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公开(公告)号：CN119230393A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411730810.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/285 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供一种P型InP欧姆接触电极的制备方法，涉及InP器件制造技术领域，包括：提供一P型InP晶圆材料，并对P型InP晶圆材料表面进行清洁处理；在P型InP晶圆材料表面沉积欧姆接触层；在欧姆接触层上依次沉积第一金属层、第二金属层与第三金属层；对欧姆接触层进行两步退火处理。该方法不仅可以在制备欧姆接触电极的退火过程中稳定电极结构，而且在后续的工艺过程中能有效防止欧姆接触部分电极材料的氧化失效，使欧姆接触具有更好的可靠性和更低的电阻率。
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公开(公告)号：CN118091835B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410465200.8
申请日：2024-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种薄膜铌酸锂模斑转换器，涉及光通信领域，薄膜铌酸锂模斑转换器包括：衬底层；绝缘层；铌酸锂光波导；填充层；第二光波导；引导片；引导片布设于第二光波导两侧，引导片的侧边接触于第二光波导的边沿，引导片用于引导光信号从第二光波导进入铌酸锂光波导。本发明实施例提供的薄膜铌酸锂模斑转换器通过高折射率的引导片引导光信号自第二光波导耦合进入铌酸锂光波导，提高了耦合效率，降低了对光波导特征尺寸要求，从而无需电子束光刻制作，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN116231447A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310507453.2
申请日：2023-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体面发射半导体激光器的集成光源及硅光芯片，涉及硅基光子学技术领域，包括：激光器阵列结构，包括阵列排布的光子晶体面发射半导体激光器；光子晶体面发射半导体激光器包括：多层结构的外延层和光子晶体，多层结构的外延层位于多层结构的外延层内或者贯穿部分多层结构的外延层，其中，光子晶体用于对多层结构的外延层内产生的光场的分布和传输进行调控，以产生不同波长的激光。该集成光源及硅光芯片解决了现有的混合集成光源的方式存在耦合对准容差小、工艺复杂、不能大阵列、大规模集成、耦合效率低等问题。
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公开(公告)号：CN115995759A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310282675.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种多波长激光器，应用于半导体技术领域，该多波长激光器包括至少一个激光器阵列单元，所述激光器阵列单元包括SOI结构和III‑V族半导体激光器结构，SOI结构包括硅衬底、BOX层和顶硅层，所述顶硅层中刻蚀有硅波导结构，所述硅波导结构的侧向刻蚀有REC氮化硅介质光栅，III‑V族半导体激光器结构包括N型InP层、多量子阱MQWs层、P型InP层、III‑V族脊波导、P面金属电极和N面金属电极，其中，所述硅波导结构与所述III‑V族脊波导沿同一方向对准。本发明还提供了一种多波长激光器的制作方法，制备工艺简单、各通道波长易精确控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112688164B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202011555716.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种侧向复合光栅DFB激光器结构及应用，该侧向复合光栅DFB激光器结构包括N面电极层；N型波导层，设置在N面电极层上；有源层，设置在N型波导层上；P型波导层，设置在有源层上，包括未刻蚀P型波导层、脊波导和高阶表面侧向光栅，脊波导和高阶表面侧向光栅均设置在未刻蚀P型波导层上，高阶表面侧向光栅设置在脊波导两侧，狭槽区域设置在高阶表面侧向光栅与脊波导的连接处；以及P面电极层，设置在脊波导上。本发明通过在高阶表面侧向光栅与脊波导的连接处附近引入狭槽进行电隔离，可以减少电注入时侧向光栅造成的载流子泄漏，从而降低激光器的阈值电流密度，提高斜率效率，有利于实现窄线宽和高功率激光输出。
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公开(公告)号：CN118091835A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410465200.8
申请日：2024-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种薄膜铌酸锂模斑转换器，涉及光通信领域，薄膜铌酸锂模斑转换器包括：衬底层；绝缘层；铌酸锂光波导；填充层；第二光波导；引导片；引导片布设于第二光波导两侧，引导片的侧边接触于第二光波导的边沿，引导片用于引导光信号从第二光波导进入铌酸锂光波导。本发明实施例提供的薄膜铌酸锂模斑转换器通过高折射率的引导片引导光信号自第二光波导耦合进入铌酸锂光波导，提高了耦合效率，降低了对光波导特征尺寸要求，从而无需电子束光刻制作，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN116224347A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310392795.4
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种混合集成相控阵激光雷达芯片，包括：SOI衬底；多个III‑V族半导体激光器；以及，多组相控阵激光雷达芯片；其中，各相控阵激光雷达芯片均包括：模斑变换器，与III‑V族半导体激光器连接；分束器组，与模斑变换器连接，用于将输入的光信号分为多束光信号；移相器组，与分束器组连接，包括多个子移相器，上述多束光信号中的每一束光信号接入到一个子移相器；以及，光栅天线，用于合束各子移相器传递的光信号并向外发射；多组相控阵激光雷达芯片和多个III‑V族半导体激光器沿预设方向设置于SOI衬底上。
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公开(公告)号：CN115995759B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310282675.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种多波长激光器，应用于半导体技术领域，该多波长激光器包括至少一个激光器阵列单元，所述激光器阵列单元包括SOI结构和III‑V族半导体激光器结构，SOI结构包括硅衬底、BOX层和顶硅层，所述顶硅层中刻蚀有硅波导结构，所述硅波导结构的侧向刻蚀有REC氮化硅介质光栅，III‑V族半导体激光器结构包括N型InP层、多量子阱MQWs层、P型InP层、III‑V族脊波导、P面金属电极和N面金属电极，其中，所述硅波导结构与所述III‑V族脊波导沿同一方向对准。本发明还提供了一种多波长激光器的制作方法，制备工艺简单、各通道波长易精确控制。
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公开(公告)号：CN112688164A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011555716.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种侧向复合光栅DFB激光器结构及应用，该侧向复合光栅DFB激光器结构包括N面电极层；N型波导层，设置在N面电极层上；有源层，设置在N型波导层上；P型波导层，设置在有源层上，包括未刻蚀P型波导层、脊波导和高阶表面侧向光栅，脊波导和高阶表面侧向光栅均设置在未刻蚀P型波导层上，高阶表面侧向光栅设置在脊波导两侧，狭槽区域设置在高阶表面侧向光栅与脊波导的连接处；以及P面电极层，设置在脊波导上。本发明通过在高阶表面侧向光栅与脊波导的连接处附近引入狭槽进行电隔离，可以减少电注入时侧向光栅造成的载流子泄漏，从而降低激光器的阈值电流密度，提高斜率效率，有利于实现窄线宽和高功率激光输出。
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