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公开(公告)号：CN1293611C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02818626.5
申请日：2002-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。
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公开(公告)号：CN1276478C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02809527.8
申请日：2002-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: 形成包覆膜的包覆剂(51)由环化橡胶-双叠氮化物等主要成分和感光剂组成的抗蚀剂构成，通过将从处理室(22)内取出的处理室内部件(50)浸渍在丙酮等剥离液中，可在剥离附着的包覆膜的同时，从处理室内部件(50)上分离堆积在处理室内部件(50)上形成的包覆剂(51)的包覆膜上的堆积物(52)。
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公开(公告)号：CN1249789C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200310115779.3
申请日：2003-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/10
CPC classification number: H05H1/24 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理容器内部件，可抑制作为掺杂涂层而形成的喷镀膜的剥离。它是在基材(71)与喷镀膜(72)之间，由对含卤素处理气体的耐腐蚀性好的材料形成屏蔽性涂层(73)，通过树脂或溶胶凝胶法对该屏蔽性涂层(73)进行封孔处理。
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公开(公告)号：CN1429404A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN01809509.7
申请日：2001-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32458
Abstract: 本发明提供一种使维护容易进行、可减轻操作者负担的处理装置及其维护方法。构成蚀刻装置(100)的处理室(102)的顶板部的上部电极单元(106)由包含上部电极(130)的处理室(102)侧的下部组件(128)、和包含导电体(144)的电压供给侧的上部组件(128)构成。解除锁定机构(156)，通过升降机构(164)单独使上部组件(126)上升并取出后，进行上部组件(126)和/或下部组件(128)的维护。将锁定机构(156)锁定，通过升降机构(164)使上部及下部组件(126、128)一体上升，取出后，对处理室(102)内进行维护。
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公开(公告)号：CN1682339B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN03822079.2
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32431
Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的一种改进的挡板，其中挡板的设计和制作在工艺空间内方便地提供了一个均匀的工艺等离子体，以及基本上最小地腐蚀挡板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100508103C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN03822376.7
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供了一种用于等离子体加工系统的改进的波纹管罩，其中结合到基底座电极的该波纹管罩的设计和制作通过实质使波纹管罩的侵蚀最小化从而有利地对波纹管提供了保护。
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公开(公告)号：CN100424811C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN03822259.0
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/4404 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , Y10S156/916
Abstract: 本发明提供改进的用于等离子加工系统的上电极，其中有关带有连接至上电极的沉积罩的电极板的设计和制作有利地提供对上电极腐蚀充分小的加工气体的气体注入，同时提供对室内部的保护。
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公开(公告)号：CN100380564C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03822206.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32623 , H01J37/32834
Abstract: 本申请涉及用于等离子体处理系统中的改进的折流板的方法和设备。本发明提出了一种用于等离子体处理器系统的改进的折流板，其中，折流板的设计和制造能够有利地在处理空间中提供均匀的处理等离子体，并且对折流板的腐蚀程度最小。
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公开(公告)号：CN1199247C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01809509.7
申请日：2001-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32458
Abstract: 本发明提供一种使维护容易进行、可减轻操作者负担的处理装置及其维护方法。构成蚀刻装置(100)的处理室(102)的顶板部的上部电极单元(106)由包含上部电极(130)的处理室(102)侧的下部组件(128)、和包含导电体(144)的电压供给侧的上部组件(128)构成。解除锁定机构(156)，通过升降机构(164)单独使上部组件(126)上升并取出后，进行上部组件(126)和/或下部组件(128)的维护。将锁定机构(156)锁定，通过升降机构(164)使上部及下部组件(126、128)一体上升，取出后，对处理室(102)内进行维护。
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公开(公告)号：CN1516535A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310115779.3
申请日：2003-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , B01J19/02 , C23C4/10 , C23F4/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/24 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种可抑制形成为掺杂涂层的喷镀膜剥离的等离子体处理容器内部件。它是在基材(71)与喷镀膜(72)之间，由对含卤素处理气体的耐腐蚀性好的材料形成屏蔽生涂层(73)，通过树脂或溶胶凝胶法对该屏蔽性涂层(73)进行封孔处理。
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