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公开(公告)号：CN112688164B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202011555716.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种侧向复合光栅DFB激光器结构及应用，该侧向复合光栅DFB激光器结构包括N面电极层；N型波导层，设置在N面电极层上；有源层，设置在N型波导层上；P型波导层，设置在有源层上，包括未刻蚀P型波导层、脊波导和高阶表面侧向光栅，脊波导和高阶表面侧向光栅均设置在未刻蚀P型波导层上，高阶表面侧向光栅设置在脊波导两侧，狭槽区域设置在高阶表面侧向光栅与脊波导的连接处；以及P面电极层，设置在脊波导上。本发明通过在高阶表面侧向光栅与脊波导的连接处附近引入狭槽进行电隔离，可以减少电注入时侧向光栅造成的载流子泄漏，从而降低激光器的阈值电流密度，提高斜率效率，有利于实现窄线宽和高功率激光输出。
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公开(公告)号：CN113794104B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202111150917.6
申请日：2021-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体激光器，包括：有源层(6)；N型下波导层(5)，设置在有源层(6)下，用于形成电流注入通道和纵向光场限制；以及光子晶体波导层(4)，设置在N型下波导层(5)下，包括多个波导组件，每个波导组件包括：高折射率层(41)，以及低折射率层(42)，设置在高折射率层(41)上，低折射率层(42)的折射率不高于高折射率层(41)的折射率，多个波导组件的高折射率层(41)和低折射率层(42)交替设置，其中，低折射率层(42)包括从高折射率层(41)依次形成的折射率下降部(421)、过渡部(422)、和折射率上升部(423)，折射率下降部(421)的折射率从高折射率层(41)的折射率逐渐下降到过渡部(422)的折射率，折射率上升部(423)的折射率从过渡部(422)的折射率逐渐上升到高折射率层(41)的折射率。
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公开(公告)号：CN115133403A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210754306.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种低功率损耗半导体激光器及制备方法，器件包括：半导体衬底层，以及依次叠设外延于半导体衬底层上的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层和欧姆接触层；P型限制层包括叠设的第一P型子限制层和第二P型子限制层，第一P型子限制层靠近P型波导层；其中，沿外延方向，半导体衬底层、N型限制层、第二P型子限制层和欧姆接触层的掺杂浓度沿厚度变化均保持不变，掺杂气体流量随时间的变化为常数，N型波导层、P型波导层和第一P型子限制层的掺杂浓度与厚度均满足二次函数关系，掺杂气体流量随时间的变化均满足二次函数关系。该器件可以实现很低的功率损耗。
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公开(公告)号：CN118673718A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410849447.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种多层光学增透膜处理方法，包括：获取多个初始多层光学增透膜，其中，每一初始多层光学增透膜通过PECVD进行生长，每一初始多层光学增透膜包括多个第一参数与对应于PECVD生长的第二参数；基于第一参数与第二参数，确定每一初始多层光学增透膜的第三参数；基于每一初始多层光学增透膜的第三参数适应度值，得到多个第一中间多层光学增透膜；根据遗传算法，对多个第一中间多层光学增透膜中的部分第一中间多层光学增透膜进行交叉与变异操作，得到多个第二中间多层光学增透膜；将多个第二中间多层光学增透膜与未经交叉与变异操作的第一中间多层光学增透膜进行多次迭代计算，得到目标多层光学增透膜；对目标多层光学增透膜进行误差监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116859676A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310590000.0
申请日：2023-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种具有深台面结构的晶圆片的光刻方法，包括：在具有深台面结构的晶圆片表面匀涂光刻胶；对匀涂过光刻胶的晶圆片进行预烘；对预烘的晶圆片依次进行完成第一次曝光、第一次显影、第二次曝光以及第二次显影，以减弱曝光时的边缘衍射效应；其中，第一次曝光和第二次曝光的剂量相同；刻蚀待刻蚀区域；去除光刻胶，完成光刻。本公开经过二次曝光，减弱曝光时的边缘衍射效应，解决晶圆片的深台面边缘处光刻胶较薄的问题；采用稀释后的显影液，抑制显影液的减薄效果，保障深台面边缘处光刻胶的保护性；在预烘过程中，采用先低温恒温减少深台面边缘处光刻胶的收缩，再线性升高温度使得光刻胶粘附性更好的同时也能实现快速挥发。
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公开(公告)号：CN116072755B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310218352.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0216 , G01S7/486 , G01S7/4912 , G01S17/08
Abstract: 本发明提供一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用，属于雪崩光电探测器领域。所述硅基线性雪崩光电探测器，包括有：π型层、p型层、n+型层、p+型层、离子注入型沟槽保护环、离子注入型沟槽截止环、第一电极、第二电极。本发明还提供一种硅基线性雪崩光电探测器的制备方法；以及在激光测距装置的应用。本发明的硅基线性雪崩光电探测器有效提高制得的硅基线性雪崩光电探测器的一致性，倍增、吸收区的参数更容易控制，并能够有效避免制备过程中可能的边缘击穿现象；应用于激光雷达等激光测距装置中，能够有效提高测距精度及动态范围；同时，还能够有效降低探测器偏压控制难度和复杂度，有利于探测器控制电路的小型化。
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公开(公告)号：CN116247512A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310337435.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种光子晶体激光器，涉及半导体激光器领域，其包括衬底，依次叠设于衬底上的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、绝缘层、欧姆接触层以及P面电极层；其中，在沿腔长方向的两面分别设置反射率均为0％的第一膜层和第二膜层，用于抑制光波模式在腔长方向形成振荡；在沿腔长方向的两面相邻的两侧面，一个侧面设置反射率为0％‑10％的第三膜层，另一个侧面设置反射率为90％‑100％的第四膜层，用于光波模式在侧面方向形成振荡。本公开保证输出光信号高功率的情况下，可以避免产生纵向烧孔效应。
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公开(公告)号：CN116247118A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310531231.4
申请日：2023-05-12
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种双载流子倍增的雪崩光电探测器，包括倍增层，倍增层为两层，一层倍增层用于空穴的雪崩倍增，另一层倍增层用于电子的雪崩倍增，两层倍增层之间设有两层电荷层和一层光吸收层，光吸收层两侧分别设有一层电荷层，电荷层用于调控倍增层和光吸收层电场。具有以下优点：解决了如何能够让吸收层的光生电子和空穴沿着不同方向进入两个倍增层问题，让光生电子和光生空穴同时进行倍增，较大的提高了光电流的输出，提高了器件增益值。
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公开(公告)号：CN116072755A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310218352.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0216 , G01S7/486 , G01S7/4912 , G01S17/08
Abstract: 本发明提供一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用，属于雪崩光电探测器领域。所述硅基线性雪崩光电探测器，包括有：π型层、p型层、n+型层、p+型层、离子注入型沟槽保护环、离子注入型沟槽截止环、第一电极、第二电极。本发明还提供一种硅基线性雪崩光电探测器的制备方法；以及在激光测距装置的应用。本发明的硅基线性雪崩光电探测器有效提高制得的硅基线性雪崩光电探测器的一致性，倍增、吸收区的参数更容易控制，并能够有效避免制备过程中可能的边缘击穿现象；应用于激光雷达等激光测距装置中，能够有效提高测距精度及动态范围；同时，还能够有效降低探测器偏压控制难度和复杂度，有利于探测器控制电路的小型化。
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