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公开(公告)号：CN111162006B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201911082523.4
申请日：2019-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种抑制掩模图案的偏差的处理方法和基板处理装置。所述处理方法具有：第一工序，在被蚀刻膜上使沉积物沉积于图案化的掩模层；以及第二工序，去除所述掩模层的一部分和所述沉积物的一部分中的至少任一方，在该处理方法中，将所述第一工序和所述第二工序重复一次以上，使所述掩模层的图案的侧面的锥角成为期望的角度。
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公开(公告)号：CN102403183B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110287142.7
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32706 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/76897 , H01L29/6653 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。
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公开(公告)号：CN119663233A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411257190.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、气体控制系统、等离子体处理装置以及气体控制方法。气体供给系统具有：多个气体供给流路，其能够独立地供给气体；流量控制器，其配置于气体供给流路；一次侧阀，其配置于流量控制器的上游侧；一次侧气体排气流路，其在流量控制器与一次侧阀之间的位置分支出来，连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于流量控制器的下游侧；二次侧气体排气流路，其在流量控制器与二次侧阀之间的位置分支出来，连接于二次侧排气机构；二次侧排气阀，其配置于二次侧气体排气流路，流量控制器具有：控制阀，其与一次侧阀及二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于控制阀与二次侧阀之间。
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公开(公告)号：CN117813677A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280053234.5
申请日：2022-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 一种向处理腔室内供给气体的气体供给系统，具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够各自独立地向所述处理腔室供给气体；流量控制器，在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路配置所述流量控制器；一次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠上游侧的位置；一次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述一次侧阀之间分支出来并连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于所述一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠下游侧的位置；二次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述二次侧阀之间分支出来并连接于二次侧排气机构；以及二次侧排气阀，其配置于所述二次侧气体排气流路，其中，所述流量控制器具有：控制阀，其与所述一次侧阀及所述二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于所述控制阀与所述二次侧阀之间。
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公开(公告)号：CN117637468A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311071845.5
申请日：2023-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，能够去除含金属层。在一个例示性的实施方式中，基板处理方法包括：工序(a)，提供基板，基板具备包含第一材料的第一区域和包含第二材料的第二区域，第一材料包含硅，第二材料与第一材料不同；工序(b)，利用从包含卤族元素和金属的处理气体生成的等离子体，在第一区域上形成含金属层，并且对第二区域进行蚀刻；以及工序(c)，利用碱将含金属层去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115513049A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210672045.8
申请日：2022-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够提高蚀刻选择比。蚀刻方法包括以下工序：准备基板，基板包括包含硅和氮的第一区域、以及包含硅和氧的第二区域；以及将第一区域和第二区域暴露于由包含碳、氟及钨的处理气体生成的等离子体中，由此在第一区域上形成含钨保护层，同时蚀刻第二区域。
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公开(公告)号：CN102403183A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110287142.7
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32706 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/76897 , H01L29/6653 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。
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公开(公告)号：CN102362201A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013593.5
申请日：2010-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B29D11/00365 , B29D11/00298 , G03F7/0005
Abstract: 本发明提供一种微型透镜阵列的制造方法和微型透镜阵列。该微型透镜阵列的制造方法是在一个面上具有多个突出成大致半球面状的微型透镜的微型透镜阵列的制造方法，其包括：抗蚀剂形成工序，其用于在作为微型透镜的材料层的有机膜层上形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层用于形成微型透镜的形状；蚀刻工序，其用于使用氟混合气体对已形成的抗蚀剂层以及有机膜层进行蚀刻，该混合气体是使含有氢的分子以及含有氟素的分子混合而成的。
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公开(公告)号：CN117637467A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311066469.0
申请日：2023-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，提高蚀刻选择比。在所公开的蚀刻方法中，在基板在腔室内载置于基板支承部上、且处理气体供给到腔室内的状态下，重复循环。基板包括由包含硅的材料形成的第一区域、以及由与第一区域的材料不同的材料形成的第二区域。处理气体包含钨以及用于第一区域的蚀刻的成分。循环包括第一工序～第三工序。第一工序中的源高频电力的功率电平比第二工序～第三工序的各工序中的源高频电力的功率电平大。第三工序中的电偏压的电平比第一工序中的电偏压的电平大。第二工序中的电偏压的电平比零大。
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公开(公告)号：CN115910773A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211158415.2
申请日：2022-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好的形状的凹部。蚀刻方法包括准备基板的工序。基板包括包含第一材料的第一区域、以及包含与第一材料不同的第二材料的第二区域。蚀刻方法包括利用从包含含钨气体的处理气体生成的等离子体来蚀刻第二区域的工序。在进行蚀刻的工序中，在处理气体中包含的除非活性气体以外的全部气体中，含钨气体的流量最多。
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