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公开(公告)号：CN107608396A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710555971.6
申请日：2017-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法，为了控制多个气体并执行工艺而进行了改进。向基板处理装置的腔室供给气体的气体供给系统，具备：第1流路，连接第1气体的第1气源与腔室；第2流路，连接第2气体的第2气源与第1流路；控制阀，设置于第2流路，并将第2气体的流量控制为规定量；节流孔，设置于控制阀的下游且为第2流路的末端；开闭阀，设置于第1流路与第2流路的末端的连接部位，并控制从节流孔的出口向第1流路供给的第2气体的供给定时；排气机构，连接于第2流路中控制阀与节流孔之间的流路，并排出第2气体；及控制器，使控制阀、开闭阀及排气机构动作。
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公开(公告)号：CN102541102B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110430694.9
申请日：2011-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种处理装置，能够不用手工操作进行环状隔壁构件位置的改变或更换和处理气体喷出部自身的更换，改变处理气体的喷出位置。具有与载置台(4)对置设置在处理室(2)内并喷出处理气体的处理气体喷出部(5)；在处理气体喷出部(5)内通过隔壁(14)互相分隔设置的具有喷出处理气体喷出孔(16)的与被处理体面内的中心部分对应的第一空间(15a)、与被处理体面内的边缘部分对应的第二空间(15i)、设置在第一空间(15a)与第二空间(15i)之间的至少一个第三空间(15b)～(15h)；和包含连通这些空间的处理气体分配管(18a)～(18i)、开闭邻接的处理气体分配管(18a)～(18i)彼此之间的阀(19a)～(19h)的处理气体分配单元(12)。
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公开(公告)号：CN102017096A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980113887.2
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 一种成膜装置，通过在真空容器内，多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环，而在基板的表面将薄膜成膜，其特征在于，具有：设置在上述真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与上述多个下部件分别对置地设置，在与上述载置区域之间形成处理空间的多个上部件；用于向上述处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部；以及用于在供给上述第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部；沿上述处理空间的周向形成，用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的上述真空容器内的环境气氛的排气用开口部；用于将上述处理空间经由上述排气用开口部以及上述真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。
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公开(公告)号：CN119663233A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411257190.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、气体控制系统、等离子体处理装置以及气体控制方法。气体供给系统具有：多个气体供给流路，其能够独立地供给气体；流量控制器，其配置于气体供给流路；一次侧阀，其配置于流量控制器的上游侧；一次侧气体排气流路，其在流量控制器与一次侧阀之间的位置分支出来，连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于流量控制器的下游侧；二次侧气体排气流路，其在流量控制器与二次侧阀之间的位置分支出来，连接于二次侧排气机构；二次侧排气阀，其配置于二次侧气体排气流路，流量控制器具有：控制阀，其与一次侧阀及二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于控制阀与二次侧阀之间。
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公开(公告)号：CN117813677A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280053234.5
申请日：2022-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 一种向处理腔室内供给气体的气体供给系统，具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够各自独立地向所述处理腔室供给气体；流量控制器，在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路配置所述流量控制器；一次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠上游侧的位置；一次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述一次侧阀之间分支出来并连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于所述一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠下游侧的位置；二次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述二次侧阀之间分支出来并连接于二次侧排气机构；以及二次侧排气阀，其配置于所述二次侧气体排气流路，其中，所述流量控制器具有：控制阀，其与所述一次侧阀及所述二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于所述控制阀与所述二次侧阀之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116469745A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310013724.9
申请日：2023-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 泽地淳
Abstract: 本发明涉及一种气体供给系统、等离子体处理装置及气体供给方法。气体供给系统具备的控制部执行以下控制：计算在多个气体供给流路的各气体供给流路中流动的主气体的流量；获取在添加气体流路中流动且与在各个气体供给流路中流动的主气体进行混合的添加气体的流量；在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算主气体的流量与添加气体的流量之和即合计流量；使用在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算出的合计流量、以及主气体及添加气体的预先获取到的流量与压力之间的关系，来计算多个气体供给流路各自的内部压力；计算在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算出的内部压力之比；以及基于内部压力之比来对多个流量控制阀的开度进行比例控制。
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公开(公告)号：CN114388330A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111194945.8
申请日：2021-10-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、基片处理系统和维护方法，能够易于对形成在其中对基片进行处理的处理空间的腔室进行维护。本发明的基片处理装置包括：第1腔室和第2腔室、基片支承器、升降机构、夹具和解除机构。第1腔室包括提供开口的侧壁以及可动部。升降机构使可动部向上方和下方移动。基片支承器配置在第1腔室内。第2腔室配置在第1腔室内，与基片支承器一同形成空间。第2腔室能够经由开口在第1腔室的内部空间与第1腔室的外部之间进行搬送。夹具将第2腔室按照可解除的方式固定在可动部上。解除机构用来解除夹具对第2腔室的固定。
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公开(公告)号：CN107608396B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710555971.6
申请日：2017-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法，为了控制多个气体并执行工艺而进行了改进。向基板处理装置的腔室供给气体的气体供给系统，具备：第1流路，连接第1气体的第1气源与腔室；第2流路，连接第2气体的第2气源与第1流路；控制阀，设置于第2流路，并将第2气体的流量控制为规定量；节流孔，设置于控制阀的下游且为第2流路的末端；开闭阀，设置于第1流路与第2流路的末端的连接部位，并控制从节流孔的出口向第1流路供给的第2气体的供给定时；排气机构，连接于第2流路中控制阀与节流孔之间的流路，并排出第2气体；及控制器，使控制阀、开闭阀及排气机构动作。
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公开(公告)号：CN111077917A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910993689.5
申请日：2019-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
Abstract: 本发明提供一种能够检查流量控制器的控制功能的流量控制器的检查方法。一种检查方法，其为进行流体的流量控制的流量控制器的检查方法，其中，流量控制器具备：第1压力检测器，检测作为流体压力的第1压力；及隔膜阀，设置于第1压力检测器的下游且具有隔膜及驱动隔膜的压电元件，检查方法包括：基准获取步骤，获取包含相对于流体的设定流量的第1压力及压电元件的控制值的基准数据；对象测定步骤，在执行基准获取步骤之后，测定包含相对于流体的设定流量的第1压力及压电元件的控制值的对象数据；及判定步骤，通过对基准数据与对象数据进行比较，判定在隔膜阀是否存在不良情况。
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公开(公告)号：CN110444460A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910738671.0
申请日：2015-08-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的应用方法。一个实施方式的等离子体处理装置中的气体供给系统包括第一～第三机构。第一机构的多个整合部构成为对来自一个以上的气源的气体进行选择并输出所选择的气体。第二机构构成为对来自多个整合部的多个气体进行分配，对所分配的气体的流量进行调节并将其输出。第三机构构成为将气体供给系统内的气体排出至排气装置。所述应用方法包括：使多个流量控制单元停止的步骤；关闭机构中的多个第一阀、第二阀和第三阀的步骤；打开多个第四阀的步骤；和利用压力计对排气管的压力进行计测的步骤。由此，能够检测气体供给系统所具有的多个第一阀的泄漏。
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