公开(公告)号：CN111164739A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880064580.7

申请日：2018-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩下伸也 ,  菊地贵伦 ,  野吕尚孝 ,  长谷川敏夫 ,  守屋刚

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使为了进行等离子体处理而生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。然后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置，将腔室主体的内部空间之中的气体和颗粒排出。

公开(公告)号：CN108884566A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021606.5

申请日：2017-03-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广瀬胜人 ,  长谷川敏夫 ,  吉田昌平 ,  篠原猛 ,  川崎真司

IPC: C23C16/52 ,  G05B23/02 ,  H01L21/205

Abstract: 提供一种异常探测系统，所述异常探测系统具有：第一控制器，其控制基板处理装置；以及第二控制器，其按照该第一控制器的指示来对设置于所述基板处理装置的设备进行控制，所述异常探测系统探测所述设备的异常，其中，所述第二控制器具有存储部，所述存储部在规定的周期中的规定时间内以规定的采样间隔收集所述设备的状态信号，并累积所收集到的该设备的状态信号，所述第一控制器具有异常判定部，所述异常判定部以所述规定时间以上的时间间隔从所述第二控制器获取累积的所述设备的状态信号，基于获取到的所述设备的状态信号来判定所述设备有无异常。

公开(公告)号：CN101469413A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200910000288.1

申请日：2004-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷川敏夫

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜，该成膜方法包括：向处理容器内连续地供给惰性气体的工序；和在惰性气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序；在金属源气体的间歇的供给工序中，在金属源气体的供给期间中，在供给金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体的工序；和在金属源气体的间歇的供给工序中，在金属源气体的间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体的工序，其中在金属源气体的供给期间中供给含氮还原气体的期间，与在金属源气体的间歇期间中供给含氮还原气体的期间不接续。

公开(公告)号：CN104066871A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006555.0

申请日：2013-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷川敏夫 ,  多田国弘 ,  山崎英亮 ,  大卫·L·奥梅亚拉 ,  格利特·J·莱乌辛克

IPC: C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 提供了一种用于在衬底上形成金属硅化物层的方法。根据一个实施方案，该方法包括：将衬底设置在处理室中；以第一衬底温度将衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体，其中等离子体暴露以自限性过程在衬底上形成共形的含金属层。该方法还包括：以第二衬底温度将含金属层在不存在等离子体的条件下暴露于还原气体，其中将上述暴露步骤交替地进行至少一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不包含还原气体。该方法提供了在具有高深宽比的深沟槽中形成共形金属硅化物。

公开(公告)号：CN101253603B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200680017839.X

申请日：2006-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷川敏夫

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/28 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明的成膜方法包括：第一阶段，该第一阶段包括向被加热至成膜温度的被处理基板供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过CVD使金属氮化膜直接堆积在被处理基板上的期间；和第二阶段，该第二阶段同样地供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过CVD在上述第一阶段堆积的初期的金属氮化膜上进一步堆积金属氮化膜，使其达到规定的膜厚，其中，上述第一阶段和上述第二阶段都将由供给上述金属化合物气体和含氮还原气体的第一步骤和停止上述金属化合物气体而供给上述含氮还原气体的第二步骤构成的循环反复进行一个循环以上。

公开(公告)号：CN101253603A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680017839.X

申请日：2006-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷川敏夫

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/28 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明的成膜方法包括：第一阶段，该第一阶段包括向被加热至成膜温度的被处理基板供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过CVD使金属氮化膜直接堆积在被处理基板上的期间；和第二阶段，该第二阶段同样地供给金属化合物气体和含氮还原气体，通过CVD在上述第一阶段堆积的初期的金属氮化膜上进一步堆积金属氮化膜，使其达到规定的膜厚，其中，上述第一阶段和上述第二阶段都将由供给上述金属化合物气体和含氮还原气体的第一步骤和停止上述金属化合物气体而供给上述含氮还原气体的第二步骤构成的循环反复进行一个循环以上。

公开(公告)号：CN1906736A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001444.6

申请日：2005-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷川敏夫

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，重复进行1次以上由向在处理容器内被加热到成膜温度的半导体晶片供给TiCl4气体和NH3气体、通过CVD形成由TiN构成的膜的第一步骤、和停止供给TiCl4气体、供给NH3气体的第二步骤构成的循环，在半导体晶片上形成规定厚度的TiN膜，成膜时的半导体晶片的温度低于450℃，处理容器内的总压力高于100Pa，第一步骤中的处理容器内的NH3气体的分压为30Pa以下。

公开(公告)号：CN108884566B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201780021606.5

申请日：2017-03-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广瀬胜人 ,  长谷川敏夫 ,  吉田昌平 ,  篠原猛 ,  川崎真司

IPC: C23C16/52 ,  G05B23/02 ,  H01L21/205

Abstract: 提供一种异常探测系统，所述异常探测系统具有：第一控制器，其控制基板处理装置；以及第二控制器，其按照该第一控制器的指示来对设置于所述基板处理装置的设备进行控制，所述异常探测系统探测所述设备的异常，其中，所述第二控制器具有存储部，所述存储部在规定的周期中的规定时间内以规定的采样间隔收集所述设备的状态信号，并累积所收集到的该设备的状态信号，所述第一控制器具有异常判定部，所述异常判定部以所述规定时间以上的时间间隔从所述第二控制器获取累积的所述设备的状态信号，基于获取到的所述设备的状态信号来判定所述设备有无异常。

公开(公告)号：CN103975423A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280060379.4

申请日：2012-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村源志 ,  长谷川敏夫

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/321 ,  H01L29/517

Abstract: 一种用于形成半导体器件的方法，包括：在处理室中在衬底上提供含金属栅电极膜；向处理室中流入由氢气(H2)和任选的稀有气体组成的处理气体；通过微波等离子体源由处理气体形成等离子体激发物质；以及将含金属栅电极膜暴露于等离子体激发物质以形成改性含金属栅电极膜，改性含金属栅电极膜具有低于含金属栅电极膜的功函数。其他实施方案描述了形成具有包含用于NMOS和PMOS晶体管的改性含金属栅电极的栅极堆叠体的半导体器件。

公开(公告)号：CN100519832C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480010609.1

申请日：2004-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷川敏夫

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明涉及一种在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜的方法。本发明的方法具备下述工序：向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序；和在上述惰性气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序。在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供给期间中，在供给上述金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体。另外，在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的间歇期间中，在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体。在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。根据本发明，即使在比较高的温度下进行成膜处理，也能够堆积氯浓度低、电阻率也小、还抑制了裂纹发生的金属氮化膜。