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公开(公告)号：CN1787233A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410009993.5
申请日：2004-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种集成太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：采用多次刻蚀、镀膜及合金工艺将太阳电池外延片分隔成多个单元；步骤4：连线、封装，将多个分隔的单元电池制成集成化太阳电池芯片。
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公开(公告)号：CN1147010C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN00132745.3
申请日：2000-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件，包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层；在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口；在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层；在p型正电极接触层上制作透明正电极和正电极焊盘；在电介质层上第二次开负电极窗口，并在此窗口上制作负电极。
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公开(公告)号：CN1354528A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN00132745.3
申请日：2000-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件,包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层;在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口;在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层;在p型正电极接触层上制作透明正电极和正电极焊盘;在电介质层上第二次开负电极窗口,并在此窗口上制作负电极。
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公开(公告)号：CN1338783A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN00120889.6
申请日：2000-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法,包括:在半导体面发光器件的n区(或p区)具有增强平行于p－n结平面的电子迁移率的二维电子气(二维空穴气),以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件(如:发光二极管,面输出的激光二极管等)具有光输出效率高,整个发光面发光均匀,避免了对厚度要求极其苛刻的金属透明电极,或减少了器件的厚度,以及由此带来制作成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN116487992A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310511939.3
申请日：2023-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本公开提供一种表面等离激元激光器微腔，包括：半导体纳米线、多个金属椭球和半导体基板；其中，多个金属椭球以一维阵列形式排布在半导体基板表面，每个金属椭球半埋设于半导体基板中，半导体纳米线覆盖在多个金属椭球上且包覆每个金属椭球的一部分；其中，特定频率的电磁波在一维阵列形式排布的多个金属椭球的两端无法传播，在一维阵列形式排布的多个金属椭球的中间振荡。该表面等离激元激光器能够实现选模，具有低损耗，高品质因子等综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1905217A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200510084937.2
申请日：2005-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法，包括如下步骤：顶电池以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；在顶电池的外延片的砷化镓层上面制作正电极；在外延片底层的重掺杂的n型砷化镓层制作顶电池的背电极；底电池以锑化镓单晶片为衬底；在底电池的外延片上面制作正电极，在衬底的下面制作背电极；顶电池与底电池采用机械级联的方式制成机械迭层太阳电池，然后进行封装；利用一支架在电池的正面安装聚光装置、对日跟踪装置，在电池的背面安装冷却装置，完成电池的制作。
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公开(公告)号：CN1219333C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN02128518.7
申请日：2002-08-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长氮化镓基材料作为下一步的衬底；(2)对氮化镓基材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层氮化镓基量子点作为诱导层；(4)在诱导层上再生长一层或多层异质氮化镓基量子点结构，所生长的单或多层异质氮化镓基量子点结构作为发光二极管的活性层；(5)在活性层上再生长一层P型材料；(6)在P型材料上镀一层电极。采用这种方法制作的白光二极管制作工艺简单，重复性好，发光波段和颜色可调。
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公开(公告)号：CN1652299A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410004028.9
申请日：2004-02-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/318
Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜的方法，其特征在于，采用了以下的方法来生长缓冲层，包括如下步骤：(A)首先在硅衬底表面形成一层薄的液态铝层，该液态铝层的主要作用是阻止无定形的氮化硅层的形成；(B)然后生长一层高温氮化铝缓冲层，该氮化铝缓冲层中铝的含量大于氮的含量。
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公开(公告)号：CN1133217C
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN00120889.6
申请日：2000-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 半导体面发光器件的制造方法，包括：在半导体面发光器件的n区(或p区)具有增强平行于p-n结平面的电子迁移率的二维电子气(二维空穴气)，以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件(如：发光二极管，面输出的激光二极管等)具有光输出效率高，整个发光面发光均匀，避免了对厚度要求极其苛刻的金属透明电极，或减少了器件的厚度，以及由此带来制作成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN1316782A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN00105756.1
申请日：2000-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化物半导体器件，其中包含：在绝缘衬底上生长氮化物缓冲层，在其上并与其相接触具有增强平行于PN结平面电子迁移率的又具有与负电极金属形成低阻欧姆接触功能的氮化物半导体多重异质及掺杂结构层构成的负电极n型复合接触层。其具有新结构的氮化物半导体器件，这种结构的氮化物半导体器件的串联电阻低发光效率高。
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