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公开(公告)号：CN113471071A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110244018.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 一种蚀刻方法，包括:a工序，在腔室内的载置台上提供基板，基板具有包括第一含硅材料的第一区域以及包括第二含硅材料的第二区域；b工序，对第一区域进行蚀刻直至第二区域露出或者第二区域即将露出；c工序，通过使基板暴露于使用第一RF信号由包括碳原子以及氟原子的第一处理气体生成的等离子体，在基板之上形成堆积物；d工序，使堆积物暴露于使用第一RF信号由包括惰性气体的第二处理气体生成的等离子体，从而相对于第二区域选择性地对第一区域进行蚀刻；以及重复c工序和d工序的e工序，在c工序中，通过将第一RF信号的频率设定为60MHz～300MHz的范围和/或将载置台的温度设定为100℃～200℃的范围，将包含于堆积物中的碳原子数与氟原子数的比控制为大于1。
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公开(公告)号：CN119663233A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411257190.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、气体控制系统、等离子体处理装置以及气体控制方法。气体供给系统具有：多个气体供给流路，其能够独立地供给气体；流量控制器，其配置于气体供给流路；一次侧阀，其配置于流量控制器的上游侧；一次侧气体排气流路，其在流量控制器与一次侧阀之间的位置分支出来，连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于流量控制器的下游侧；二次侧气体排气流路，其在流量控制器与二次侧阀之间的位置分支出来，连接于二次侧排气机构；二次侧排气阀，其配置于二次侧气体排气流路，流量控制器具有：控制阀，其与一次侧阀及二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于控制阀与二次侧阀之间。
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公开(公告)号：CN117813677A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280053234.5
申请日：2022-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 一种向处理腔室内供给气体的气体供给系统，具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够各自独立地向所述处理腔室供给气体；流量控制器，在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路配置所述流量控制器；一次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠上游侧的位置；一次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述一次侧阀之间分支出来并连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于所述一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠下游侧的位置；二次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述二次侧阀之间分支出来并连接于二次侧排气机构；以及二次侧排气阀，其配置于所述二次侧气体排气流路，其中，所述流量控制器具有：控制阀，其与所述一次侧阀及所述二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于所述控制阀与所述二次侧阀之间。
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公开(公告)号：CN114843167A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210078431.4
申请日：2022-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够消除等离子体密度分布的偏倚，改善蚀刻特性。提供一种用于等离子体处理装置的高频电力的滤波电路，该等离子体处理装置具有电极和与所述电极的背面的中心部连接的供电体，通过施加高频电力来生成等离子体，其中，所述滤波电路，设置在设置于所述等离子体处理装置的导电性部件与向所述导电性部件供给直流电力或小于400kHz的频率的电力的电源之间的配线上，且具有串联谐振电路，该串联谐振电路具有与所述配线串联连接的线圈和连接在所述配线与接地之间的电容器，所述线圈的中心轴与所述供电体的中心轴一致。
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