-
公开(公告)号：CN103069551A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041451.4
申请日：2011-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: G01N21/55 , H01J37/32192 , H01J37/32972 , H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 不影响平板缝隙天线的电磁波辐射特性的均匀性就能够使用波长区域较宽的非相干监视光来高精度地对处理容器内的被处理基板的表面进行光学监视。该微波等离子体蚀刻装置中的光学监视装置（100）具有：监视头（102），其在比载置在基座（12）上的半导体晶圆（W）的边缘靠径向内侧且比同轴管（66）靠径向外侧的位置配置在冷却套筒板（72）之上；监视用的光波导路（104），其以从该监视头（102）起向铅垂下方纵穿盖板（72）、电介质板（56）、缝隙板（54）以及电介质窗（52）的方式设置；以及监视主体（108），其经由光纤（106）与监视头（102）光学耦合。
-
公开(公告)号：CN101385396A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005507.4
申请日：2007-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H05B33/26 , H01L51/5221 , H05B33/22
Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该发光元件包括：第一电极；与上述第一电极相对的第二电极；和包括形成在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层的有机层，其特征在于：上述第二电极包括形成在上述有机层上的保护该有机层的导电性的保护层、和形成在该保护层上的导电性的主电极层。
-
公开(公告)号：CN119908025A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067636.5
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/455
Abstract: 一种基板处理方法，用于在基板处理装置中从气体供给部向基板处理空间供给气体来对基板进行处理，所述气体供给部具备：多个气体源；流路，其用于使所述气体从多个所述气体源流通至所述基板处理空间；以及阀，其设置于所述流路，用于将所述气体的流通在流通与断开之间进行切换，在该基板处理方法中，执行通过在所述阀中使所述气体的流通在流通和断开之间交替地重复来将所述气体的流通进行脉冲化的脉冲控制，在所述脉冲控制中，通过控制所述脉冲控制的持续时间和所述持续时间期间内的所述气体的流通的流通次数，来控制所述气体的流量。
-
公开(公告)号：CN110010437B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811464877.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
-
公开(公告)号：CN110010437A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811464877.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102760632A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210125069.8
申请日：2012-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。
-
公开(公告)号：CN101595241A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200880003117.8
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社大阪真空机器制作所 , 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射方法及溅射装置，其构成简单，能够实现低温低损伤成膜，并且生产性高。本发明是在真空容器内在被成膜对象物上形成初期层后再在初期层上形成第二层的溅射方法，其特征在于，在所述真空容器内，将一对靶子配置为，其表面之间隔开间隔地相互面对，并且该表面朝向配置于靶子间的侧方的被成膜对象物倾斜，在所述一对靶子的对置面侧产生磁场空间而进行溅射，用该被溅射出的溅射粒子在被成膜对象物上形成初期层，再以比初期层的成膜速度快的成膜速度在被成膜对象物上形成第二层。
-
公开(公告)号：CN111630623B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980009430.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 描述了用于控制等离子体性能的方法和系统的实施例。在实施例中，一种方法可以包括以第一组功率参数向等离子体室供应功率。另外，该方法可以包括使用该第一组功率参数在该等离子体室内形成等离子体。该方法还可以包括测量以该第一组功率参数耦合到该等离子体的功率。而且，该方法可以包括以第二组功率参数向该等离子体室供应功率。该方法可以另外包括测量以到该等离子体的该第二组功率参数耦合到该等离子体的功率。该方法还可以包括至少部分地基于对以该第二组功率参数耦合的功率的测量来调整该第一组功率参数。
-
公开(公告)号：CN113594018B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110735397.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
-
公开(公告)号：CN114050100B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111174570.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.026 seconds)
