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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1777977B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200480010470.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28518 , C23C16/08 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供一种在Si晶片(1)上形成硅化钛膜(4)的成膜方法。首先，通过使用高频的等离子体处理Si晶片(1)。接着，向通过等离子体处理的含Si部分上供给含Ti原料气体，生成等离子体，进行Ti成膜，通过此时的Ti膜与含Si部分的Si反应，生成硅化钛膜(4)。Si晶片(1)的等离子体处理，是向Si晶片(1)上施加绝对值在200V以上的DC偏置电压(Vdc)而进行的。
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公开(公告)号：CN1777977A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010470.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28518 , C23C16/08 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供一种在Si晶片(1)上形成硅化钛膜(4)的成膜方法。首先，通过使用高频的等离子体处理Si晶片(1)。接着，向通过等离子体处理的含Si部分上供给含Ti原料气体，生成等离子体，进行Ti成膜，通过此时的Ti膜与含Si部分的Si反应，生成硅化钛膜(4)。Si晶片(1)的等离子体处理，是向Si晶片(1)上施加绝对值在200V以上的DC偏置电压(Vdc)而进行的。
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公开(公告)号：CN1777694A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200380100145.9
申请日：2003-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/4408 , C23C16/50 , H01L21/28562
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子体CVD在被处理基板(W)上形成规定薄膜的成膜方法，该方法至少交替各进行一次所述第一以及第二工序。第一工序中，一边将含有薄膜成份的化合物气体和还原气体供给到收纳基板(W)的处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第一等离子体。第二工序中，继第一工序之后，一边将所述还原气体供给到处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第二等离子体。
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公开(公告)号：CN1777694B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200380100145.9
申请日：2003-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/4408 , C23C16/50 , H01L21/28562
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子体CVD在被处理基板(W)上形成规定薄膜的成膜方法，该方法至少交替各进行一次所述第一以及第二工序。第一工序中，一边将含有薄膜成份的化合物气体和还原气体供给到收纳基板(W)的处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第一等离子体。第二工序中，继第一工序之后，一边将所述还原气体供给到处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第二等离子体。
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公开(公告)号：CN1806315A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200580000473.0
申请日：2005-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/28 , C23C16/14 , C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0281 , C23C16/34 , H01J37/321 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76814 , H01L21/76856 , Y10S438/905 , Y10S438/906 , Y10S438/974
Abstract: 本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。
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