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公开(公告)号：CN101295186B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200810089941.1
申请日：2008-04-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , CKD株式会社
CPC classification number: G05D23/19
Abstract: 一种温度控制装置，通过在配置于被控对象附近的调温部(11)使流体循环来预期地控制被控对象的温度，其包括：加热流体并使流体在调温部(11)循环的加热通路(40)；冷却流体并使流体在调温部(11)循环的冷却通路(20)；使流体在调温部(11)循环而不通过加热通路(40)及冷却通路(20)的旁通路(30)；以及对来自加热通路(40)、冷却通路(20)、旁通路(30)通过对它们进行汇流的汇流部(12)向调温部(11)输出流体的流量比进行调节的调节装置(44，24，34)。调节装置(44，24，34)位于加热通路(40)，冷却通路(20)，旁通路(30)的各下游侧且设置在汇流部(12)的上游侧。
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公开(公告)号：CN101154569A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN101093796A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710140293.3
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。
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公开(公告)号：CN1663030A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03815028.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。
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公开(公告)号：CN1596462A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02823839.7
申请日：2002-11-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J2237/2001 , H01L21/67069
Abstract: 提供了一种防止传热气体的放电，且可高精度进行被处理体的温度控制的处理装置。在向相对设置在密封处理容器(102)内的一对电极中的下部电极110施加高频功率，并将导入到电极间的处理气体等离子体化后，对被处理体表面进行规定处理的等离子体蚀刻装置(100)中，该等离子体装置由传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)构成，传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)使将被处理体控制为规定温度用的传热气体供给吸附保持被处理体的静电卡盘(112)和被处理体间的微小空间S内的传热气体供给部(120)相对由供给电极的高频功率所产生的电场方向倾斜。
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公开(公告)号：CN112397369B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202010766400.9
申请日：2020-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统中的输送方法。本发明的基片处理系统中的输送方法包括托盘送入步骤、测量步骤、调节步骤、基片载置步骤和托盘送出步骤。在托盘送入步骤中，将能够载置半导体基片和边缘环的托盘送入设置有载置台的载置室。在测量步骤中，测量载置于托盘的边缘环的位置以获取边缘环的位置信息。在调节步骤中，基于所获得的位置信息，调节半导体基片的位置。在基片载置步骤中，将位置调节后的半导体基片载置在托盘。在托盘送出步骤中，将载置有半导体基片和边缘环的托盘从上述载置室送出。本发明能够相对于边缘环将半导体基片配置在正确的位置。
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公开(公告)号：CN119585853A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054430.9
申请日：2023-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 一种高纯度硅的层叠造型方法，其包括：使真空处理容器的内部成为高真空状态的工序；对配置在所述真空处理容器的内部的基板进行加热的工序；使硅粉末堆积在所述基板上的硅粉末堆积工序；使造型用能量射线在所述基板上扫描而形成熔化硅层的熔化硅层形成工序；和使所述熔化硅层冷却而形成凝固硅层的凝固硅层形成工序，反复执行包括使所述硅粉末堆积的工序、所述熔化硅层形成工序和所述凝固硅层形成工序的循环。
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公开(公告)号：CN109216253B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201810736687.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在基板的背面发生的放电的静电卡盘的制造方法和静电卡盘。在该静电卡盘的制造方法中，该静电卡盘通过向第一电极层施加电压来吸附基板，所述静电卡盘的制造方法包括以下步骤：在基台上的第一树脂层上形成所述第一电极层的步骤；以及向所述第一电极层上喷镀陶瓷或含有陶瓷的物质，其中，喷镀所述陶瓷或含有陶瓷的物质的步骤包括以下步骤：利用等离子体生成气体来运送从给料机投入到喷嘴内的喷镀材料的粉末，从喷嘴的前端部的开口喷射该粉末；利用500W～10kW的电力使所喷射的等离子体生成气体解离，来生成与所述喷嘴具有共同的轴芯的等离子体；以及利用生成的等离子体使喷镀材料的粉末以液状在所述第一电极层上成膜。
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公开(公告)号：CN113451101A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110659565.0
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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公开(公告)号：CN109841476B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811440918.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置，目的在于使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。提供半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。
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