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公开(公告)号：CN101481798B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910001978.9
申请日：2004-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。
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公开(公告)号：CN1692177A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100730.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/68
Abstract: 在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。
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公开(公告)号：CN104066871B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201380006555.0
申请日：2013-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 长谷川敏夫 , 多田国弘 , 山崎英亮 , 大卫·L·奥梅亚拉 , 格利特·J·莱乌辛克
IPC: C23C16/42
CPC classification number: H01L21/76898 , C23C16/42 , C23C16/45538 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L28/91 , H01L29/66181
Abstract: 提供了一种用于在衬底上形成金属硅化物层的方法。根据一个实施方案，该方法包括：将衬底设置在处理室中；以第一衬底温度将衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体，其中等离子体暴露以自限性过程在衬底上形成共形的含金属层。该方法还包括：以第二衬底温度将含金属层在不存在等离子体的条件下暴露于还原气体，其中将上述暴露步骤交替地进行至少一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不包含还原气体。该方法提供了在具有高深宽比的深沟槽中形成共形金属硅化物。
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公开(公告)号：CN1898410B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480038982.8
申请日：2004-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/34 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/7685 , H01L21/76864 , H01L21/7687 , H01L2221/1078
Abstract: 本发明提供一种通过使四氯化钛与氨反应、在基板上形成氮化钛膜的方法，该方法减少底层的腐蚀。通过使四氯化钛与氨在由供给决定速率的区域中反应，一边将底层的腐蚀抑制到最小限度，一边在基板上形成第一氮化钛层。接着，通过使四氯化钛与氨在由反应决定速率的区域中反应，一边确保良好的阶梯覆盖，一边在第一氮化钛层上形成第二氮化钛层。
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公开(公告)号：CN101501244A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029097.7
申请日：2007-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种气体供给装置以及基板处理装置，在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，对于从基板的中心部向外周部的气流，通过比现有技术更加均衡地整理圆周方向之间的流速分布，来抑制例如十字状的颗粒密集区域的产生，而且能够提高处理条件的自由度。设置气体供给装置的喷淋板上所穿设的气体供给孔的配置图案，使得这些气体供给孔配置在多个同心圆上，并且使同心圆上的气体供给孔和与内侧邻接的同心圆以及与外侧邻接的同心圆的各自最接近的气体供给孔不在同心圆的半径上排列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101310040A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200780000105.5
申请日：2007-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/14 , C23C8/36 , C23C16/4405 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种Ti系膜的成膜方法，是在收纳晶片(W)的腔室(31)内，从至少表面由含有Ni的材料构成的喷淋头(40)喷出含有TiCl4气体的处理气体，在配置在腔室(31)内的晶片(W)的表面上形成Ti系膜时，使喷淋头(40)的温度在300℃以上并低于450℃，而且使TiCl4气体的流量为1～12mL/min(sccm)或TiCl4气体分压为0.1～2.5Pa，在规定枚数的晶片(W)上形成Ti系膜；此后使喷淋头(40)的温度为200～300℃，向所述腔室(31)内导入ClF3气体，清洁所述腔室(31)内。
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公开(公告)号：CN1898410A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038982.8
申请日：2004-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/34 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/7685 , H01L21/76864 , H01L21/7687 , H01L2221/1078
Abstract: 本发明提供一种通过使四氯化钛与氨反应，在基板上形成氮化钛膜的方法，该方法减少底层的腐蚀。通过使四氯化钛与氨在由供给决定速率的区域中反应，一边将底层的腐蚀抑制到最小限度，一边在基板上形成第一氮化钛层。接着，通过使四氯化钛与氨在由反应决定速率的区域中反应，一边确保良好的阶梯覆盖，一边在第一氮化钛层上形成第二氮化钛层。
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公开(公告)号：CN1738922A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002342.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/02 , C23C16/458 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。
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公开(公告)号：CN101818336B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010157610.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4586 , H01L21/67109 , H05B3/143
Abstract: 本发明提供一种处理装置和加热器单元，该处理装置的特征在于，一边加热被处理体一边进行处理，该处理装置包括：处理容器；配置在该处理容器内，载置所述被处理体的载置台；和埋设在该载置台内，用于通过加热所述载置台而加热被载置的所述被处理体的加热器，所述加热器被配置在所述载置台的表面与背面之间的中央，沿着该表面埋设有电极，沿着该背面埋设有由与该电极相同的材料形成的增强部件。
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公开(公告)号：CN101818336A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010157610.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4586 , H01L21/67109 , H05B3/143
Abstract: 本发明提供一种处理装置和加热器单元，该处理装置的特征在于，一边加热被处理体一边进行处理，该处理装置包括：处理容器；配置在该处理容器内，载置所述被处理体的载置台；和埋设在该载置台内，用于通过加热所述载置台而加热被载置的所述被处理体的加热器，所述加热器被配置在所述载置台的表面与背面之间的中央，沿着该表面埋设有电极，沿着该背面埋设有由与该电极相同的材料形成的增强部件。
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