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公开(公告)号：CN100471990C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200480002342.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/02 , C23C16/458 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。
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公开(公告)号：CN101325174A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810086981.0
申请日：2005-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/522 , H01L23/532 , C23C16/02 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0281 , C23C16/34 , H01J37/321 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76814 , H01L21/76856 , Y10S438/905 , Y10S438/906 , Y10S438/974
Abstract: 本发明提供一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，其包括将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。本发明还提供一种在由Si基板或基板上形成的金属硅化物膜构成的衬底上形成的接触结构。所述接触结构由在所述衬底上形成的Si或金属硅化物与Ti的反应层、和在所述反应层上形成的2层结构的TiN膜组成。
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公开(公告)号：CN1958170A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610142776.2
申请日：2006-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B05B1/14 , C23C16/448 , C23C14/00 , C23F4/00 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种气体喷头(气体供给装置)，其用于CVD装置等，由镍部件组合而构成，防止由于高温引起的镍部件之间相互贴合。用螺钉将形成有大量气体供给孔的由镍部件构成的喷淋板，和与该喷淋板之间形成处理气体流通空间、同时气密地安装在处理容器天井部开口部的周边部的由镍部件构成的基体部件，在周边部位相互接合。在相互的接合面之间，插入不同于镍部件的材质、例如哈斯特洛依耐蚀耐热镍基合金或碳等中间部件。
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公开(公告)号：CN1777694A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200380100145.9
申请日：2003-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/4408 , C23C16/50 , H01L21/28562
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子体CVD在被处理基板(W)上形成规定薄膜的成膜方法，该方法至少交替各进行一次所述第一以及第二工序。第一工序中，一边将含有薄膜成份的化合物气体和还原气体供给到收纳基板(W)的处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第一等离子体。第二工序中，继第一工序之后，一边将所述还原气体供给到处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第二等离子体。
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公开(公告)号：CN104066871A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006555.0
申请日：2013-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 长谷川敏夫 , 多田国弘 , 山崎英亮 , 大卫·L·奥梅亚拉 , 格利特·J·莱乌辛克
IPC: C23C16/42
CPC classification number: H01L21/76898 , C23C16/42 , C23C16/45538 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L28/91 , H01L29/66181
Abstract: 提供了一种用于在衬底上形成金属硅化物层的方法。根据一个实施方案，该方法包括：将衬底设置在处理室中；以第一衬底温度将衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体，其中等离子体暴露以自限性过程在衬底上形成共形的含金属层。该方法还包括：以第二衬底温度将含金属层在不存在等离子体的条件下暴露于还原气体，其中将上述暴露步骤交替地进行至少一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不包含还原气体。该方法提供了在具有高深宽比的深沟槽中形成共形金属硅化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101501244B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780029097.7
申请日：2007-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种气体供给装置以及基板处理装置，在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，对于从基板的中心部向外周部的气流，通过比现有技术更加均衡地整理圆周方向之间的流速分布，来抑制例如十字状的颗粒密集区域的产生，而且能够提高处理条件的自由度。设置气体供给装置的喷淋板上所穿设的气体供给孔的配置图案，使得这些气体供给孔配置在多个同心圆上，并且使同心圆上的气体供给孔和与内侧邻接的同心圆以及与外侧邻接的同心圆的各自最接近的气体供给孔不在同心圆的半径上排列。
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公开(公告)号：CN101310040B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200780000105.5
申请日：2007-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/14 , C23C8/36 , C23C16/4405 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种Ti系膜的成膜方法，是在收纳晶片(W)的腔室(31)内，从至少表面由含有Ni的材料构成的喷淋头(40)喷出含有TiCl4气体的处理气体，在配置在腔室(31)内的晶片(W)的表面上形成Ti系膜时，使喷淋头(40)的温度在300℃以上并低于450℃，而且使TiCl4气体的流量为1～12mL/min(sccm)或TiCl4气体分压为0.1～2.5Pa，在规定枚数的晶片(W)上形成Ti系膜；此后使喷淋头(40)的温度为200～300℃，向所述腔室(31)内导入ClF3气体，清洁所述腔室(31)内。
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公开(公告)号：CN1958170B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610142776.2
申请日：2006-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B05B1/14 , C23C16/448 , C23C14/00 , C23F4/00 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种气体喷头(气体供给装置)，其用于CVD装置等，由镍部件组合而构成，防止由于高温引起的镍部件之间相互贴合。用螺钉将形成有大量气体供给孔的由镍部件构成的喷淋板，和与该喷淋板之间形成处理气体流通空间、同时气密地安装在处理容器天井部开口部的周边部的由镍部件构成的基体部件，在周边部位相互接合。在相互的接合面之间，插入不同于镍部件的材质、例如哈斯特洛依耐蚀耐热镍基合金或碳等中间部件。
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公开(公告)号：CN101325174B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810086981.0
申请日：2005-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/522 , H01L23/532 , C23C16/02 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0281 , C23C16/34 , H01J37/321 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76814 , H01L21/76856 , Y10S438/905 , Y10S438/906 , Y10S438/974
Abstract: 本发明提供一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，其包括将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。本发明还提供一种在由Si基板或基板上形成的金属硅化物膜构成的衬底上形成的接触结构。所述接触结构由在所述衬底上形成的Si或金属硅化物与Ti的反应层、和在所述反应层上形成的2层结构的TiN膜组成。
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公开(公告)号：CN1954095B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200580015706.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4586 , H01L21/67109 , H05B3/143
Abstract: 本发明提供一种处理装置，其具有可防止因埋设的加热器的加热而发生破裂的载置台。载置晶片(W)的载置台(32A)具有多个区域(32Aa、32Ab)，在多个区域的每一个内，独立地埋设有多个加热器中的一个。埋设在相邻区域中的一方(32Aa)中的加热器(35Aa)，具有延伸至另一方的区域(32Ab)内的部分(35Aa2)，埋设在相邻区域中的另一方的区域(32Ab)中的加热器(35Ab)，具有延伸至一方的区域(32Aa)内的部分(35Ab2)。
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