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公开(公告)号：CN102191540A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110119981.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
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公开(公告)号：CN101831693A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910079800.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种生长氧化锌薄膜材料的方法，包括：选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；选用甲醇作为氧源，二乙基锌作为锌源；将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空后再充氮气升压，如此反复两次，以排净反应室中的空气；充氮气将反应室升压至适合生长的压强；将衬底升温至适合氧化锌生长的温度；打开反应室衬底底座旋转开关，使得衬底匀速旋转；在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入二乙基锌，在硅衬底上生长一层锌隔离层；在MOCVD设备中利用载气从衬底顶部通入甲醇，使之与锌源反应在锌隔离层上得到氧化锌薄膜外延层；关闭锌源和氧源载气，待反应室压强升至常压，温度降至常温后从MOCVD设备中取出氧化锌样品。
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公开(公告)号：CN101831628A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010157637.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室温度降到300摄氏度以下关闭氨气，继续通入氨气的作用是抑制InGaN材料的高温热分解；降温，反应室温度由300摄氏度降至室温后，将样品取出。本发明利用衬底应力调制，无需缓冲层，有效提高了In组分并入的方法制备高质量的富In组分InGaN薄膜材料。
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公开(公告)号：CN101428842A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710176926.6
申请日：2007-11-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种生长氧化锌纳米棒阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧气，使得在锌隔离层上得到氧化锌纳米棒阵列外延层。
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公开(公告)号：CN100424222C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410101884.6
申请日：2004-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法。利用低能双离子束沉积设备的质量分离功能与荷能离子沉积特点，以纯度要求不高的稀土氯化物作为I束伯纳斯型固体离子源的原材料，产生一束同位素纯低能稀土元素离子，并与II束伯纳斯型气体离子源产生的与之化合的另一同位素纯低能离子在超高真空生长室内交替沉积生长，通过准确控制参与生长的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、束流剂量和配比及生长温度，实现了难提纯、高熔点、易氧化及难化合的二元稀土化合物薄膜的高纯、高效优质生长及低温外延。本发明可制备的稀土薄膜材料范围广，且生长工艺便于调控和优化，是一种制备半导体技术领域或其他领域应用的稀土薄膜材料的经济实用方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100424220C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410009815.2
申请日：2004-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/22 , C23C14/48 , C23C14/06 , C30B25/02 , H01L21/3205 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化锆(ZrCl4)固体粉末和氮气(N2)分别作为产生同位素纯低能金属锆离子(Zr+)束和氮离子(N+)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化锆(ZrN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域的氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN100400703C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410098996.0
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束制备一层薄氮化铪作为阻挡衬底与铪离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束同位素纯低能金属铪离子外延生长金属铪薄膜，通过准确控制铪离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属铪薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备用于半导体技术领域金属铪薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN101017830A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003529.4
申请日：2006-02-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底，其特征在于，包括如下几部分：一常规SOI可协变衬底，包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层，顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层；一具有六方结构的金属铪薄中间层，制备在常规SOI可协变衬底的顶部超薄Si单晶可协变层上，并与之一起构成复合可协变层，共同协调失配应变，从而得到SOI型复合可协变层衬底；一大失配外延层，与Si(100)衬底有较大晶格失配，制备在六方金属铪薄中间层上，并与前两部分一起构成大失配异质结构材料。
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公开(公告)号：CN1696332A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200410044605.7
申请日：2004-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。
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公开(公告)号：CN1421878A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN01140093.5
申请日：2001-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种组份渐变铁磁性半导体制备方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：选择半导体单晶片，该半导体单晶片作为基底材料；步骤2：将所述的基底材料加热，为下一步工艺作好准备；步骤3：在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料；步骤4：对上述磁性半导体材料进行热处理。
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