公开(公告)号：CN109750358A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910021572.0

申请日：2019-01-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王仍 ,  焦翠灵 ,  陆液 ,  霍勤 ,  张成 ,  乔辉 ,  李向阳

IPC: C30B29/48 ,  C30B25/18 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种低成本HgTe三维拓扑材料生长方法。第一步、HgTe源采用1：1配比，得到正化学配比的HgTe拓扑材料。HgTe源在700℃下进行高温高压合成，合成过程中保持8h摇摆混合，确保HgTe源的均匀分布，最后冲大量氮气进行快速降温。第二步、将碲锌镉衬底区分出A/B面之后，进行双面研磨，双面精抛，热三氯甲烷三次、热浴乙醇三次，2％Br甲醇腐蚀60s，高纯乙醇清洗三次，高纯氮气吹干。第三步、将处理好的碲锌镉衬底，放入气相外延设备里，进行HgTe的气相外延生长，生长温度500～550℃，生长时间1h～3h。第四步、在气相外延炉内，进行HgTe材料的原位退火，氢气气氛下，退火温度250～280℃，退火时间24～48h。本发明的优点在于：拓扑材料生长成本低。外延生长设备简单。