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公开(公告)号：CN1917311A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510090643.0
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉，其中包括：一电介质热沉基片；一微波传输线，该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧，该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面，形成在微波传输线的端点的尾端；多条金属电极，该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧；一地电极，该地电极制作在电介质热沉基片的下表面，且将电介质热沉基片的下表面覆盖。
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公开(公告)号：CN1848464A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510056278.1
申请日：2005-04-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：一衬底片；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在衬底片上，在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形；一缓冲层，该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间；一下限制层，该下限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在缓冲层上；一多量子阱层，该多量子阱层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在下限制层上，形成能带结构空间变化的半导体多量子阱层结构；一上限制层，该上限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在多量子阱上；一包层，该包层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在上限制层上；一接触层，该接触层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在包层上。
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公开(公告)号：CN112260058A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011152194.9
申请日：2020-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种半导体激光器，包括：依次连接的第一单模波导(1)、第一锥形波导(2)、多模干涉波导(3)、第二锥形波导(4)、第二单模波导(5)、第三锥形波导(6)以及第一多模干涉反射镜(7)；其中，第一单模波导(1)的端面(10)与第一多模干涉反射镜(7)可形成激光腔，并作为激光腔的反射镜；其中，第一多模干涉反射镜(7)通过刻蚀工艺形成。半导体激光器还包括：光栅(8)，其设于第一单模波导(1)上，光栅(8)与第一多模干涉反射镜(7)可形成激光腔，并作为激光腔的反射镜，半导体激光器通过端面(10)输出激光。该半导体激光器可以与一个或多个光子集成芯片单片集成。
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公开(公告)号：CN101540358B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810102201.7
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：衬底，以及位于所述衬底上的增益介质，该增益介质采用能带结构空间变化的半导体材料形成。本发明同时公开了一种制作宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的方法。利用本发明，由于采用能带结构空间变化的半导体材料作为增益介质，超辐射发光二极管辐射光具有内在的非相关性，所以在较大的输出功率下，仍然可以保持较宽光谱输出。
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公开(公告)号：CN100391067C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510090643.0
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉，其中包括：一电介质热沉基片；一微波传输线，该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧，该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面，形成在微波传输线的端点的尾端；多条金属电极，该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧；一地电极，该地电极制作在电介质热沉基片的下表面，且将电介质热沉基片的下表面覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1995936A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200510048295.0
申请日：2005-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，特别是一种波长可调谐激光器的自动化测试控制系统及方法。该系统，由计算机、通用接口总线(GPIB)板卡及数据线、光谱分析仪、程控可控电流源、直流电源、温度控制仪、热电致冷器、激光器、透镜和光纤组成，GPIB板卡连接于光谱分析仪和程控可控电流源，温度控制仪连接于热电致冷器，热电致冷器连接于激光器，光信号通过透镜和光纤传送到光谱分析仪，上述过程是用GPIB总线将计算机、程控电流源、光谱分析仪连接起来实现命令和数据的传输。
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公开(公告)号：CN1937335A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200510086465.4
申请日：2005-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，特别是该器件内集成了电吸收调制器和分布布拉格反射半导体激光器的制作方法。其方法是结合了选区外延生长(SAG)和量子阱混杂技术(QWI)的优点，通过选区外延生长的方法形成器件的增益区和调制器区，用量子阱混杂技术在调制器区进一步实现带隙波长蓝移形成DBR区。通过离子注入实现器件各个区域的电隔离。
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公开(公告)号：CN1750336A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510004571.3
申请日：2005-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/0265 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , H01S5/1039 , H01S5/12 , H01S2304/00
Abstract: 一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制作调制器段的选择生长图形；步骤2：一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构；步骤3：刻制光栅并选择腐蚀去调制器段上面的激光器多量子阱层；步骤4：二次外延完成整个电吸收调制激光器结构的生长。
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公开(公告)号：CN1099043C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN99102750.7
申请日：1999-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 一种同轴半导体发光器件的耦合方法，其是将光纤和透镜同轴分别安装在一个壁厚分两段的偏心第一圆筒的上下两端中，第一圆筒放入另一上部同心，下部偏心的第二圆筒中；上部同心，第一圆筒和第二圆筒同心；下部偏心，其偏心距和第一圆筒的偏心距相等，发光器件装入第二圆筒的下部，适当选择光纤与透镜及透镜到发光器件的距离。反复转动第一圆筒和发光器件，并调整光纤到透镜的距离，直至光纤输出功率最大时，将其固定。
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公开(公告)号：CN113381294A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110639802.7
申请日：2021-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单片集成边发射激光器及制备方法，其单片集成边发射激光器包括：衬底；多层结构，为由多对半导体材料层生长于所述衬底上的周期或准周期结构，每对所述半导体材料层沿垂直于所述衬底的方向依次包括低折射率材料层和第一高折射率材料层，每层所述半导体材料层的厚度不小于λ/5n，其中，λ为所述单片集成边发射激光器的工作波长，n为每层所述半导体材料层的折射率；第二高折射率材料层，形成于所述多层结构中最后生长的低折射率材料层上，所述第二高折射率材料层的折射率高于第一高折射率材料层和低折射率材料层；有源层，位于所述第二高折射率材料层中，所述有源层的厚度小于第二高折射率材料层的厚度。
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