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公开(公告)号：CN101614834A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910055330.X
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有挡光环结构的冷光阑。其特点是在冷光阑的内壁合理的增加两个挡光环，同时挡光环的表面还涂覆一层性能良好的“黑色”涂层，从而能有效的减少杂散光。该设计能很好的提高系统的信噪比，增加对比度，改善整个系统的探测和识别能力。与不带挡光环的冷光阑相比，此发明能很有效的减少杂散光，让点源透过率PST值有相对几个数量级的衰减，制作易，成本低，能适用于任何冷光阑结构中。
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公开(公告)号：CN116207176A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310252923.5
申请日：2023-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法，所述缓冲层结构自下而上依次包含晶格匹配缓冲层、组分线性递增缓冲层、组分线性递减缓冲层、固定组分缓冲层。所述晶格匹配缓冲层材料为In0.52Al0.48As或InP，所述组分线性递增缓冲层的材料为InxAl1‑xAs或InAsyP1‑y，其中自所述组分线性递增缓冲层下端至上端，x由0.52线性递增至a，0.85≤a≤1，或y由0线性递增至b，0.7≤b≤1，所述组分线性递减缓冲层的下端的所述组分线性递增缓冲层的上端晶格匹配，而后组分线性递减至与延伸波长InGaAs晶格匹配，所述固定组分缓冲层与延伸波长InGaAs层晶格匹配。本发明利用缓冲层内部应力相互作用来改善外延片晶圆翘曲，从而提高焦平面探测器制备规模和成品率。
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公开(公告)号：CN114551618A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210123379.X
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法，宽谱铟镓砷焦平面的基底为InP，自基底起依次有InP腐蚀牺牲层，周期性薄层低维量子点层，腐蚀截止层，In0.83Ga0.17As吸收层和重掺杂接触层；还公开了一种制备所述探测器的方法，主要步骤为：1)产生混成结构In0.83Ga0.17As焦平面探测器；2)机械研磨去除InP基底层；3)化学腐蚀去除牺牲层；4)干法等离子刻蚀去除部分截止层；本发明的优点在于实现单片响应范围覆盖400‑2600nm的铟镓砷焦平面探测器，可简化各类高光谱成像系统的光路，降低功耗、体积、重量，提升探测敏感度。
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公开(公告)号：CN109980044A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910246114.7
申请日：2019-03-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法，具体步骤如下：1)粘贴光敏芯片，2)减薄抛光，3)涂覆粘合剂，4)粘贴固定基板，5)固化粘合剂，6)分离抛光基板，7)光敏芯片与读出电路耦合，8)底充胶，9)分离固定基板。本发明通过在光敏芯片减薄抛光后引入固定基板，保证光敏芯片在耦合过程中具有良好的平面度，降低倒装焊时其与读出电路间的对准难度，提高耦合互连效率和质量，解决了由于延伸波长光敏芯片的自身形变所导致的焦平面探测器电学性能和可靠性降低的问题。同时粘合剂难溶于常规工艺中使用的有机溶剂，并采用匀胶方式涂覆于固定基板表面，工艺简便、可操作性强、重复性好，且具有很好的工艺兼容性和通用性。
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公开(公告)号：CN109253804A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811176474.6
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J4/00
Abstract: 本发明公开了一种单片集成长线列金属偏振光栅的InGaAs焦平面探测器，其结构自下至上依次为硅基读出电路、铟柱互连层、InGaAs光敏芯片、SiO2介质层以及金属偏振光栅。所述金属偏振光栅由不同偏振取向的长线列亚波长金属光栅构成。本发明的优点在于：1、单片集成线列偏振光栅，结构紧凑，减小探测器体积；2、线列方式排布，能够有效避免不同偏振角度之间的串音问题，提高实际消光比；3、线列规模较大，可使探测器具有更大视场和更高分辨率；4、优化偏振探测单元设计，降低加工难度，增大光栅区域覆盖比例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105914250A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610407146.7
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种铟镓砷短波红外探测器。器件结构从上至下依次包括钝化层，窗口层，吸收层，缓冲层，读出电路，金属电极和互连通孔。其中，金属电极制备在缓冲层上。互连通孔制备在光敏元上，形成一个锥形通孔。互连通孔只与窗口层和读出电路连通。钝化层覆盖了除金属电极以外的器件表面，同时在互连通孔锥形下半部形成内部绝缘隔离。本器件结构特征在于新型铟镓砷短波红外探测器在光敏元上引入一个锥形的通孔，然后在通孔中填充互连金属连接窗口层与读出电路，使得探测器光敏元从材料内部就可以与读出电路进行互连。这种结构具有结构紧凑、易集成，能有效提高探测器在三维方向的堆叠密度，是未来发展微系统的核心技术。
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公开(公告)号：CN102376824A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110317200.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
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公开(公告)号：CN101614610B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910055333.3
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量InGaAs探测器偏振敏感响应的装置，它由光源系统、偏振态控制系统、光阑、待测InGaAs探测器、电流放大器和示波器组成，其中偏振态控制系统由两个格兰-汤普森棱镜组成，用于产生纯净的线偏振光；待测InGaAs探测器置于一侧开孔的圆形柯伐管壳中，并且将光源系统、偏振态控制系统、光阑和待测InGaAs探测器置于光、热屏蔽罩中，通过旋转探测器的方式，使不同振动方向的线偏振光入射到探测器的光敏面上，可得到正入射和斜入射情况下InGaAs探测器的偏振敏感响应。本发明的装置和方法简捷实用、测试精度高，并可推广应用到可见光探测器的偏振敏感响应测试中。
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公开(公告)号：CN101527308B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910049111.0
申请日：2009-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/109 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形成保护环电极及环形遮盖电极。本发明的优点在于一体设计的浅隔离槽与保护环可有效地抑制阵列器件相邻光敏面之间的串音和光敏面扩大现象，辅以小扩散孔及环形遮盖电极能进一步抑制光敏面的扩大并对光敏面进行精确定义。在平面型延伸波长InGaAs阵列器件中，浅隔离槽的引入还可以有效抑制由于材料的晶格失配造成的相邻光敏面P电极间的漏电流。
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公开(公告)号：CN100541831C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710173512.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs/n-InP外延片上刻蚀形成p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs微台面，InGaAs吸收层厚度设计为1.1um至1.5um，掺杂浓度为3-5×1016cm-3，硫化+SiNx钝化膜并引入退火工艺，可达到有效减小表面和侧面的复合，降低界面态密度，提高器件探测率和均匀性的目的，p型电极引出区生长有一层p-InGaAs电极过渡层，电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极与p-InGaAs接触是很好的欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能，同时采用背照射方式，入射光不会被p型电极引出层p-InGaAs吸收，有利于提高器件的响应率，背面低温淀积ZnS增透膜可以进一步提高器件的响应率和量子效率。
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