公开(公告)号：CN109478022B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201780043912.9

申请日：2017-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高明辉 ,  安热利克·雷利 ,  索菲·蒂博 ,  中村悟 ,  尼哈尔·莫汉蒂

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/80 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了对间隔物进行图案化的方法，所述方法包括：在处理室中在基底中设置初始图案化结构，初始图案化结构包括有机芯轴和下层；将图案化结构暴露在直流叠加(DCS)等离子体处理工艺中，该工艺将第一材料的层沉积在初始图案化结构上；使用第二材料进行原子层共形沉积工艺，第一材料在原子层共形沉积工艺开始时为有机芯轴提供保护；进行后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺，该工艺产生具有目标最终侧壁角度的最终图案化结构；在暴露图案化结构、原子层共形沉积工艺和后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺中同时控制集成操作变量以满足目标最终侧壁角度和其他集成目标。

公开(公告)号：CN109478022A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043912.9

申请日：2017-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高明辉 ,  安热利克·雷利 ,  索菲·蒂博 ,  中村悟 ,  尼哈尔·莫汉蒂

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/80 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了对间隔物进行图案化的方法，所述方法包括：在处理室中在基底中设置初始图案化结构，初始图案化结构包括有机芯轴和下层；将图案化结构暴露在直流叠加(DCS)等离子体处理工艺中，该工艺将第一材料的层沉积在初始图案化结构上；使用第二材料进行原子层共形沉积工艺，第一材料在原子层共形沉积工艺开始时为有机芯轴提供保护；进行后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺，该工艺产生具有目标最终侧壁角度的最终图案化结构；在暴露图案化结构、原子层共形沉积工艺和后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺中同时控制集成操作变量以满足目标最终侧壁角度和其他集成目标。