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公开(公告)号：CN103001694B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210579519.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/07 , H04B10/116
Abstract: 本发明提供了一种测试可见光通信系统中光源性能的装置。该装置包括：发射端组件，用于将电信号施加至被测试光源，生成发射角度可变的可见光测试信号；接收端组件，用于接收光测试信号，进行不同光通量条件下的被测试光源的性能测试。本发明能够测试光源在不同光通量条件下的性能。
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公开(公告)号：CN103807647A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410049737.2
申请日：2014-02-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21S2/00 , F21V13/02 , F21V29/02 , F21Y101/02
Abstract: 一种LED准朗伯面光源，包括：一带散热风扇挤压铝型材散热板；一驱动电路，所述带散热风扇挤压铝型材散热板位于LED恒流驱动电路上面；一LED阵列，其与LED恒流驱动电路电性连接，位于LED恒流驱动电路之上；一光学色散补偿膜，其位于LED阵列之上；一光学扩散板，其位于光学色散补偿膜之上，并与光学色散补偿膜贴合。本发明可以产生可见波段内可调的面光源。因LED的高可靠性及高稳定性，该面光源可用作标准测量装置中的标准光源。
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公开(公告)号：CN102610715B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210093601.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN103528802A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310529305.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法，包括如下步骤：制作多个氮化物LED测试样品，使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层；从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面，在该台面上蒸镀上n电极，在ITO层表面蒸镀p电极，在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层，在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔；计算测试样品的光提取效率；利用积分球测量各测试样品，获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率；通过光功率计算测试样品的外量子效率，并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。
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公开(公告)号：CN102623606A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093368.8
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/42
Abstract: 一种银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管，其中包括：一衬底；一外延层，制作在衬底上面，该外延层为台阶状，其的一侧形成有一台面，该外延层用以受激，发光，电注入；一纳米薄膜，生长在外延层上，用于做电流扩展层；一二氧化硅层，制作在外延层和纳米薄膜靠近台面的一端，并覆盖部分纳米薄膜的上表面；一P电极，制作在纳米薄膜上；一n电极，制作在外延层上的台面上。该方法具有工艺简单，操作方便，高效率等特点，同时还能够代替现有的ITO(氧化铟锡)作为LED新型的透明电极。本发明不但可以降低成本，同时还能实现大面积，工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102623588A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093564.5
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN102610715A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210093601.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN112002788A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010918413.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物基分布式布拉格反射镜及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次形成缓冲层、多组叠层结构，每组叠层结构分别为由n型掺杂氮化物层和非故意掺杂氮化物层以固定厚度交替生长而形成的多周期性结构，且各组所述叠层结构之间的周期厚度不同；将所得结构表面沉积或生长一层保护层；自保护层沿着朝向衬底的方向刻蚀直至多组叠层结构的侧壁完全暴露；将所得结构作为阳极进行电化学腐蚀，n型掺杂氮化物层被腐蚀成多孔层，第一非故意掺杂氮化物层不会被腐蚀而成为无孔层，然后去除保护层后得到分布式布拉格反射镜(DBR)。本发明可实现III族氮化物基DBR高反射率和宽反射带宽和波长范围的调控，方法简单且易操作。
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公开(公告)号：CN111785818A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010666456.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/00 , H01L23/367 , H01S5/024 , H01S5/20 , H01S5/22 , G02B6/122
Abstract: 一种基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用，该GaN基波导器件包括衬底；缓冲层，设置在衬底上；电流扩展层，设置在缓冲层上；多孔下包层，设置在电流扩展层上，用于降低光场向衬底方向的泄露；以及波导芯层，设置在多孔下包层上。本发明与现有大多数GaN基波导不同，本发明采用了多孔下包层，由于多孔材料能提供比单层AlGaN下包层更大的折射率差，该结构对传输的光场模式有更好的限制作用，从而降低光场向衬底方向的泄露。
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公开(公告)号：CN107135570A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710252486.1
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B33/08 , H04B10/116 , H04B10/50
CPC classification number: Y02B20/343 , H05B33/08 , H04B10/116 , H04B10/502
Abstract: 一种调制带宽可调的可见光通信LED光源，包括：一可见光通信用的LED器件、一隔直流电容和一可调电阻；其中隔直流电容与可调电阻串联，隔直流电容和可调电阻与LED器件并联，所述LED器件的正极和隔直流电容的一端为输入端，所述LED器件的负极和可调电阻的一端为输出端。本发明可以适应不同带宽、不同阻抗特性的LED器件，改善可见光通信光源在极端环境下的通信质量。
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