公开(公告)号：CN201004463Y

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200620048154.9

申请日：2006-11-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吴小利 ,  吕衍秋 ,  韩冰 ,  唐恒敬 ,  王妮丽 ,  储开慧 ,  龚海梅

IPC: H01L27/144

Abstract: 本实用新型涉及铟镓砷线列红外焦平面探测器，该器件包括半绝缘InP衬底，在半绝缘InP衬底上依次排列生长有N型InP层、InxGa1－xAs吸收层和P型InP层。其特征在于：在P型InP层上有线列光敏元，光敏元的侧面周围为H离子辐照形成的隔离区。本实用新型的优点是：相对于传统的平面结构探测器，光电流的收集结是外延生长的，缺陷较少；相对于台面器件，它基本上保留了InP层晶格的完整性，并且在器件的侧面引入隔离，降低了光生载流子在侧面的产生复合。离子辐照可以精确的定义光敏元的面积。离子注入还具有工艺简单、重复性好以及可控性高等特点。

公开(公告)号：CN203631575U

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201320623863.5

申请日：2013-10-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 许金通 ,  李向阳 ,  朱龙源 ,  王妮丽 ,  储开慧 ,  赵水平 ,  兰添翼

IPC: H01L31/09 ,  H01L27/146

Abstract: 本专利公开了一种改善光谱平整度的红外探测器，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电极和光敏感区隔离。本专利的器件结构简单且有效，消除了响应光谱谱形的非线形，提高了光谱的平整度。

公开(公告)号：CN201556629U

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200920272392.1

申请日：2009-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 储开慧 ,  许金通 ,  包西昌 ,  李向阳 ,  戴江 ,  陈长清

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本专利公开了一种AIN晶体上的欧姆接触电极结构，AIN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AIN层。通过先在本征型AIN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AIN材料上的欧姆接触。AIN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。真空紫外器件的研制，将能为我国的太空探测提供技术支撑。