公开(公告)号：CN101385396A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005507.4

申请日：2007-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 茂山和基 ,  八木靖司 ,  渡边伸吾 ,  河村忠一 ,  吉野公彦 ,  大见忠弘

IPC: H05B33/26 ,  C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/24

CPC classification number: H05B33/26 ,  H01L51/5221 ,  H05B33/22

Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该发光元件包括：第一电极；与上述第一电极相对的第二电极；和包括形成在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层的有机层，其特征在于：上述第二电极包括形成在上述有机层上的保护该有机层的导电性的保护层、和形成在该保护层上的导电性的主电极层。

公开(公告)号：CN101467493A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021797.1

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 八木靖司 ,  渡边伸吾 ,  野沢俊久 ,  河村忠一 ,  吉野公彦 ,  大见忠弘

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/001 ,  C23C14/12 ,  C23C14/28 ,  H01L51/56

Abstract: 公开了一种发光元件的制造装置，其特征在于：具有进行衬底处理的多个处理室，该衬底处理用于在被处理衬底上形成具有包含有机层的多个层的发光元件；多个处理室分别构成为：以被处理衬底的形成发光元件的元件形成面朝向与重力方向相反的方向的方式，进行被处理衬底的衬底处理。

公开(公告)号：CN101390450A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006400.1

申请日：2007-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  渡边伸吾

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01L51/0008 ,  C23C14/12 ,  C23C14/20 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/34 ,  C23C14/568 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和发光元件的制造方法。上述成膜装置的特征在于，包括：在内部具有保持被处理基板的保持台的处理容器；使含有金属的成膜原料蒸发或者升华而生成气体原料、且设置在上述处理容器的外部的气体原料生成部；向上述处理容器内供给上述气体原料的气体原料供给部；和将上述气体原料从上述气体原料生成部输送至上述气体原料供给部的输送通路，以在上述被处理基板上的包括发光层的有机层上形成含有金属的层的方式构成。