-
公开(公告)号：CN100523804C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)-1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
-
公开(公告)号：CN101470349A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810173347.0
申请日：2008-11-13
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , C07D327/02 , C07D327/04 , C07D497/08 , C08K5/36 , C08K5/42 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
Abstract: 本发明提供抗蚀剂组合物、使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的形成方法、用作该抗蚀剂组合物用产酸剂的新型化合物、用作该化合物的前体的化合物以及该产酸剂。其中，涉及通式(I)表示的化合物；以及通式(b1－1)表示的化合物(式中，Q1是2价连接基团或单键；Y1是可具有取代基的亚烷基或可具有取代基的氟代亚烷基；X表示可具有取代基的碳原子数为3～30的环式基，该环结构中具有－SO2－键。M+是碱金属离子。A+是有机阳离子)。
-
公开(公告)号：CN101408728A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810212866.3
申请日：2008-09-10
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含有能用作产酸剂的新型化合物的抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法、所述化合物、能用作所述化合物的前体的化合物及其制造方法。其中，涉及式(I)表示的化合物以及式(b1－1)表示的化合物[式中，X是－O－、－S－、－O－R3－或－S－R4－，R3和R4分别独立地是碳原子数为1～5的亚烷基；R2是碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为1～6的卤代烷基、卤原子、碳原子数为1～6的羟烷基、羟基或氰基；a是0～2的整数；Q1是碳原子数为1～12的亚烷基或单键；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；M+是碱金属离子；A+是有机阳离子。
-
公开(公告)号：CN1578931A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821757.8
申请日：2002-11-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明提供一种正型光刻胶组合物，其是通过在一种有机溶剂(C)中溶解(A)一种在主链中具有衍生自(甲基)丙烯酸酯的单元的树脂组分，对于该树脂，其在碱中的溶解度在酸的作用下增大，和(B)一种通过曝光生成酸的酸生成剂组分而形成的，其中树脂组分(A)是一种共聚物，其包含(a1)衍生自包含含有可酸离解的、溶解抑制基团的多环基团的(甲基)丙烯酸酯的单元，(a2)衍生自包含含有内酯的单环基团或多环基团的(甲基)丙烯酸酯的单元，(a3)衍生自包含含有羟基的多环基团的(甲基)丙烯酸酯的单元，和(a4)衍生自包含不同于单元(a1)，单元(a2)和单元(a3)的多环基团的(甲基)丙烯酸酯的单元。此组合物提供一种化学放大正型光刻胶组合物，其显示优异的分辨率，并且可以提高隔离光刻胶图像的聚焦范围的深度和可以抑制邻近效应。
-
公开(公告)号：CN102866585A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210243584.6
申请日：2008-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/00 , C07C309/17 , C07C303/32 , C07C381/12 , C07D493/18 , C07D333/46
Abstract: 本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1-1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，式中，RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q2和Q3分别独立地为单键或2价的连接基团；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z+是有机阳离子(但下述通式(w-1)表示的离子除外)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101464628B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200810185226.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/028 , G03F7/00 , C07C309/00
Abstract: 本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1-1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，RX-Q3-O-Q2-Y1-SO3-Z+ …(b1-1)；式中，RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q2和Q3分别独立地为单键或2价的连接基团；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z+是有机阳离子(但下述通式(w-1)表示的离子除外)。
-
公开(公告)号：CN1818785B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200610007165.7
申请日：2002-11-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 提供了一种正型树脂组合物，它含有：(A)一种树脂组分，它在主链内含有(甲基)丙烯酸酯衍生的结构单元，并在酯基侧链部分结合了含有可被酸离解的、抑制溶解的基团的多环基团，因此在酸的作用下增加了它在碱中的溶解度；(B)一种能在曝光时产生酸的产酸剂组分；及(C)有机溶剂，其中组分(A)含有下列两种结构单元：丙烯酸酯衍生的结构单元(a1)，其包含含有可被酸离解的、抑制溶解的基团的多环基团；及甲基丙烯酸酯衍生的结构单元(a1′)，其包含含有可被酸离解的、抑制溶解的基团的多环基团。依据这种抗蚀剂组合物，可形成一种在蚀刻时几乎不出现表面的粗糙和线边缘粗糙，且还提供出色的分辨能力和聚焦范围深度广的抗蚀图形。
-
公开(公告)号：CN100555079C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200480003485.4
申请日：2004-01-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/039 , C08F220/28
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F6/06 , C08F6/12
Abstract: 提供一种精制抗蚀剂用粗树脂的方法，该方法能够有效去除副产物例如包含在粗树脂中的聚合物和低聚物。该方法提供一种精制在光致抗蚀剂组合物中使用的抗蚀剂树脂(A)的粗树脂的方法，光致抗蚀剂组合物至少包含在第一有机溶剂(C1)中溶解的抗蚀剂树脂(A)和酸生成剂(B)，其中如果光致抗蚀剂组合物中组分(A)的浓度标示为X，在粗树脂溶液中的组分(A)的粗树脂浓度标示为Y，所述粗树脂溶液包含在第二有机溶剂(C2)溶解的组分(A)的粗树脂，那么(i)制备粗树脂溶液，以便Y小于X，和(ii)接着过滤粗树脂溶液。
-
公开(公告)号：CN100533143C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510137592.2
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种在包括浸渍曝光的抗蚀剂图案形成方法中使用的抗蚀剂组合物的评价方法，该方法包括：由抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，将该膜选择性曝光，其后使在浸渍曝光中使用的浸渍溶剂与膜接触，将如此得到的膜曝光后烘焙，接着将膜显影，以及评价得到的抗蚀剂图案。
-
公开(公告)号：CN101154037A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710141905.0
申请日：2007-08-16
Applicant: 株式会社日立制作所 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: C07C39/17 , C07C39/15 , G03F7/0382 , Y10S430/106
Abstract: 随着微细化，要求半导体电路图案尺寸的精度接近于抗蚀剂分子尺寸，但抗蚀剂图案的边缘粗糙度导致设备性能劣化或对系统性能造成不良影响。本发明使用一种图案形成用基材，其特征在于，所述图案形成用基材为每1分子具有0个以上6个以下在酸的作用下发生化学转化、对碱性显影液的溶解性降低的官能团的化合物的混合物，在除所述官能团之外的部分，具有2个以上三苯基甲烷结构非共轭地连接的结构，所述官能团与多核酚化合物的酚羟基键合，每1分子具有0个所述官能团的多核酚化合物的重量比为15％以下，且每1分子有3个以上所述官能团的多核酚化合物的重量比为40％以下，并且与所述多核酚化合物键合的所述官能团个数平均每1分子为2.5以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.029 seconds)
