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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952459B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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公开(公告)号：CN111952459A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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公开(公告)号：CN111952458A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860332.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种曲面异质结太阳电池及其制作方法，该曲面异质结太阳电池包括衬底；银纳米颗粒阵列，设置在衬底上；曲面金属膜，设置在银纳米颗粒阵列上，作为陷光结构及电荷收集电极；第一载流子传输层，设置在曲面金属膜上；吸光层，设置在第一载流子传输层上；第二载流子传输层，设置在吸光层上；以及电极，设置在第二载流子传输层上。本发明曲面异质结构具有陷光效果，能够提升吸光层光吸收效率；曲面结构相对于尖锐陷光结构不易在薄膜中引入缺陷；曲面结构有利于降低吸光层厚度，增加异质结界面面积，从而提高电荷传输效率。
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公开(公告)号：CN113054108A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110253022.9
申请日：2021-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种有机太阳能电池及其制备方法，该有机太阳能电池包括：有源层，包括给体、第一受体及第二受体，所述给体、第一受体及第二受体形成级联能级排列结构，其中，所述给体为聚合物给体，所述第一受体及第二受体均为非富勒烯受体。该有机太阳能电池电荷传输路径被扩充，有利于提高电荷传输效率，从而提高器件的光电转换效率。并且，由于非富勒烯受体的掺入提高了有源层的疏水性能，减缓水分子对有源层的渗透，从而提高有机太阳能电池光电转换的稳定性。
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公开(公告)号：CN111952377A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860333.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法，该曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池包括硅下电池；曲面陷光结构，设置在硅下电池上；载流子复合层，设置在曲面陷光结构上；钙钛矿上电池，设置在载流子复合层上；透明电极，设置在钙钛矿上电池上；以及金属电极，设置在透明电极上。本发明曲面陷光结构不存在锐利的凸起和凹陷结构，不容易导致薄膜中缺陷态的产生；曲面陷光结构相对于尖锐型陷光结构更容易形成均匀、保形、连续的薄膜，因此更利于器件工艺的简化以及大面积扩展。
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