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公开(公告)号：CN104947080A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510138216.9
申请日：2015-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45563 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供使用气体喷嘴的成膜装置。该成膜装置包括：第1和第2原料气体喷嘴，分别在与基板之间的间隙对应的高度位置形成有朝向基板的中央部喷出原料气体的多个气体喷出孔；向反应容器内供给反应气体的反应气体供给部；第1和第2原料气体供给路径，分别与第1和第2原料气体喷嘴相连接；第1和第2罐，分别设于第1和第2原料气体供给路径的中途，以升压了的状态储存原料气体；设于第1和第2罐的上游侧和下游侧的阀；对反应容器内进行真空排气的排气口，在排列有基板的高度区域中的、排列方向上的中央的高度区域配置有第1和第2原料气体喷嘴这两者的气体喷出孔，在中央的高度区域以外配置有第1和第2原料气体喷嘴中的至少一者的气体喷出孔。
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公开(公告)号：CN1958878A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610135715.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C30B25/00 , C23C16/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4405 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜装置的使用方法，其决定成膜处理的处理条件。处理条件包括在被处理基板上形成的薄膜的设定膜厚。另外，根据处理条件，决定进行清除处理的定时。定时由成膜处理的反复次数和设定膜厚的乘积而得到的薄膜累积膜厚的阈值所规定。即使反复进行(N)(N是正整数)次成膜处理，累积膜厚也不大于阈值；如果反复进行(N+1)次，则大于阈值。并且，该方法包括：其间不加入清除处理，进行由成膜处理组成的从第一次处理到第(N)次处理的工序；和在第(N)次处理后、并且在由成膜处理组成的(N+1)次处理前，进行清除处理的工序。
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公开(公告)号：CN118109798A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311563849.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供在低温下能形成含有硼原子和氮原子的膜的成膜方法及成膜装置。根据本发明的一个方式的成膜方法，将依次进行如下工序的处理反复多次：向基板供给环硼氮烷系气体，使所述基板吸附所述环硼氮烷系气体的工序；和将所述基板暴露于氮等离子体的工序。
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公开(公告)号：CN116913759A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310373974.3
申请日：2023-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/31 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本公开提供一种成膜方法，能够提高成膜的硅氮化膜的膜质。成膜方法是在基板形成硅氮化膜的方法，所述成膜方法包括以下工序：工序(a)，向收容有所述基板的处理容器内供给含硅气体；以及工序(b)，在所述工序(a)后，向收容有所述基板的所述处理容器内供给含氮气体。在成膜方法中，使所述工序(b)中的所述处理容器的内压比所述工序(a)中的所述处理容器的内压大。
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公开(公告)号：CN111725050A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010177565.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，是能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机构，其具有与所述处理容器内连通的等离子体生成空间；第一气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间，并且供给氢气；以及第二气体供给部，其设置于所述处理容器内，并且供给氢气。
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公开(公告)号：CN101311336B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810096452.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体活性化而得到的自由基作用上述反应室的内面。
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公开(公告)号：CN101562133A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910130094.3
申请日：2009-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/02145 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/28282 , H01L21/31612 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其在能够被有选择地供给硅源气体和金属源气体的处理容器的处理区域内，进行在被处理衬底上形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜处理。成膜处理包括：阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第一绝缘薄层的工序；接着，阻断所述硅源气体的供给、并且使所述金属源气体发生化学反应来形成第一金属薄层的工序；接着，阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第二绝缘薄层的工序。
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公开(公告)号：CN101532126A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127042.0
申请日：2009-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/22 , C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/345 , C23C16/4404 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置及其使用方法。半导体处理用的成膜装置的使用方法，为了减少金属污染，包括：使用清洗气体对处理容器内的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面进行清洗处理的工序；接着，通过交替供给硅源气体和氮化气体而进行硅氮化膜的覆盖处理，利用硅氮化膜覆盖处理容器的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面的工序。
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公开(公告)号：CN101311336A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810096452.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体活性化而得到的自由基作用上述反应室的内面。
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公开(公告)号：CN116913758A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310344922.3
申请日：2023-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理装置，能够改善针对凹部填埋氮化硼膜的填埋特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给包含含硼气体和含氮气体的第一气体，来在所述凹部形成氮化硼膜；以及向所述基板供给不包含含硼气体而包含含氮气体的第二气体，并对所述氮化硼膜进行热处理。
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