag/AgCl)的电压条件下光电流密度可达200μA/cm2。其制备方法为：将基底清洗后蒸镀金膜，在金膜上旋涂锆钛酸铅膜，经退火、煅烧和封装即得所述电极，制备工艺简单，成本低，所得的薄膜均匀性好，具有良好的可见光吸收性能，且稳定性和光电转换效率较之前的工艺也有明显提高。
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公开(公告)号：CN105967139A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610317925.8
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00087
Abstract: 本发明公开了一种在硅基体上刻蚀孔洞的方法，包括以下步骤：在硅基体上镀上一层银膜；将镀有银膜的硅基体进行退火处理得到具有银颗粒表面的硅基体；将具有银颗粒表面的硅基体进行金属辅助化学刻蚀；利用硝酸溶液去除银颗粒。还提供含孔洞的硅基体以及基于该硅基体的半导体器件。制备的微纳孔洞结构可以在硅发光器件，太阳能电池，传感器等领域得到诸多应用，能够具有优异的电学性能和机械性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241850A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063705.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/266
Abstract: 一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤1.取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤2.把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离子；步骤3.将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4.在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5.在分子束外延设备中沉积InAs量子点，通过应力调制的作用，量子点会优先成核在离子注入的区域，完成量子点的制备。
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公开(公告)号：CN119726348A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410919782.2
申请日：2024-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/16
Abstract: 本发明提供一种近红外钙钛矿激光器及其制备方法。近红外钙钛矿激光器包括：衬底；钙钛矿增益介质层，置于衬底上，钙钛矿增益介质层上形成有微晶结构，微晶结构为钙钛矿增益介质层的谐振腔。本发明提供的近红外钙钛矿激光器无需采用外加谐振腔，即可在室温下实现光泵浦下的激射，大大简化了器件结构，提高了激光器的可集成性；通过组分和制备工艺的调控，可以实现激射峰的调节，且调节精度高，可满足多个波长的使用需求；可以采用全溶液法制备，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN114984992A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210572326.6
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01J27/24 , C01B3/04 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本公开提供一种铯掺杂的氮化碳光催化剂的制备方法，包括：S1，将乙酸铯与含氮有机化合物加入乙醇溶液中溶解；S2，加热搅拌，将乙醇溶液蒸干，得到混合粉末；S3，将混合粉末置于带盖的氧化铝坩埚中，并在马弗炉中进行第一次热处理，得到铯掺杂的氮化碳块体；S4，将铯掺杂的氮化碳块体进行研磨，并在马弗炉中进行第二次热处理，得到铯掺杂的氮化碳光催化剂。本公开的制备方法采用乙酸铯制备铯掺杂氮化碳，具有步骤简单，成本低，产率高等优点；且与其他金属盐相比，只需要极少量的乙酸铯即可达到掺杂的目的，实现对氮化碳的活化，并提高光催化性能。
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公开(公告)号：CN114284864A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111618575.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种电声调谐等离激元激光器及其制备方法，电声调谐等离激元激光器包括压电晶体、金属光栅、纳米线以及金属电极。压电晶体压电晶体的上端面有一压电形变面；金属光栅设于压电形变面，金属光栅包括多条间隔设置的金属条纹；纳米线设于金属光栅的上端面上，纳米线的延伸方向与金属条纹的延伸方向呈相互垂直设置，与金属光栅上端面紧密贴合；金属电极设于压电晶体的侧壁面上。在本公开提供的技术方案中，激光器体积小，调谐频率高，具有多种调谐方式，发光端面小，腔长远小于传统分布反馈(DFB)激光器，连续调谐频率可达40MHz等优点，尤其实现了声光电的一体化耦合，具有深厚的研究价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111952459A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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