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公开(公告)号：CN101196552A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710171904.0
申请日：2007-12-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101109724A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710044935.X
申请日：2007-08-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供一种检测InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度大小的方法。由于InGaN/GaN多量子阱发光二极管为InGaN量子点发光，那么，其内部量子点密度的大小就决定了其发光性能的优劣。本发明根据InGaN/GaN多量子阱发光二极管开启电压随其内部量子点密度增大而逐渐增大的变化关系，通过测量其开启电压的大小来判定其内部量子点密度的大小。在保证电极为欧姆接触的情况下，发光二极管的开启电压越大，其内部量子点密度也就越高。本发明可以简单方便的确定InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度的相对大小，而且不会造成浪费，对于寻找最优化的生长条件，提高发光二极管的发光效率和节约成本具有重要意义。
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公开(公告)号：CN1996033A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610148065.6
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/28 , G01R31/00 , H01L21/66
Abstract: 一种长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法，包括步骤：S1、测量碲隔汞光伏器件的I－V曲线；S2、利用关系式R＝dV/dI获得R－V曲线，S3、根据碲镉汞的暗电流模型拟合获得器件的物理参数，根据本发明将为碲镉汞长波器件分析提供新的途径。
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公开(公告)号：CN119902045A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510059417.3
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种评测半导体材料或器件内部功能区光电特性的方法。步骤是：A对半导体材料或器件进行预先处理，形成经过待评测功能区的截面，且截面具有纳米级的平整度，制备与半导体材料形成欧姆接触的公共电极；B在无光照条件下，用扫描探针显微镜的电学测量模式测量待测试样内部功能区的电学分布；C选择合适波长光源照射半导体材料或器件，测量待测试样内部功能区在光照条件下的电学分布；D对测量获得的无光照和有光照条件下的电学分布进行比较、处理和解析。该方法具有纳米级空间分辨率和高灵敏度，能直接获得半导体材料和器件内部核心功能区的光电特性，用于准确定位影响其性能的部位，并量化局部的光电特性，从而指导对其性能的分析、预测和优化。
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公开(公告)号：CN108646160A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810314999.5
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置和方法，该装置中包括试样表面处理模块，低温扫描电容显微测量模块，微分电容测量控制模块和红外光激发模块。待测材料在试样表面处理腔中经处理后，输送至低温扫描电容显微测量真空腔中的低温试样台上，分别在红外光激发和暗背景条件下进行微分电容显微分布的测量，最后将测得的微分电容信号差值，得到由光激发少数载流子引起的微分电容信号分布。本发明适用于多数窄禁带半导体材料，能够在接近工作状态下实现对材料中少数载流子分布的灵敏测量，空间分辨率足以解析红外光电功能结构中PN结等关键区域，对评估半导体材料特性、预测和优化器件性能有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161564A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510607541.5
申请日：2015-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L27/146 , G01J5/20
CPC classification number: H01L31/09 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元，该微腔能够有效地捕获入射光子，将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里-珀罗共振驻波，并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸，在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同，形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上，使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升，从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN102621465B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210072969.0
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米线中少数载流子寿命的检测方法，该方法首先利用导电扫描探针测量单根纳米线肖特基反偏下的光激发电流响应，然后利用数值模型对光电流-偏压曲线进行定量拟合，确定半导体纳米线中的少数载流子寿命。本方法适用于外延和刻蚀等方法制备的纳米线样品中单纳米线载流子动力学特性的测定，并且本方法使用了较低的光激发强度，更接近纳米线在光电器件中的工作状态，因而对于分析、评估纳米线及其光电器件的核心性能有重要价值。
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公开(公告)号：CN103681962A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310591009.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法，该方法的核心工艺包括：竖直排列纳米线的旋涂包裹支撑、低温热处理、电极的配置等。该方法对于半导体纳米线的尺寸、力学强度等没有特殊要求，因而将不仅仅局限于常规的Si、ZnO等耐冲击材料体系的的纳米线探测器制备，同时适于研发GaAs、InAs等III-V族以及其他材料体系的纳米线器件。另一方面所采用的低折射率旋涂介质以及低温热处理工艺等将有助于大幅提升纳米线器件的光电探测性能，这也是一直以来器件研发中所忽视的问题。该方法可以直接对外延生长的半导体纳米线进行器件制备，因此尤其适用于高灵敏度、大规模阵列型光电探测器的研发。
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公开(公告)号：CN102621465A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210072969.0
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米线中少数载流子寿命的检测方法，该方法首先利用导电扫描探针测量单根纳米线肖特基反偏下的光激发电流响应，然后利用数值模型对光电流-偏压曲线进行定量拟合，确定半导体纳米线中的少数载流子寿命。本方法适用于外延和刻蚀等方法制备的纳米线样品中单纳米线载流子动力学特性的测定，并且本方法使用了较低的光激发强度，更接近纳米线在光电器件中的工作状态，因而对于分析、评估纳米线及其光电器件的核心性能有重要价值。
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公开(公告)号：CN102175727A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110008829.2
申请日：2011-01-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定，并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。
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