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公开(公告)号：CN101460655B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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公开(公告)号：CN100449723C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580002253.1
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/31116 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了一种修整衬底上的构造的方法和系统。在对衬底进行化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将衬底暴露于诸如HF/NH3的气态化学品。还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流速，以在修整构件期间影响目标修整量。
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公开(公告)号：CN101154569A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN101093796A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710140293.3
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。
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公开(公告)号：CN1310293C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02808384.9
申请日：2002-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137
Abstract: 使用Cl2+O2气体作为蚀刻气体，通过等离子体蚀刻，对硅化钨层(104)进行蚀刻。在硅化钨层(104)的蚀刻几乎结束时，将蚀刻气体改变为Cl2+O2+NF3，通过等离子体蚀刻，进行过蚀刻，将在硅化钨层(104)下侧形成的多晶硅层(103)稍稍地进行了均匀蚀刻的状态下，结束蚀刻工序。由此，与以往相比，可以使多晶硅层(103)的残膜量均匀，从而可以稳定地制造优质的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1277293C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN02813794.9
申请日：2002-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/0276 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 使用CF4+O2气体作为蚀刻气体，通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层105，利用等离子体蚀刻，对有机类防反射膜104进行蚀刻，据此，与以往相比，可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。
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公开(公告)号：CN1663030A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03815028.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。
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公开(公告)号：CN109478022B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201780043912.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F1/80 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 提供了对间隔物进行图案化的方法，所述方法包括：在处理室中在基底中设置初始图案化结构，初始图案化结构包括有机芯轴和下层；将图案化结构暴露在直流叠加(DCS)等离子体处理工艺中，该工艺将第一材料的层沉积在初始图案化结构上；使用第二材料进行原子层共形沉积工艺，第一材料在原子层共形沉积工艺开始时为有机芯轴提供保护；进行后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺，该工艺产生具有目标最终侧壁角度的最终图案化结构；在暴露图案化结构、原子层共形沉积工艺和后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺中同时控制集成操作变量以满足目标最终侧壁角度和其他集成目标。
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公开(公告)号：CN101154569B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN100440449C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03815028.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。
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