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公开(公告)号：CN101894847A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN100479174C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710038664.7
申请日：2007-03-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明公开了一种硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片，该芯片包括：Si衬底，在Si衬底上依次置有与其牢固结合的碲化镉缓冲层、碲镉汞外延薄膜，通过器件芯片制备工艺在HgCdTe外延薄膜上形成特殊的网络状光敏元列阵，这种网络结构在温度变化时可以比较自由地伸缩。本发明带来的一个非常显著的优点是，无论器件规模有多大，器件尺寸有多大，网络结构都等效地将大芯片分解成以光敏元尺度为单位的小芯片的集成，这样在力学上器件的性能基本上与规模大小无关，从而有希望根本解决焦平面器件规模扩大后的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN1794438A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030794.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器的可靠性筛选方法，特别是指器件In凸点电学连通的可靠性筛选方法，该方法采用在光敏感列阵芯片的四周添加数个电学互连的In凸点，同时在读出电路的四周也相应添加数个电学互连的In凸点。当光敏感列阵芯片和读出电路倒焊互连构成一个焦平面探测器后，添加的数个In凸点就构成数个单个连通电阻，而光敏感列阵芯片和读出电路的公共连通焊接点可看作为公共连通电阻，再将单个连通电阻和N个公共连通焊接点并联构成一个测试回路，用电阻测试仪进行测量，对测得的阻值进行判断，就可以用于红外焦平面探测器的可靠性筛选了。本发明的优点是：测量简单，检测速度快，数据量也较小，易于实现实时可靠性检测。
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公开(公告)号：CN1741252A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510029962.0
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀设备及方法，设备包括：带真空系统的腔体，在腔体内自下而上置有控制等离子体刻蚀能量的RF源，带控温系统的样品台，下进气线圈，产生等离子体浓度的RF源，上进气线圈。利用该设备刻蚀微台面列阵的方法特征为：工艺气体选用CH4/N2/Ar，配比为1－3∶1－10∶15－30，并使其中的N2/Ar从上进气线圈进入腔体，而CH4从下进气线圈进入腔体。本发明的最大优点是：工艺气体中不含H2，并使N2/Ar从上进气线圈进入腔体，CH4从下进气线圈进入腔体，降低了刻蚀等离子体中的氢原子刻蚀基的浓度，从而减小了刻蚀表层电学损伤的厚度，而且还能保证好的刻蚀表面清洁度和较高的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN1206720C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03115644.4
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料p-n结结深的测量方法，该方法包括样品的腐蚀，导电类型的测量和台阶高度的测量。其步骤是：利用腐蚀液对碲镉汞样品逐次腐蚀，逐层剥离，每腐蚀一次便进行一次导电类型的测量，导电类型的测量采用温差电动势法。它是根据p型半导体的温差电动势的方向与n型的相反的原理来判断腐蚀是否到p-n结的位置，然后利用台阶仪测量p-n结的结深。本发明的优点是：无需多次制备电极，测量方法简单，测试结果准确。
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公开(公告)号：CN119545933A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411623896.9
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维堆叠的紫外–红外双色面阵探测芯片，包括紫外探测层，衬底，红外探测层，填充胶以及读出电路，紫外探测层和红外探测层均为平面结构；紫外探测层制备在红外探测层的背面，紫外探测层和红外探测层之间设置衬底；红外探测芯片的每个像素单元与紫外探测芯片的每个像素单元一一对应，每个紫外光敏元和红外光敏元信号独立输出到红外探测层一侧的读出电路。本发明解决了现有的紫外–红外双色集成探测器没有有效阵列化、以及红外探测部分性能弱的问题，克服了不同波段光敏材料直接叠层生长难以获得高质量材料的困难。
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公开(公告)号：CN119517774A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411632592.9
申请日：2024-11-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种碲镉汞薄膜的少子扩散长度测量方法，包括：设计具有不同数量、不同形状像元阵列；在碲镉汞薄膜材料上制备像元阵列并引出到测试管脚；在均匀入射光下，利用测试管脚测量全部阵列的总光电流；计算像元阵列扩展后的总载流子收集区域面积；建立基于扩展载流子收集区域的总光电流计算模型；根据阵列参数和光电流测试结果拟合计算模型，获得少子扩散长度。本发明提出的少子扩散长度测量方法，可以应用于历经多步材料芯片工艺、具有复杂像元结构的碲镉汞红外芯片，为碲镉汞红外薄膜的材料表征提供了一种简单快捷、普适性强的方法。
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公开(公告)号：CN108922898B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201810945391.2
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
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公开(公告)号：CN117095387A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311066035.0
申请日：2023-08-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种连续盲元识别标注与统计方法、系统及存储介质，涉及连续盲元识别领域，该方法包括利用面阵红外焦平面探测器获取原始盲元数据矩阵；并确定原始盲元数据矩阵中的连续盲元；将原始盲元数据矩阵中连续盲元的大小小于最小连续盲元大小p的连续盲元进行删除，得到新盲元数据矩阵；将新盲元数据矩阵中连续盲元的信息保存至结构体中；根据结构体中最大连续盲元的信息，创建连续盲元统计矩阵；利用连续盲元统计矩阵对单个连续盲元的信息进行统计；根据新盲元数据矩阵确定连续盲元分布图；根据连续盲元分布图进行连续盲元的质心位置坐标及包络尺寸数据的标注。本发明能够自动对大小大于一定值的连续盲元的大小和位置进行识别、标注与统计。
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公开(公告)号：CN113654664A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110930651.0
申请日：2021-08-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种光谱分离与全透复合的超像素红外探测器，在平面结构红外探测芯片的衬底上制备具有光谱分离功能的波段分束阵列，入射的宽谱红外光透过红外波段分束阵列表面微纳结构区域后发生光谱分离，不同波长红外光分别照射至超像素的第一亚像元、第二亚像元和第三亚像元。经过红外波段分束阵列无表面微纳结构区域的全透红外光照射至超像素的第四亚像元。四个亚像元分别输出信号，利用图像合成得到红外彩色图像，同时利用图像增强融合技术获得目标更丰富的细节信息。该探测器具有探测波段丰富、信号利用率高、微型化，利用红外波长分束阵列与平面结构红外探测芯片构建超像素红外探测器的优点。
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