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公开(公告)号：CN113594069A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110429608.6
申请日：2021-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够削减半导体装置的制造中的系统的设置面积的部件更换系统和部件更换装置。进行消耗部件的更换的部件更换系统包括部件收纳装置和部件更换装置。部件收纳装置收纳使用前的消耗部件。部件更换装置与处理装置和部件收纳装置连接，能够将安装于该处理装置内的使用后的消耗部件与收纳于部件收纳装置内的使用前的消耗部件进行更换。此外，部件更换装置能够移动至安装有作为更换对象的消耗部件的处理装置的位置，与该处理装置连接。此外，部件收纳装置能够移动至与安装有作为更换对象的消耗部件的处理装置连接的部件更换装置的位置，与该部件更换装置连接。
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公开(公告)号：CN114823264A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210021589.8
申请日：2022-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法。本发明的一个方式的等离子体处理系统是对基片实施等离子体处理的等离子体处理系统，包括：内部安装有消耗部件的腔室；与所述腔室连接的真空输送室；输送装置，其设置在所述真空输送室内，在所述真空输送室与所述腔室之间输送所述消耗部件；测量器，其设置在该等离子体处理系统内的所述腔室外，检测所述消耗部件的状态；和控制该等离子体处理系统的各要素的控制部。根据本发明，能够检测消耗部件的状态。
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公开(公告)号：CN114388330A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111194945.8
申请日：2021-10-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、基片处理系统和维护方法，能够易于对形成在其中对基片进行处理的处理空间的腔室进行维护。本发明的基片处理装置包括：第1腔室和第2腔室、基片支承器、升降机构、夹具和解除机构。第1腔室包括提供开口的侧壁以及可动部。升降机构使可动部向上方和下方移动。基片支承器配置在第1腔室内。第2腔室配置在第1腔室内，与基片支承器一同形成空间。第2腔室能够经由开口在第1腔室的内部空间与第1腔室的外部之间进行搬送。夹具将第2腔室按照可解除的方式固定在可动部上。解除机构用来解除夹具对第2腔室的固定。
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公开(公告)号：CN113838773A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110665753.4
申请日：2021-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种能够容易地维护腔室的基片处理装置，该腔室规定在其中进行对基片的处理的基片处理空间。本发明的基片处理装置包括第一腔室、基片支承器、致动器、第二腔室和至少一个固定器具。基片支承器和第二腔室配置在第一腔室的内部空间内。致动器使基片支承器在第一位置与第二位置之间移动。在基片支承器处于第一位置时，第二腔室与基片支承器一起规定基片处理空间。在基片支承器处于第二位置时，能够经由第一腔室的开口在第一腔室的内部空间与外部之间运送第二腔室。至少一个固定器具在第一腔室的内部空间中将第二腔室可解除地固定在第一腔室。
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公开(公告)号：CN112928009A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011351752.4
申请日：2020-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供不进行大气开放而高精度地计测处理容器内的状态的计测装置、计测方法和真空处理装置。计测装置包括：壳体，其形成有具有与真空处理装置的第二出入口对应的尺寸的开口部，能够在第二出入口气密地安装开口部，其中，真空处理装置在处理容器设置有用于送入送出基片的第一出入口和与第一出入口不同的第二出入口；对壳体内部进行减压的减压机构；以及收纳于壳体内部的计测机构，其在由减压机构对壳体内部进行了减压的状态下，经由开口部计测处理容器内的状态。
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