公开(公告)号：CN1820373A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200580000583.7

申请日：2005-04-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥毅 ,  下村晃司 ,  中村源志 ,  青山真太郎 ,  山崎和良

IPC: H01L29/78 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供在硅基板(1)上形成SiO2电容换算膜厚在1.45nm以下的由硅酸铪类材料构成的栅极绝缘膜(4)的方法。该方法包括：洗净硅基板(1)的表面，使其成为实质上不存在氧的清洁面的工序；通过使用酰胺类有机铪化合物和含硅原料的CVD工艺，在硅基板(1)的清洁面上形成硅酸铪膜(2)的工序；在硅酸铪膜(2)上实施氧化处理的工序；和在实施氧化处理后的硅酸铪膜(2)上实施氮化处理的工序。根据该方法，能够得到即使膜厚度薄、表面粗糙度也良好的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN1765008A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200480008004.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  神力博

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明涉及一种等离子体点火方法，该方法解决将处理容器的内部抽真空的状态下停止运转的情况下，即使重启运行也会出现不容易点火等离子体的现象的问题。向处理容器(21)中流通含氧气体，一边排放出所述处理容器(21)内部的气体，一边用紫外光照射所述含氧气体。之后，驱动远距离等离子体源(26)，点火等离子体。

公开(公告)号：CN108796471A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810400288.X

申请日：2018-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 芦泽宏明 ,  藤井康 ,  高桥毅 ,  洪锡亨 ,  山崎和良 ,  中村秀雄 ,  布重裕 ,  神尾卓史

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。

公开(公告)号：CN107978541A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710969596.X

申请日：2017-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  桑田拓岳 ,  江原宽贵 ,  田部井幸宽 ,  高桥毅 ,  中村秀雄 ,  山崎和良 ,  出野由和

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室(1)内进行排气的排气机构(42)；和控制部(6)，其控制气体供给机构(5)以使得向晶片(W)交替供给TiCl4气体和NH3气体，气体供给机构(5)具有加热NH3气体并使其状态变化的NH3气体加热单元(65)，向腔室(1)内供给由NH3气体加热单元(65)导致状态发生了变化的NH3气体。

公开(公告)号：CN102725834A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007086.5

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一 ,  山崎和良 ,  野口秀幸 ,  田村大辅 ,  齐藤智博

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 向等离子体氮化处理装置（100）的处理容器（1）中，导入包括氮气和稀有气体的处理气体，处理气体的流量在换算成每1L所述处理容器的容积的处理气体的合计流量[mL/min（sccm）]时处于1.5（mL/min）/L以上13（mL/min）/L以下的范围内，在处理容器（1）内产生含氮等离子体，更换晶片W并连续进行氮化处理。氮气和稀有气体的体积流量比（氮气/稀有气体）优选为0.05以上0.8以下的范围内。

公开(公告)号：CN101341584B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680048312.3

申请日：2006-11-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  秋山浩二

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种高电介质薄膜的改性方法和半导体装置，在使用有机金属化合物材料、在被处理体的表面上形成的高电介质薄膜的改性方法中，包括：准备在表面上形成有上述高电介质薄膜的上述被处理体的准备工序；和维持上述被处理体在规定的温度，并在非活性气体的气氛中对上述高电介质薄膜照射紫外线，由此进行上述高电介质薄膜的改性的改性工序。由此，能够使碳成分从高电介质薄膜中脱离，并且使整体热压配合而提高密度，防止缺损的发生，而且能够提高膜密度，从而提高介电常数，能够得到较高的电特性。

公开(公告)号：CN100459061C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200380100584.X

申请日：2003-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 为了将增膜抑制到最小限度地有效地进行氮化非常薄的、膜厚0.4nm或以下的氧化膜、氮氧化膜，由氧自由基形成机构来形成氧自由基，利用形成的氧自由基，氧化硅基板，在硅基板上形成氧化膜，进一步由氮自由基形成机构来形成氮自由基，氮化所述氧化膜表面来形成氮氧化膜。

公开(公告)号：CN102738059A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210088844.7

申请日：2012-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽亮太 ,  山崎和良 ,  佐野正树

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02247 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种STI工艺中沿着硅的沟道的内壁面形成对氧的扩散具有阻挡性的数nm左右厚度的薄膜的方法。在等离子体处理装置(100)中，通过从平面天线(31)经由微波透过板(28)放射到处理容器(1)内的微波，在处理容器(1)内形成电磁场，从而分别使Ar气和N2气等离子体化。通过等离子体中的活性种的作用，使晶片(W)的沟道的内壁面极薄地氮化，由此形成致密的内衬SiN膜。

公开(公告)号：CN101326620B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200780000645.3

申请日：2007-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有贺美辉 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  下村晃司

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对上述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向上述第一和第二处理位置搬送，对上述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行上述氮原子的导入处理和上述热处理，将上述被处理基板在上述第一位置处理后，在上述第二处理位置在30秒以内开始对其处理。

公开(公告)号：CN100485885C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200480027351.6

申请日：2004-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  井下田真信 ,  山崎和良

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67155

Abstract: 本发明提供一种在处理容器内、在规定的处理温度下、在被处理基板表面形成氧化膜的成膜方法，其包括将上述基板升温至上述规定的处理温度的升温工序，上述升温工序包括在上述基板的温度达到450℃的温度之前、将上述基板保持在含氧的气氛中的工序。