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公开(公告)号：CN102181922B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110063540.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/08
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，该石英容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石英盒的底部放置晶体生长源材料，石英环放置在源材料的上方，晶体生长用衬底放置在石英环上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中，石英塞将石英盒口塞住密闭。这种石英容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题，从而提高材料的均匀性和外延面积，同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。
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公开(公告)号：CN101226244A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810033432.7
申请日：2008-02-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B1/10
Abstract: 本发明公开了一种可见/红外宽光谱分色片的膜系结构。该膜系结构以介质－金属－介质(DMD)结构为基础，通过在外侧增加匹配层的方法增加通带的宽度。首先根据中远红外的反射率要求选择Ag层的厚度。再根据通带中心的位置选择两侧相邻介质层厚度。然后在最外层增加一层低折射率膜层以增加通带的宽度。最后将初始膜系结构输入计算机，利用膜系设计软件进行优化设计，找到最为合适的膜系结构。本膜系结构的优点在于：不用减小Ag层的厚度即可展宽分色片的通带宽度。
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公开(公告)号：CN109750358A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910021572.0
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种低成本HgTe三维拓扑材料生长方法。第一步、HgTe源采用1：1配比，得到正化学配比的HgTe拓扑材料。HgTe源在700℃下进行高温高压合成，合成过程中保持8h摇摆混合，确保HgTe源的均匀分布，最后冲大量氮气进行快速降温。第二步、将碲锌镉衬底区分出A/B面之后，进行双面研磨，双面精抛，热三氯甲烷三次、热浴乙醇三次，2％Br甲醇腐蚀60s，高纯乙醇清洗三次，高纯氮气吹干。第三步、将处理好的碲锌镉衬底，放入气相外延设备里，进行HgTe的气相外延生长，生长温度500～550℃，生长时间1h～3h。第四步、在气相外延炉内，进行HgTe材料的原位退火，氢气气氛下，退火温度250～280℃，退火时间24～48h。本发明的优点在于：拓扑材料生长成本低。外延生长设备简单。
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公开(公告)号：CN103187424B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310039941.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本发明的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
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公开(公告)号：CN102392294B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110362040.7
申请日：2011-11-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B13/00
Abstract: 本发明公开了一种高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法。利用水平区熔技术、低真空条件、载料舟以及带有通气孔和回流接收槽的载料舟盖，将真空蒸馏、真空脱气和区熔熔炼多种提纯方法融合在一起，从而实现通过一套设备和工艺实现高纯半导体材料的制备。实现方式主要包括以下三点：1、舟盖上有两个凹槽设计，所以可以使具有较低熔点的杂质材料先挥发出来凝结在舟盖上，当加热炉体经过时，其熔化回流凝结在凹槽中，实现真空蒸馏；2、舟盖两端各有一个小孔，由于载料舟是放置在一个可抽真空的区熔炉腔体内，因此通过这两个小孔可对舟内部抽真空，当材料熔化时可以实现真空脱气；3、当区熔炉加热炉体经过载料舟时，可以实现区熔提纯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103343390A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310251737.6
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法，该方法采用开管式热处理工艺方法，可以在气相外延腔体内完成。该方法可以用于将利用气相外延技术生长的N型薄膜材料调整到77K空穴浓度为0.5～10×1016cm-3左右，使得生长出的碲镉汞气相外延材料满足制作N-on-P结构红外光伏器件制作的要求；在碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺中，热处理过程中要对腔体进行抽真空，从而为系统提供一个不平衡的汞压环境，以利于汞空位的形成；同时该方法无需在待处理样品表面生长CdTe覆盖层，避免了CdTe覆盖层和碲镉汞材料之间因晶格失配在外延材料表面产生失配位错，从而为光伏器件制作过程中ＰＮ结性能的提高提供了一定的保证。另外该方法也能保证碲镉汞外延材料组分的稳定和表面形貌的完整性。
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公开(公告)号：CN103305918A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310251547.4
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法，该方法采用开管式热处理工艺方法，可以在气相外延腔体内完成。该方法可以用于将利用气相外延技术生长的不均匀的N型薄膜材料调整到77K电子浓度为1～10×1014cm-3左右，迁移率105cm-3/V·s左右；使得生长出的碲镉汞气相外延材料满足制作红外光导器件制作的要求；在碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺中，无需再添加汞源，利用系统中原有的汞气氛便可实现；在对碲镉汞气相外延材料进行的N型热处理工艺中，需要在腔体中保持氢气的流通状态，以利于在热处理过程中气相与固相之间汞原子的交换，同时也为样品表面形貌的保持提供一定的保证。
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公开(公告)号：CN103187424A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310039941.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本发明的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
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公开(公告)号：CN102729132A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210211627.2
申请日：2012-06-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B37/00
Abstract: 本发明公开了一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法，在常规前道工艺中，晶体锭条经内圆切割以后形成一定厚度的晶片，然后经过热蜡贴片工艺进行研磨和精抛。但蜡的引入很难去除干净，在后继的外延工艺中会引入污染。即使经过热三氯乙烯沸腾热浴也未必能将蜡去除干净。不贴片、批量研磨、抛光可以有效提高研磨效率和研磨质量，减少蜡污染，本工艺可以控制住研磨参数，如：晶片厚度、研磨时间、转速、上下盘压力、游行片开孔大小、研磨剂用量以及研磨颗粒大小等。CdZnTe晶片无蜡研磨、抛光工艺成熟之后，在此衬底上进行HgCdTe外延薄膜的生长其晶体质量，结构会有进一步提高，对其电学参数的优化也有重要意义。
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公开(公告)号：CN102392294A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110362040.7
申请日：2011-11-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B13/00
Abstract: 本发明公开了一种高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法。利用水平区熔技术、低真空条件、载料舟以及带有通气孔和回流接收槽的载料舟盖，将真空蒸馏、真空脱气和区熔熔炼多种提纯方法融合在一起，从而实现通过一套设备和工艺实现高纯半导体材料的制备。实现方式主要包括以下三点：1、舟盖上有两个凹槽设计，所以可以使具有较低熔点的杂质材料先挥发出来凝结在舟盖上，当加热炉体经过时，其熔化回流凝结在凹槽中，实现真空蒸馏；2、舟盖两端各有一个小孔，由于载料舟是放置在一个可抽真空的区熔炉腔体内，因此通过这两个小孔可对舟内部抽真空，当材料熔化时可以实现真空脱气；3、当区熔炉加热炉体经过载料舟时，可以实现区熔提纯。
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