-
公开(公告)号:CN101460655A
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200780020347.0
申请日:2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统,其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
-
公开(公告)号:CN101460655B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN200780020347.0
申请日:2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统,其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
-
公开(公告)号:CN101044601A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200580026456.4
申请日:2005-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , C23C14/50 , C23F1/00
CPC classification number: C23C16/46 , C23C14/541 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供了一种方法和系统,用于对衬底固定器上表面的温度分布进行迅速控制,以在该表面上得到具体的均匀温度分布或具体的非均匀温度分布。衬底固定器包括位于第一热区域中的第一流体通道,该通道采用具体流速和具体温度下的传热流体来控制衬底固定器表面第一热区域的温度分布。位于衬底固定器第二热区域中的第二流体通道采用具体流速和具体温度下的传热流体,并设置为对衬底固定器表面第二热区域的温度分布进行控制。
-
公开(公告)号:CN3360481D
公开(公告)日:2004-03-31
申请号:CN03342350.4
申请日:2003-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 后视图及左、右视图与主视图相同,故
-
公开(公告)号:CN3370151D
公开(公告)日:2004-05-26
申请号:CN03342341.5
申请日:2003-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.因左视图与右视图对称,故省略左视图。2.B为本外观设计产品。
-
公开(公告)号:CN3348519D
公开(公告)日:2004-01-21
申请号:CN03342352.0
申请日:2003-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本外观设计产品主要是沿着半导体晶片
-
-
-
-
-