公开(公告)号：CN103887385A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410092505.5

申请日：2014-03-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 姬小利 ,  闫建昌 ,  郭金霞 ,  张连 ,  杨富华 ,  段瑞飞 ,  王军喜 ,  曾一平 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个量子垒层，AlyGa1-yN电子阻挡层，Al组分渐变AlGaN层和p型AlzGa1-zN接触层，其中0≤u，x，y，z≤1；其特征在于，其中所述AlxGa1-xN最后一个量子垒层中Al组分x与AlyGa1-yN电子阻挡层中的Al组分y相同。本发明因为电子阻挡效果的提高以及空穴注入的改善能有效降低电子泄露从而提高器件发光效率。

公开(公告)号：CN117012847A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210471720.0

申请日：2022-04-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏同波 ,  何瑞 ,  姬小利 ,  王军喜

IPC: H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H01L23/66

Abstract: 本发明公开了一种适用于光通信的集成芯片，包括：衬底；依次层叠设置在衬底上的第一氮化物层和第二氮化物层，第二氮化物层形成多个凸台；多个传输单元，形成在第二氮化物层上，每个传输单元包括：发光器件，包括：第一电极，在凸台的一侧设置在第二氮化物层上；量子阱有源区，设置在凸台上；第三氮化物层，设置在量子阱有源区上；以及第二电极，设置在第三氮化物层上，量子阱有源区基于施加在第一电极和第二电极上的输入电信号产生光信号；波导区，基于第一氮化物层和第二氮化物层形成在凸台的与发光器件相对的一侧，以接收量子阱有源区产生的光信号；以及光电转换器件，在第二氮化物层上设置在波导区的与凸台相对的一侧，并适用于基于来自于波导区的光信号产生输出电信号。

公开(公告)号：CN116779700A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202210228813.0

申请日：2022-03-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏同波 ,  何瑞 ,  姬小利 ,  王军喜

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/12 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种双工通信器件，包括：衬底；成核层，设置在衬底上；超晶格过滤位错层，设置在成核层上；第一氮化物层，设置在超晶格过滤位错层上，第一氮化物层的顶面的一侧包含台面，台面的厚度小于第一氮化物层的厚度；主探测有源区，设置在第一氮化物层顶面的另一侧上；主发光有源区，设置在主探测有源区上；第二氮化物层，设置在主发光有源区上；第二电极，设置在台面上；第一电极，设置在第二氮化物层上；钝化保护层，设置在台面上并延伸到第二氮化物层的侧壁和上表面上；加厚层，设置在第二电极和第一电极上。本发明还提供了一种集成芯片及其制备方法。

公开(公告)号：CN108110048A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711371959.6

申请日：2017-12-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李晋闽 ,  谭晓宇 ,  姬小利 ,  马平 ,  李喜林 ,  魏同波

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开提供了一种高阻III族氮化物半导体外延结构及其制备方法。其外延结构包括衬底和高阻III族氮化物外延层。本公开通过同时掺入Mg元素和C元素的方法实现III族氮化物层的高阻特性，以较低浓度的Mg补偿大部分的n型背景载流子，同时以较低浓度的C补偿剩余的n型背景载流子或中和过补偿的p型载流子，从而获得高晶体质量的高阻III族氮化物外延层。本公开的高阻III族氮化物半导体外延结构在降低杂质掺入浓度、提高氮化物晶体质量的同时，降低了外延材料的漏电流、提高了外延材料的击穿电压。

公开(公告)号：CN103633218A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310651954.4

申请日：2013-12-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 姬小利 ,  路红喜 ,  郭金霞 ,  魏同波 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  杨富华 ,  曾一平 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓系发光器件，包括衬底；成核层；n型III族氮化物层；多量子阱有源区；最后一个量子垒层；类电子阻挡层；p型III族氮化物层；n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。本发明提出的上述方案相比现有的GaN LQB/AlGaN EBL结构(界面存在正的净极化电荷)，或极化匹配GaN LQB/AIInGaN EBL结构(界面净极化电荷为零)，能够增强电子阻挡层阻挡电子泄漏的效果，从而提高LED发光效率，并减少大注入电流下的发光效率衰减。